公开(公告)号：CN119678105A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380058763.9

申请日：2023-07-11

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 平泽贤悟 ,  高田和弥 ,  尾崎优贵 ,  木股宽统 ,  芹泽龙一

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种能够形成耐蚀刻性及埋入性优异的膜的半导体基板的制造方法及膜形成用组合物。一种半导体基板的制造方法，包括在基板上涂敷膜形成用组合物的工序，所述膜形成用组合物含有金属化合物、具有芳香族烃环结构及下述式(1)所表示的部分结构的芳香族化合物、以及溶媒，所述芳香族烃环结构的碳数为6以上。[化1](式(1)中，X为下述式(i)、式(ii)、式(iii)或式(iv)所表示的基；*分别为与构成所述芳香族烃环结构的邻接的两个碳原子的键结部位。)[化2](式(i)中，R1为氢原子或碳数1～20的一价有机基；R2为碳数1～20的一价有机基；式(ii)中，R3为氢原子或碳数1～20的一价有机基；R4为碳数1～20的一价有机基；式(iii)中，R5为碳数1～20的一价有机基；式(iv)中，R6为碳数1～20的一价有机基。)#imgabs0#