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公开(公告)号：CN107108607A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580062552.8
申请日：2015-11-17
申请人： 默克专利股份有限公司
IPC分类号： C07D471/04
摘要： 本发明涉及在碱性条件下的对映体纯的或对映体富集的吡喹酮的外消旋化的方法以及用于生产对映纯的或对映体富集的形式的(R)‑吡喹酮的方法，其包括外消旋化方法。
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公开(公告)号：CN105295948A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510902685.3
申请日：2012-03-07
申请人： 默克专利股份有限公司
CPC分类号： C09K19/3059 , C09K19/18 , C09K19/30 , C09K19/322 , C09K2019/183 , C09K2019/188 , C09K2219/11
摘要： 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式X的化合物组成其中参数具有在权利要求书中或者文中给出的含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在用于高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这类部件，以及涉及这些部件的生产和用途。根据本发明的部件特别适用于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线并非常特别用于所谓的可调谐“反射阵列”。
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公开(公告)号：CN102597168B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201080048996.3
申请日：2010-10-06
申请人： 默克专利股份有限公司
CPC分类号： C09K19/32 , C07C13/47 , C07C13/573 , C07C15/24 , C07C15/28 , C07C21/185 , C07C21/19 , C07C21/22 , C07C22/08 , C09K19/322 , C09K19/42 , C09K2219/11
摘要： 本发明涉及式(I)的化合物，其中基团A1-5的一个或多个表示1，4-亚萘基或者1，4-或9，10-亚蒽基，以及其他参数如权利要求1中定义。本发明此外还包括包含主题化合物的液晶介质、包含这些介质的用于高频技术的组件，特别是移相器和微波阵列天线。
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公开(公告)号：CN102639674A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080054498.X
申请日：2010-11-16
申请人： 默克专利股份有限公司
IPC分类号： C09K19/12
CPC分类号： C09K19/52 , C07C1/321 , C07C15/14 , C07C2531/24 , C09K19/12 , C09K2019/523 , C09K2219/11 , H01Q19/02
摘要： 本发明涉及用于高频技术或者用于电磁波谱的微波区域以及毫米波区域的器件，特征在于其含有由一种或者多种化合物组成的液晶介质，该一种或者多种化合物含有6至15个五元、六元或者七元环，优选1,4-连接的亚苯基环；或者特征在于其含有自身包含组分A的液晶介质，该组分A自身由一种或者多种所述的含有6至15个五元、六元或者七元环、优选1,4-连接的亚苯基环的化合物组成。本发明另外涉及式(I)的化合物，其中各个参数具有文中给出的含义，并涉及相应的新型液晶介质、其用途以及制备，以及涉及器件的生产和用途。根据本发明的器件特别适合用作微波和毫米波区域的移相器，用于微波和毫米波阵列天线且尤其适合于所谓的可调谐的“反射阵列”。
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公开(公告)号：CN102597168A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080048996.3
申请日：2010-10-06
申请人： 默克专利股份有限公司
CPC分类号： C09K19/32 , C07C13/47 , C07C13/573 , C07C15/24 , C07C15/28 , C07C21/185 , C07C21/19 , C07C21/22 , C07C22/08 , C09K19/322 , C09K19/42 , C09K2219/11
摘要： 本发明涉及式(I)的化合物，其中基团A1-5的一个或多个表示1，4-亚萘基或者1，4-或9，10-亚蒽基，以及其他参数如权利要求1中定义。本发明此外还包括包含主题化合物的液晶介质、包含这些介质的用于高频技术的组件，特别是移相器和微波阵列天线。
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公开(公告)号：CN107001359B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201580062851.1
申请日：2015-11-19
申请人： 默克专利股份有限公司
IPC分类号： C07D471/04 , C07D217/14 , C07C59/64 , C07C59/84
摘要： 本发明涉及用于制备对映纯的或对映富集的吡喹酮前体的方法和涉及包括制备吡喹酮前体的方法的用于制备对映纯的或对映富集的吡喹酮的方法。本发明还涉及可用于这样的方法中的化合物或中间体。
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公开(公告)号：CN105295948B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510902685.3
申请日：2012-03-07
申请人： 默克专利股份有限公司
CPC分类号： C09K19/3059 , C09K19/18 , C09K19/30 , C09K19/322 , C09K2019/183 , C09K2019/188 , C09K2219/11
摘要： 本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种式X的化合物组成其中参数具有在权利要求书中或者文中给出的含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在用于高频技术的部件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这类部件，以及涉及这些部件的生产和用途。根据本发明的部件特别适用于在微波和毫米波区域中的移相器，用于微波和毫米波阵列天线并非常特别用于所谓的可调谐“反射阵列”。
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公开(公告)号：CN105473686A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046608.6
申请日：2014-08-11
申请人： 默克专利股份有限公司
CPC分类号： C07C15/18 , C07C13/47 , C07C13/573 , C07C15/24 , C07C25/24 , C07D213/24 , C07D307/36 , C07D307/38 , C07D333/10 , C07D333/12 , C09K19/18 , C09K19/32 , C09K19/322 , C09K19/3405 , C09K19/3444 , C09K19/3447 , C09K19/3491 , C09K2019/181 , C09K2219/11
摘要： 本发明涉及式I的化合物其中参数各个具有在说明书中给出的含义，涉及其用于高频组件的用途，涉及包含所述化合物的液晶介质，并涉及包含这些介质的高频组件，特别是天线，尤其是用于千兆赫范围。液晶介质例如用于可调谐的“相控阵”天线的微波的相移。
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公开(公告)号：CN103562166A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280025749.0
申请日：2012-05-14
申请人： 默克专利股份有限公司
发明人： C·雅斯佩
IPC分类号： C07C25/18 , C07C253/30 , C07C255/50
CPC分类号： C07C25/13 , C07C17/12 , C07C17/263 , C07C17/266 , C07C25/24 , C07C255/50 , C07C2601/02
摘要： 本发明涉及式I的化合物，例如1-溴-3-卤-2-环烷基苯化合物，及由所述化合物出发制备式IV的化合物，例如1,2,3,4-四取代的低聚亚苯基的用途。
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公开(公告)号：CN103492530A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280019617.7
申请日：2012-03-28
申请人： 默克专利股份有限公司
CPC分类号： C09K19/3059 , C07C25/24 , C07C2601/02 , C09K19/18 , C09K19/30 , C09K19/322 , C09K2019/188 , C09K2219/11
摘要： 本发明涉及式(I)所示的化合物，其用于高频组件的用途，包含所述化合物的液晶介质以及包含所述介质的高频组件，特别是天线，尤其是用于千兆赫范围的。液晶介质用于例如可调谐的“相控阵”天线的微波移相器。
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