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公开(公告)号:CN116964936A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202280019650.3
申请日:2022-02-23
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H03H11/04
摘要: 一种示例装置包括多相跨导‑电容器滤波器。多相滤波器包括DC偏置电压节点、正同相滤波器单元、负同相滤波器单元,正正交相位滤波器单元和负正交相位滤波器单元。每个滤波器单元分别包括输入节点、输出节点和控制节点。多相滤波器还包括正同相开关和负同相开关。正同相开关耦合到正同相滤波器单元的控制节点、DC偏置电压节点,以及正正交相位滤波器单元和负正交相位滤波器单元中的一者或两者的输入节点。负同相开关耦合到负同相滤波器单元的控制节点、DC偏置电压节点,以及正正交相位滤波器单元和负正交相位滤波器单元中的一者或两者的输入节点。
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公开(公告)号:CN111213321A
公开(公告)日:2020-05-29
申请号:CN201880066477.6
申请日:2018-10-02
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 在某些方面,一种电路包括被配置为接收射频(RF)信号的低噪声放大器(LNA)、耦合到低噪声放大器(LNA)的第一混频器和耦合到第一混频器的第一跨阻滤波器。第一跨阻滤波器包括被配置为双端接的LC梯型滤波器的一部分的可调谐电感器和电容器(LC)网络和耦合到可调谐电感器和电容器(LC)网络的跨阻放大器(TIA)。该电路还包括耦合到低噪声放大器(LNA)的第二混频器和耦合到第二混频器的第二跨阻滤波器。
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公开(公告)号:CN110581713A
公开(公告)日:2019-12-17
申请号:CN201910918476.6
申请日:2015-05-08
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 公开了一种具有多个低噪声放大器模块的射频(RF)前端。在示例性实施例中,设备包括配置用于放大已接收载波信号以产生至少一个第一级载波群组的至少一个第一级放大器。每个第一级载波群组包括载波信号的相应一部分。设备也包括配置用于放大第一级载波群组的第二级放大器。每个第二级放大器配置用于放大相应第一级载波群组以产生两个第二级输出信号,其可以输出至不同的解调级而每个解调级解调了选定的载波信号。
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公开(公告)号:CN106688188A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201580026902.5
申请日:2015-05-04
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 使用多个频率合成器以及多个载波聚合(CA)接收器(Rx)链和发射器(Tx)链重配置收发器设计,该方法包括:将第一频率合成器连接到第一CA Tx链;将多个频率合成器连接到多个CA Rx链,其中多个频率合成器中的第二频率合成器作为共享合成器被连接到第一CA Rx链和第二CA Tx链。
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公开(公告)号:CN102577123B
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201080047529.9
申请日:2010-10-21
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H03K17/687 , H03K19/0185 , H03K19/20 , H03K19/003
CPC分类号: H03K19/018521 , H03K17/6872 , H03K19/00361 , H03K19/20
摘要: 用于压控振荡器(VCO)的RF缓冲器电路包括动态偏置电路以选择性对输出电压波形的相位进行翻转。在CMOS的实施方式中,在输出路径上应用PMOS/NMOS对。在高(电压)摆幅模式状况期间,对输出的相位进行翻转使得输出波形与出现在PMOS/NMOS对的栅极处的电压同相。由此该技术减小了栅极到漏极的峰值电压,并且允许采用经得起低相位噪声和低功耗的配置的MOS器件的可靠性提高。
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公开(公告)号:CN114503443A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202080067372.X
申请日:2020-09-22
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 一种基于转换器的天线切换网络,其包括转换器,所述转换器具有在第一端子与第二端子之间延伸的次级绕组。第一端子通过第一开关耦合到地,并连接到第一天线。第二端子通过第二开关耦合到地,并连接到第二天线。
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公开(公告)号:CN106464277B
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201580025198.1
申请日:2015-05-08
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 公开了一种具有多个低噪声放大器模块的射频(RF)前端。在示例性实施例中,设备包括配置用于放大已接收载波信号以产生至少一个第一级载波群组的至少一个第一级放大器。每个第一级载波群组包括载波信号的相应一部分。设备也包括配置用于放大第一级载波群组的第二级放大器。每个第二级放大器配置用于放大相应第一级载波群组以产生两个第二级输出信号,其可以输出至不同的解调级而每个解调级解调了选定的载波信号。
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公开(公告)号:CN106688188B
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201580026902.5
申请日:2015-05-04
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 使用多个频率合成器以及多个载波聚合(CA)接收器(Rx)链和发射器(Tx)链重配置收发器设计,该方法包括:将第一频率合成器连接到第一CA Tx链;将多个频率合成器连接到多个CA Rx链,其中多个频率合成器中的第二频率合成器作为共享合成器被连接到第一CA Rx链和第二CA Tx链。
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公开(公告)号:CN106464276A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580025166.1
申请日:2015-04-03
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H04B1/00
摘要: 本公开的某些方面提供了具有多个合成器的多路分集接收器。这样的多路分集接收器可以被实施在载波聚合(CA)收发器中。一个示例无线接收分集电路一般包括用于处理所接收的信号的三个或更多接收路径、以及被配置为生成本振信号以对所接收的信号下变频的两个或更多频率合成电路。频率合成电路中的每个频率合成电路由接收路径中的至多两个接收路径共享,并且频率合成电路中的每对频率合成电路可以生成具有相同频率的一对本振信号。
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公开(公告)号:CN104168008A
公开(公告)日:2014-11-26
申请号:CN201410381644.X
申请日:2010-10-21
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H03K17/687 , H03K19/0185 , H03K19/20 , H03K19/003
CPC分类号: H03K19/018521 , H03K17/6872 , H03K19/00361 , H03K19/20
摘要: 用于压控振荡器(VCO)的RF缓冲器电路包括动态偏置电路以选择性对输出电压波形的相位进行翻转。在CMOS的实施方式中,在输出路径上应用PMOS/NMOS对。在高(电压)摆幅模式状况期间,对输出的相位进行翻转使得输出波形与出现在PMOS/NMOS对的栅极处的电压同相。由此该技术减小了栅极到漏极的峰值电压,并且允许采用经得起低相位噪声和低功耗的配置的MOS器件的可靠性提高。
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