磁控溅镀装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1737190B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200510092825.1

    申请日:2005-08-22

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明涉及以高的生产速度将材料淀积在衬底上的磁控溅镀装置和技术,其中所淀积的膜具有预定的厚度分布,且所述装置可在非常长的时间段连续地并可重复地运行。本发明已通过减少周期时间实现了产量的增加。提高的镀膜速度通过将行星驱动系统与大的阴极耦合来实现。所述阴极直径大于行星的直径且小于所述行星直径的两倍。较低的缺陷率通过所述阴极的较低功率密度实现,所述阴极的较低功率降低电弧,且通过阴极到行星的几何结构将溢流降到最小,而无需使用掩模。

    磁控溅镀装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1737190A

    公开(公告)日:2006-02-22

    申请号:CN200510092825.1

    申请日:2005-08-22

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明涉及以高的生产速度将材料淀积在衬底上的磁控溅镀装置和技术,其中所淀积的膜具有预定的厚度分布,且所述装置可在非常长的时间段连续地并可重复地运行。本发明已通过减少周期时间实现了产量的增加。提高的镀膜速度通过将行星驱动系统与大的阴极耦合来实现。所述阴极直径大于行星的直径且小于所述行星直径的两倍。较低的缺陷率通过所述阴极的较低功率密度实现,所述阴极的较低功率降低电弧,且通过阴极到行星的几何结构将溢流降到最小,而无需使用掩模。