存储体组交错
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114616556A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202080076307.3

    申请日:2020-10-01

    Abstract: 可以通过增加存储体组和存储体交错来提高SDRAM系统中的存储器利用率。存储体组交错和存储体交错可以通过存储器控制器生成其中存储体组地址位相较于物理存储器地址的MSB更靠近LSB被定位的物理存储器地址来增加。替代地,或者除了以这种方式定位存储体组地址位之外,还可以通过将物理存储器地址的存储体组地址位和存储体地址位与初始的物理存储器地址的行地址位进行散列处理来增加存储体组交错和存储体交错。存储列地址位也可以被包含在该散列处理中。

    存储体组交错
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114616556B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202080076307.3

    申请日:2020-10-01

    Abstract: 可以通过增加存储体组和存储体交错来提高SDRAM系统中的存储器利用率。存储体组交错和存储体交错可以通过存储器控制器生成其中存储体组地址位相较于物理存储器地址的MSB更靠近LSB被定位的物理存储器地址来增加。替代地,或者除了以这种方式定位存储体组地址位之外,还可以通过将物理存储器地址的存储体组地址位和存储体地址位与初始的物理存储器地址的行地址位进行散列处理来增加存储体组交错和存储体交错。存储列地址位也可以被包含在该散列处理中。

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