公开(公告)号：CN119678105A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380058763.9

申请日：2023-07-11

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 平泽贤悟 ,  高田和弥 ,  尾崎优贵 ,  木股宽统 ,  芹泽龙一

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种能够形成耐蚀刻性及埋入性优异的膜的半导体基板的制造方法及膜形成用组合物。一种半导体基板的制造方法，包括在基板上涂敷膜形成用组合物的工序，所述膜形成用组合物含有金属化合物、具有芳香族烃环结构及下述式(1)所表示的部分结构的芳香族化合物、以及溶媒，所述芳香族烃环结构的碳数为6以上。[化1](式(1)中，X为下述式(i)、式(ii)、式(iii)或式(iv)所表示的基；*分别为与构成所述芳香族烃环结构的邻接的两个碳原子的键结部位。)[化2](式(i)中，R1为氢原子或碳数1～20的一价有机基；R2为碳数1～20的一价有机基；式(ii)中，R3为氢原子或碳数1～20的一价有机基；R4为碳数1～20的一价有机基；式(iii)中，R5为碳数1～20的一价有机基；式(iv)中，R6为碳数1～20的一价有机基。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN118435121A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202380015443.5

申请日：2023-01-11

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 尾崎优贵 ,  平林洋纪 ,  平泽贤悟 ,  芹泽龙一

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种使用对于基板的周缘部的清洗性及排液稳定性优异的清洗液的半导体基板的制造方法、抗蚀剂底层膜的形成方法及清洗液。一种半导体基板的制造方法，包括：在基板上直接或间接地涂敷抗蚀剂底层膜形成用组合物的工序；利用清洗液对所述基板的周缘部进行清洗的工序；以及在所述清洗工序后，在通过所述涂敷工序而形成的抗蚀剂底层膜上直接或间接地形成抗蚀剂图案的工序，所述抗蚀剂底层膜形成用组合物含有金属化合物及溶媒，所述清洗液含有有机酸。

公开(公告)号：CN117642698A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202280046675.2

申请日：2022-07-08

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 尾崎优贵 ,  芹泽龙一 ,  平泽贤悟 ,  平林洋纪

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08F220/12 ,  C08F212/14

Abstract: 一种抗蚀剂底层膜形成用组合物，含有：金属化合物；聚合物，具有下述式(1)所表示的第一结构单元及下述式(2)所表示的第二结构单元；以及溶媒。(式(1)中，R1为氢原子、或者经取代或未经取代的碳数1～20的一价烃基；R2为经取代或未经取代的碳数1～20的一价烃基。)(式(2)中，R3为氢原子、或者经取代或未经取代的碳数1～20的一价烃基；L为单键或二价连结基；Ar为自经取代或未经取代的环元数6～20的芳香环中去除(n+1)个氢原子而成的基；R4为碳数1～10的一价羟基烷基或羟基；n为0～8的整数；在n为2以上的情况下，多个R4相同或不同。)