具有用于电子束操作的局部抽空容积的集成电路分析系统和方法

    公开(公告)号:CN108226737B

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN201711368608.X

    申请日:2017-12-18

    Applicant: FEI公司

    Abstract: 本发明提供用于在IC半导体装置中进行故障分析的新技术,包括用以在正在电刺激受测装置(DUT)的同时或在所述装置靠其自身或在安装于电路板或其它模块中的主机系统内活动的同时实现在IC受测装置(DUT)内使用电子束技术进行电路探测的系统设计和方法。所述DUT可为封装IC或呈某种未封装形式的IC。为了在紧靠电子束工具外部创建局部抽空容积,抵靠或围绕所述DUT密封密封元件以获得局部密封。此类布置使得不需要对操作并监视所述DUT所需的可能成千上万信号进行真空馈通,并且进一步实现在DUT正在其正常环境中(诸如安装在其系统中的电路板上)或在无错测试器上进行操作时探测所述DUT。

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