公开(公告)号：CN101919032A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200880116660.9

申请日：2008-11-11

Applicant: HOYA株式会社 ,  小林光

Inventor： 小林光 ,  长泽弘幸 ,  八田直记 ,  河原孝光

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/161 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明提供一种半导体元件以及半导体元件制造方法，该半导体元件具有由碳化硅构成的半导体基板、形成在所述半导体基板上的栅极绝缘膜以及形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极。所述半导体基板表面中与所述栅极绝缘膜结合的结合面在宏观上平行于非极性面，且微观上由非极性面和极性面构成，在所述极性面中Si面和C面中的任意一个面占优势。本发明的半导体元件具有由碳化硅构成的半导体基板和形成在所述半导体基板上的电极。所述半导体基板表面中与所述电极结合的结合面宏观上平行于非极性面，且微观上由非极性面和极性面构成，在所述极性面中Si面和C面中的任意一个面占优势。本发明是以碳化硅为基板的半导体元件，在碳化硅外延层的非极性面中，能够提高电极-碳化硅界面，或者氧化膜(绝缘膜)-碳化硅界面的电特性和稳定性，而与基板的缺陷密度无关。

公开(公告)号：CN101120124A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680004816.5

申请日：2006-05-23

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 河原孝光 ,  八木邦明 ,  八田直记 ,  长泽弘幸

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45525 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，在使碳化硅单晶在单晶基板上外延生长时，能够减少在碳化硅单晶内产生的表面缺陷。该方法是在单晶基板(1)的表面使碳化硅单晶层外延生长的碳化硅单晶的制造方法，其中，在上述单晶基板(1)的表面，形成在与该基板表面(1)基本平行的一个方向上延伸的多个起伏(2)，且该起伏(2)在上述单晶基板的厚度方向上波动，并且，设置该起伏(2)，使得由伴随着碳化硅单晶的外延生长而传播的反相区域边界面和/或双晶带形成的表面缺陷彼此会合。

公开(公告)号：CN101120124B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200680004816.5

申请日：2006-05-23

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 河原孝光 ,  八木邦明 ,  八田直记 ,  长泽弘幸

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45525 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，在使碳化硅单晶在单晶基板上外延生长时，能够减少在碳化硅单晶内产生的表面缺陷。该方法是在单晶基板(1)的表面使碳化硅单晶层外延生长的碳化硅单晶的制造方法，其中，在上述单晶基板(1)的表面，形成在与该基板表面(1)基本平行的一个方向上延伸的多个起伏(2)，且该起伏(2)在上述单晶基板的厚度方向上波动，并且，设置该起伏(2)，使得由伴随着碳化硅单晶的外延生长而传播的反相区域边界面和/或双晶带形成的表面缺陷彼此会合。