发明授权
- 专利标题： 具有动态偏置的RF缓冲器电路
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申请号： CN201080047529.9申请日： 2010-10-21
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公开(公告)号： CN102577123B公开(公告)日： 2016-03-16
- 发明人: R·兰加拉詹 , C·米什拉
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 张伟; 王英
- 优先权： 12/603,379 2009.10.21 US
- 国际申请： PCT/US2010/053627 2010.10.21
- 国际公布： WO2011/050214 EN 2011.04.28
- 进入国家日期： 2012-04-20
- 主分类号： H03K17/687
- IPC分类号： H03K17/687 ; H03K19/0185 ; H03K19/20 ; H03K19/003
摘要：
用于压控振荡器(VCO)的RF缓冲器电路包括动态偏置电路以选择性对输出电压波形的相位进行翻转。在CMOS的实施方式中，在输出路径上应用PMOS/NMOS对。在高(电压)摆幅模式状况期间，对输出的相位进行翻转使得输出波形与出现在PMOS/NMOS对的栅极处的电压同相。由此该技术减小了栅极到漏极的峰值电压，并且允许采用经得起低相位噪声和低功耗的配置的MOS器件的可靠性提高。
公开/授权文献
- CN102577123A 具有动态偏置的RF缓冲器电路 公开/授权日：2012-07-11
IPC分类:
