在大面积上生产高度有序的纳米柱或纳米孔结构的方法

    公开(公告)号:CN103402908B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201180049660.3

    申请日:2011-10-12

    Abstract: 本发明涉及一种特别在大面积上生产高度有序的纳米柱或纳米孔结构的改进方法,所述结构可用作NIL、热压印或注射成型工艺中的母模。所述方法涉及以下步骤:使用通过胶束嵌段共聚物纳米光刻工艺制成的金属纳米粒子的有序阵列装饰表面;以50?500nm的深度将主基底蚀刻,其中所述纳米粒子作为掩膜,并且由此制备了对应于所述纳米粒子位置的纳米柱或纳米锥的有序阵列;在结构化过程使用纳米结构化的母模或者模板。而且,已完成的纳米结构化的基底表面可以用作涂覆有连续的金属层的牺牲母模,并且然后将该母模蚀刻掉,以留下具有纳米孔的有序阵列的金属模板,其中所述纳米孔的有序阵列为纳米柱或纳米锥原始阵列的负阵列。

    在大面积上生产高度有序的纳米柱或纳米孔结构的方法

    公开(公告)号:CN103402908A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201180049660.3

    申请日:2011-10-12

    Abstract: 本发明涉及一种特别在大面积上生产高度有序的纳米柱或纳米孔结构的改进方法,所述结构可用作NIL、热压印或注射成型工艺中的母模。所述方法涉及以下步骤:使用通过胶束嵌段共聚物纳米光刻工艺制成的金属纳米粒子的有序阵列装饰表面;以50-500nm的深度将主基底蚀刻,其中所述纳米粒子作为掩膜,并且由此制备了对应于所述纳米粒子位置的纳米柱或纳米锥的有序阵列;在结构化过程使用纳米结构化的母模或者模板。而且,已完成的纳米结构化的基底表面可以用作涂覆有连续的金属层的牺牲母模,并且然后将该母模蚀刻掉,以留下具有纳米孔的有序阵列的金属模板,其中所述纳米孔的有序阵列为纳米柱或纳米锥原始阵列的负阵列。

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