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公开(公告)号:CN101416109A
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200780011862.2
申请日:2007-03-27
Applicant: LG化学株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及纳米图案的形成方法,并且,更具体而言,涉及在大面积上连续形成纳米图案的方法和在辊形基板上形成纳米图案的方法以及具有使用该方法形成的图案的基板。使用相对移动大面积样品和干涉光光源的方法以及通过干涉光光源和辊形基板的相对轴向运动同时旋转辊形基板来进行曝光的方法来避免在相关领域中发生的问题,例如在形成纳米图案过程中装置所需的大空间、激光的有限输出和图案中有限的自由度。
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公开(公告)号:CN101116018A
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200680004176.8
申请日:2006-06-13
Applicant: LG化学株式会社
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3058
Abstract: 本发明公开了一种使导电层图形化的方法,一种使用该方法制备偏振片的方法和使用所述制备偏振片的方法制备的偏振片,以及具有该偏振片的显示器件。所述使导电层图形化的方法包括(a)使树脂层图形化以形成凹槽和突起,以及(b)在树脂层上涂敷导电填充材料,从而利用图形化的树脂层上的凹槽和突起的立体形状形成图形。
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公开(公告)号:CN100541243C
公开(公告)日:2009-09-16
申请号:CN200680004176.8
申请日:2006-06-13
Applicant: LG化学株式会社
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3058
Abstract: 本发明公开了一种使导电层图形化的方法,一种使用该方法制备偏振片的方法和使用所述制备偏振片的方法制备的偏振片,以及具有该偏振片的显示器件。所述使导电层图形化的方法包括(a)使树脂层图形化以形成凹槽和突起,以及(b)在树脂层上涂敷导电填充材料,从而利用图形化的树脂层上的凹槽和突起的立体形状形成图形。
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