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公开(公告)号:CN104736470B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201380049104.5
申请日:2013-07-22
申请人: 麦卡提斯有限责任公司
IPC分类号: B81C1/00 , G01N15/14 , G01N33/543 , B01L3/00 , B81C99/00
CPC分类号: H01G13/06 , B01J2219/005 , B01J2219/00502 , B01J2219/00536 , B01J2219/00556 , B01J2219/00637 , B01L3/502707 , B01L3/502761 , B01L3/508 , B01L3/54 , B01L3/545 , B01L2200/0647 , B01L2200/10 , B01L2200/12 , B01L2300/0803 , B01L2300/0819 , B01L2300/0851 , B01L2300/0893 , B81B2201/058 , B81B2201/06 , B81C99/008 , G01N33/54313
摘要: 本发明涉及一种用于制造微载体的方法,其包含下列步骤:(a)提供一种具有夹层结构的晶片(6),其包含底层(7),顶层(8)和位于所述的底层和顶层(7,8)之间的绝缘层(9),(b)蚀刻掉顶层(8)以勾画微载体的本体(11)的侧壁(12),(c)至少在本体(11)的上表面(14)上沉积第一活性层(13),(d)将连续的聚合物层(16)涂覆在第一活性层(13)上,(e)蚀刻掉底层(7)和绝缘层(9),(f)去除聚合物层(16)以释放微载体。
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公开(公告)号:CN104640804B
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201380049044.7
申请日:2013-07-23
申请人: 麦卡提斯有限责任公司
IPC分类号: B81C1/00 , G01N15/14 , G01N33/543 , B01L3/00
CPC分类号: G01N33/5306 , B01L3/502707 , B01L3/502761 , B01L3/545 , B01L2200/0647 , B01L2200/10 , B01L2200/12 , B01L2300/0803 , B01L2300/0819 , B01L2300/0893 , C23F1/02 , G01N33/54373
摘要: 根据本发明的方法包括提供一种具有底层(16),第一舍弃顶层(17)和绝缘层(18)的晶片(15),设计第一舍弃层的结构以形成第一结构层被沉积在其上的三维结构,从而在第一结构层的下表面上勾勒出对应的三维结构。该方法也包括在第一结构层的上表面上形成第二个三维结构。
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公开(公告)号:CN104736470A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201380049104.5
申请日:2013-07-22
申请人: 麦卡提斯有限责任公司
IPC分类号: B81C1/00 , G01N15/14 , G01N33/543 , B01L3/00 , B81C99/00
CPC分类号: H01G13/06 , B01J2219/005 , B01J2219/00502 , B01J2219/00536 , B01J2219/00556 , B01J2219/00637 , B01L3/502707 , B01L3/502761 , B01L3/508 , B01L3/54 , B01L3/545 , B01L2200/0647 , B01L2200/10 , B01L2200/12 , B01L2300/0803 , B01L2300/0819 , B01L2300/0851 , B01L2300/0893 , B81B2201/058 , B81B2201/06 , B81C99/008 , G01N33/54313
摘要: 本发明涉及一种用于制造微载体的方法,其包含下列步骤:(a)提供一种具有夹层结构的晶片(6),其包含底层(7),顶层(8)和位于所述的底层和顶层(7,8)之间的绝缘层(9),(b)蚀刻掉顶层(8)以勾画微载体的本体(11)的侧壁(12),(c)至少在本体(11)的上表面(14)上沉积第一活性层(13),(d)将连续的聚合物层(16)涂覆在第一活性层(13)上,(e)蚀刻掉底层(7)和绝缘层(9),(f)去除聚合物层(16)以释放微载体。
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公开(公告)号:CN104640804A
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201380049044.7
申请日:2013-07-23
申请人: 麦卡提斯有限责任公司
IPC分类号: B81C1/00 , G01N15/14 , G01N33/543 , G01L3/00
CPC分类号: G01N33/5306 , B01L3/502707 , B01L3/502761 , B01L3/545 , B01L2200/0647 , B01L2200/10 , B01L2200/12 , B01L2300/0803 , B01L2300/0819 , B01L2300/0893 , C23F1/02 , G01N33/54373
摘要: 根据本发明的方法包括提供一种具有底层(16),第一舍弃顶层(17)和绝缘层(18)的晶片(15),设计第一舍弃层的结构以形成第一结构层被沉积在其上的三维结构,从而在第一结构层的下表面上勾勒出对应的三维结构。该方法也包括在第一结构层的上表面上形成第二个三维结构。
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