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公开(公告)号：CN104603965B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201380046872.5
申请日：2013-09-12
Applicant: KELK株式会社
CPC classification number: H01L35/08 , H01L35/16 , H01L35/32 , H01S5/02415
Abstract: 提供一种能够利用高熔点焊料进行安装的激光二极管用珀耳贴模块。激光二极管用珀耳贴模块(10)具备：散热侧的基板(1a)；散热侧的电极(2a)；p型热电转换元件(3a)及n型热电转换元件(3b)；接合焊料层(4)；以及含Ni的层(5)。接合焊料层(4)配置在散热侧的电极(2a)与p型热电转换元件(3a)及散热侧的电极(2a)与n型热电转换元件(3b)之间，并且具有含Au及Sn的Ni金属间化合物(41)、Au5Sn金属间化合物(42)、和包含Au5Sn金属间化合物及AuSn金属间化合物的共晶组成(43)。含Ni的层(5)分别配置在接合焊料层(4)与散热侧的电极(2a)之间、以及接合焊料层(4)与p型热电转换元件(3a)及接合焊料层(4)与n型热电转换元件(3b)之间。接合焊料层(4)的共晶比率为15.1％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101558505B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200780040907.9
申请日：2007-10-22
Applicant: KELK株式会社
CPC classification number: H01L35/32 , H01L35/04 , H01L35/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在利用了珀耳帖效应的热电模块(1)中，对元件占有面积率为40％以下的热电模块，在金属化层(4a、4b)加入狭缝，该元件占有面积率用相对于通过金属化层(4a)连接冷却对象的绝缘基板(2a)的面积的、与热电元件(5a、5b)的电流通电方向垂直的剖面面积的总合的比例来定义。根据这样的结构，能防止由于装配时产生的热应力或封装等的安装、或者为了安装被冷却物而预先进行预焊接时的热应力，引起的热电元件的破损。
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公开(公告)号：CN101868867B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200880117167.9
申请日：2008-11-14
Applicant: KELK株式会社
Inventor： 小西明夫
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/32
Abstract: 本发明提供一种热电组件。热电元件不配置在基板的对置面中的中央区域，而以密状态配置在除了中央区域的区域、即包围中央区域的周边区域或外周区域。在对置面的中央配置有热电元件的情况与在对置面的除了中央区域的区域配置有热电元件的情况进行比较，与前者相比，后者成为弯曲的基点的热电元件位于更靠外周侧，即，弯曲的基点与基板的外周的距离变短。弯曲的基点与基板的外周的距离越短，在基板的外周产生的弯曲的位移量及力越小。并且，通过将热电元件密配置，使由基板的弯曲而产生的拉伸每一个热电元件的力变小。如此，通过降低在基板的外周产生的弯曲的位移量及力来防止基板的弯曲引起的热电元件的损伤。
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公开(公告)号：CN104603965A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380046872.5
申请日：2013-09-12
Applicant: KELK株式会社
CPC classification number: H01L35/08 , H01L35/16 , H01L35/32 , H01S5/02415
Abstract: 提供一种能够利用高熔点焊料进行安装的激光二极管用珀耳贴模块。激光二极管用珀耳贴模块(10)具备：散热侧的基板(1a)；散热侧的电极(2a)；p型热电转换元件(3a)及n型热电转换元件(3b)；接合焊料层(4)；以及含Ni的层(5)。接合焊料层(4)配置在散热侧的电极(2a)与p型热电转换元件(3a)及散热侧的电极(2a)与n型热电转换元件(3b)之间，并且具有含Au及Sn的Ni金属间化合物(41)、Au5Sn金属间化合物(42)、和包含Au5Sn金属间化合物及AuSn金属间化合物的共晶组成(43)。含Ni的层(5)分别配置在接合焊料层(4)与散热侧的电极(2a)之间、以及接合焊料层(4)与p型热电转换元件(3a)及接合焊料层(4)与n型热电转换元件(3b)之间。接合焊料层(4)的共晶比率为15.1％以下。
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公开(公告)号：CN101868867A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880117167.9
申请日：2008-11-14
Applicant: KELK株式会社
Inventor： 小西明夫
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/32
Abstract: 本发明提供一种热电组件。热电元件不配置在基板的对置面中的中央区域，而以密状态配置在除了中央区域的区域、即包围中央区域的周边区域或外周区域。在对置面的中央配置有热电元件的情况与在对置面的除了中央区域的区域配置有热电元件的情况进行比较，与前者相比，后者成为弯曲的基点的热电元件位于更靠外周侧，即，弯曲的基点与基板的外周的距离变短。弯曲的基点与基板的外周的距离越短，在基板的外周产生的弯曲的位移量及力越小。并且，通过将热电元件密配置，使由基板的弯曲而产生的拉伸每一个热电元件的力变小。如此，通过降低在基板的外周产生的弯曲的位移量及力来防止基板的弯曲引起的热电元件的损伤。
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公开(公告)号：CN101558505A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780040907.9
申请日：2007-10-22
Applicant: KELK株式会社
CPC classification number: H01L35/32 , H01L35/04 , H01L35/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在利用了珀耳帖效应的热电模块(1)中，对元件占有面积率为40％以下的热电模块，在金属化层(4a、4b)加入狭缝，该元件占有面积率用相对于通过金属化层(4a)连接冷却对象的绝缘基板(2a)的面积的、与热电元件(5a、5b)的电流通电方向垂直的剖面面积的总合的比例来定义。根据这样的结构，能防止由于装配时产生的热应力或封装等的安装、或者为了安装被冷却物而预先进行预焊接时的热应力，引起的热电元件的破损。
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