公开(公告)号：CN101693722A

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200910173557.4

申请日：2005-05-13

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： M·黑内 ,  张卫民 ,  I·麦克洛奇

IPC: C07F7/18 ,  C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  C09K19/40 ,  C09K19/34 ,  C09K19/38 ,  C08G61/12 ,  H01B1/12 ,  C09K11/06 ,  G03G5/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54 ,  H01L27/28 ,  G09F9/00 ,  G09F9/33 ,  G09F9/35 ,  C12Q1/68

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D495/04 ,  C09K19/3491 ,  C09K19/38 ,  C09K19/408 ,  G03G5/0609 ,  G03G5/0614 ,  G03G5/0625 ,  G03G5/0629 ,  G03G5/0648 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0076 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及新型可聚合的噻吩并[3，2-b]噻吩，涉及它们作为半导体或电荷传输材料在如下方面中的用途：光学、电光学或电子器件，如例如液晶显示器，光学膜，用于薄膜晶体管液晶显示器的有机场效应晶体管(FET或OFET)和集成电路器件如RFID标签，平板显示器中的电致发光器件，和光致电压和传感器器件，和涉及包含该新型化合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。

公开(公告)号：CN101663309A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200880012504.8

申请日：2008-03-28

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： S·蒂尔尼 ,  M·黑内 ,  C·贝利 ,  张卫民

IPC: C07F7/08 ,  H01L51/30 ,  H01B1/12

CPC classification number: C07F7/0805 ,  H01L51/0094

Abstract: 本发明涉及制备取代并五苯的工艺，通过该工艺制备的新型并五苯，该新型并五苯作为半导体或电荷传输材料在包括场效应晶体管(FET)、电致发光、光伏和传感器件的光学、电光或电子器件中的用途，以及包含该新型并五苯的FET和其他半导体部件或材料。

公开(公告)号：CN101663309B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200880012504.8

申请日：2008-03-28

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： S·蒂尔尼 ,  M·黑内 ,  C·贝利 ,  张卫民

IPC: C07F7/08 ,  H01L51/30 ,  H01B1/12

CPC classification number: C07F7/0805 ,  H01L51/0094

Abstract: 本发明涉及制备取代并五苯的工艺，通过该工艺制备的新型并五苯，该新型并五苯作为半导体或电荷传输材料在包括场效应晶体管(FET)、电致发光、光伏和传感器件的光学、电光或电子器件中的用途，以及包含该新型并五苯的FET和其他半导体部件或材料。

公开(公告)号：CN1964980A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018862.6

申请日：2005-05-13

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： M·黑内 ,  张卫民 ,  I·麦克洛奇

IPC: C07D495/04 ,  C09K19/34 ,  C09K19/38 ,  H01B1/12 ,  H01L51/30 ,  H05B33/00 ,  G03G5/06

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D495/04 ,  C09K19/3491 ,  C09K19/38 ,  C09K19/408 ,  G03G5/0609 ,  G03G5/0614 ,  G03G5/0625 ,  G03G5/0629 ,  G03G5/0648 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0076 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及新型可聚合的噻吩并[3，2－b]噻吩，涉及它们作为半导体或电荷传输材料在如下方面中的用途：光学、电光学或电子器件，例如液晶显示器，光学膜，用于薄膜晶体管液晶显示器的有机场效应晶体管(FET或OFET)和集成电路器件如RFID标签，平板显示器中的电致发光器件，和光致电压和传感器器件，和涉及包含该新型化合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。