公开(公告)号：CN101663309B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200880012504.8

申请日：2008-03-28

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： S·蒂尔尼 ,  M·黑内 ,  C·贝利 ,  张卫民

IPC: C07F7/08 ,  H01L51/30 ,  H01B1/12

CPC classification number: C07F7/0805 ,  H01L51/0094

Abstract: 本发明涉及制备取代并五苯的工艺，通过该工艺制备的新型并五苯，该新型并五苯作为半导体或电荷传输材料在包括场效应晶体管(FET)、电致发光、光伏和传感器件的光学、电光或电子器件中的用途，以及包含该新型并五苯的FET和其他半导体部件或材料。

公开(公告)号：CN1964980A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580018862.6

申请日：2005-05-13

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： M·黑内 ,  张卫民 ,  I·麦克洛奇

IPC: C07D495/04 ,  C09K19/34 ,  C09K19/38 ,  H01B1/12 ,  H01L51/30 ,  H05B33/00 ,  G03G5/06

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D495/04 ,  C09K19/3491 ,  C09K19/38 ,  C09K19/408 ,  G03G5/0609 ,  G03G5/0614 ,  G03G5/0625 ,  G03G5/0629 ,  G03G5/0648 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0076 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及新型可聚合的噻吩并[3，2－b]噻吩，涉及它们作为半导体或电荷传输材料在如下方面中的用途：光学、电光学或电子器件，例如液晶显示器，光学膜，用于薄膜晶体管液晶显示器的有机场效应晶体管(FET或OFET)和集成电路器件如RFID标签，平板显示器中的电致发光器件，和光致电压和传感器器件，和涉及包含该新型化合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。

公开(公告)号：CN101563389B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200780046970.3

申请日：2007-12-08

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： M·希尼 ,  张卫民 ,  S·蒂尔尼 ,  I·麦克洛奇

IPC: C08G61/12 ,  H01B1/12 ,  H01L51/00

CPC classification number: C09K11/06 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1491 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/5048 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及包含稠合硒吩环的聚合物，涉及它们作为半导体或电荷传输材料在光学、电光学或电子器件中的用途，和涉及包含它们的光学、电光学或电子器件。

公开(公告)号：CN101115783B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200680004606.6

申请日：2006-01-17

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： M·希尼 ,  I·麦克洛克 ,  M·吉尔斯 ,  G·科勒 ,  张卫民

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及制备区域规整的聚合物，尤其具有高的区域规整度的头尾(HT)聚(3-取代)噻吩的方法，和通过这一方法制备的新型聚合物，以及该新型聚合物作为半导体或电荷传输材料在光学、电光学或电子器件，其中包括场效应晶体管(FET)、电致发光、光生伏打和传感器器件中的用途，含该新型聚合物的FET和其它半导组件或材料。

公开(公告)号：CN101668763A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880013810.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： M·希尼 ,  张卫民 ,  L·麦克洛克

IPC: C07D495/04 ,  C07F7/08 ,  H01L51/00

CPC classification number: C07D495/04 ,  C07F7/0812

Abstract: 本发明涉及新型取代的二苯并[d，d′]苯并[1，2-b；4，5-b’]二噻吩(DBBDT)，它们的合成方法，包含它们的有机半导体材料、制品和层，和包含它们的电子器件，如有机场效应晶体管(OFET)。

公开(公告)号：CN101570533A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910147044.6

申请日：2005-01-31

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： M·黑奈 ,  张卫民 ,  S·蒂尔奈 ,  D·施帕罗韦 ,  M·什库诺夫 ,  I·麦卡洛克

IPC: C07D333/16 ,  C07D333/18 ,  C07D333/24 ,  C07D409/14 ,  C09K19/34 ,  C09K19/38 ,  C08G61/12 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及具有电荷输运性能的新型反应性介晶化合物，该化合物包含至少两个噻吩基团，涉及它们用作半导体或电荷输运材料，用于光学、电－光学或电子器件，例如液晶显示器，光学膜，用于薄膜晶体管液晶显示器的有机场效应晶体管(FET或OFET)，和集成电路器件如RFID标签，平板显示器中的电致发光器件中，和用于光电伏打和传感器器件中的用途，和涉及包含所述反应性介晶型电荷输运化合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。

公开(公告)号：CN101115783A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200680004606.6

申请日：2006-01-17

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： M·希尼 ,  I·麦克洛克 ,  M·吉尔斯 ,  G·科勒 ,  张卫民

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及制备区域规整的聚合物，尤其具有高的区域规整度的头尾(HT)聚(3－取代)噻吩的方法，和通过这一方法制备的新型聚合物，以及该新型聚合物作为半导体或电荷传输材料在光学、电光学或电子器件，其中包括场效应晶体管(FET)、电致发光、光生伏打和传感器器件中的用途，含该新型聚合物的FET和其它半导组件或材料。

公开(公告)号：CN101313008B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200680043937.0

申请日：2006-10-25

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： M·黑尼 ,  张卫民 ,  W·达菲 ,  I·麦克洛奇 ,  G·科勒

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及区域规整聚合物特别是具有高区域规整度的头-尾(HT)聚-(3-取代的)噻吩的制备方法，涉及通过本方法制备的新型聚合物，涉及该新型聚合物在包括场效应晶体管(FET)、电致发光、光电和传感器设备在内的光学、电光学或电子设备中作为半导体或电荷传送材料的用途，并涉及包含该新型聚合物的FET和其它半导电元件或材料。

公开(公告)号：CN101693722A

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200910173557.4

申请日：2005-05-13

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： M·黑内 ,  张卫民 ,  I·麦克洛奇

IPC: C07F7/18 ,  C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  C09K19/40 ,  C09K19/34 ,  C09K19/38 ,  C08G61/12 ,  H01B1/12 ,  C09K11/06 ,  G03G5/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54 ,  H01L27/28 ,  G09F9/00 ,  G09F9/33 ,  G09F9/35 ,  C12Q1/68

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D495/04 ,  C09K19/3491 ,  C09K19/38 ,  C09K19/408 ,  G03G5/0609 ,  G03G5/0614 ,  G03G5/0625 ,  G03G5/0629 ,  G03G5/0648 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0076 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及新型可聚合的噻吩并[3，2-b]噻吩，涉及它们作为半导体或电荷传输材料在如下方面中的用途：光学、电光学或电子器件，如例如液晶显示器，光学膜，用于薄膜晶体管液晶显示器的有机场效应晶体管(FET或OFET)和集成电路器件如RFID标签，平板显示器中的电致发光器件，和光致电压和传感器器件，和涉及包含该新型化合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。

公开(公告)号：CN101563389A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780046970.3

申请日：2007-12-08

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： M·希尼 ,  张卫民 ,  S·蒂尔尼 ,  I·麦克洛奇

IPC: C08G61/12 ,  H01B1/12 ,  H01L51/00

CPC classification number: C09K11/06 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1491 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/5048 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及包含稠合硒吩环的聚合物，涉及它们作为半导体或电荷传输材料在光学、电光学或电子器件中的用途，和涉及包含它们的光学、电光学或电子器件。