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公开(公告)号：CN112646966B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202011495799.8
申请日：2020-12-17
申请人： 首钢智新迁安电磁材料有限公司 , 北京首钢股份有限公司
IPC分类号： C21D8/12
摘要： 本发明属于硅钢制备技术领域，具体涉及一种无底层取向硅钢的制备方法。其中，所述脱碳退火的过程中，带钢表层的氧化膜厚度为1.5～2.5μm；所述氧化膜中Si元素和Fe元素的原子重量比满足：Si/(Si+Fe)≥0.76；所述高温退火的过程中，冷却段依次包括：在温度为1200～500℃时，罩内冷却；其中，保护气体为包括有氮气和氢气的混合气体，所述混合气体中氢气的体积百分比＞3％；在温度为500～200℃时，罩内冷却；其中，保护气体为氮气；在温度＜200℃时，揭开内罩进行空气冷却。本发明提供的无底层取向硅钢的制备方法中，通过控制带钢在脱碳退火阶段的氧化膜厚度以及高温退火的冷却段等一些工艺，从而得到了表面光洁化好、表面均质化好、成材率高、磁性能优良的无底层取向硅钢。
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公开(公告)号：CN109880982A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910152319.9
申请日：2019-02-28
申请人： 首钢智新迁安电磁材料有限公司 , 北京首钢股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种提高取向硅钢MgO隔离剂涂覆质量的方法，步骤包括：在MgO浆液配制过程中，添加以水重量百分比计算0.1‰～5‰的消泡剂，然后使用辊涂式涂机将该MgO浆液涂覆至带钢上下表面。本发明解决了取向硅钢MgO隔离剂涂覆中产生的带钢纵向条纹缺陷，提升了表面涂覆均匀性。该方法操作简便，成本低廉，不对环境造成污染。
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公开(公告)号：CN109142415B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811300377.3
申请日：2018-11-02
申请人： 首钢智新迁安电磁材料有限公司 , 北京首钢股份有限公司
IPC分类号： G01N23/2251 , G01N23/2202
摘要： 本发明公开了一种取向硅钢中抑制剂的分析方法，制截面金相样，采用非水基溶液电解侵蚀截面并限制一定的电解参数，采用场发射扫描电镜观察、统计取向硅钢截面任意厚度位置抑制剂，实现了对不同厚度规格取向硅钢截面抑制剂的尺寸、数量精准观察及统计，能够得到抑制剂粒子的形貌、成分和数量等信息，截面作为样品的待观测面，能够快速、直观的分析抑制剂在样品中不同深度部位的分布规律，相对于传统的制样和观测方法，本方法具有制样简单、工作高效、统计性准确的优势。
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公开(公告)号：CN109254022A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811241087.6
申请日：2018-10-24
申请人： 首钢智新迁安电磁材料有限公司 , 北京首钢股份有限公司
IPC分类号： G01N23/203 , G01N23/2251
摘要： 本发明公开了一种测量晶粒尺寸的方法，包括切割待测硅钢样品，将待测硅钢样品待测面进行机械研磨和抛光，去除因制样导致的应力变形区；用千分尺测量待测硅钢样品的实际厚度；将待测硅钢样品固定在70°预倾斜样品台的xy平面上，并保证待测硅钢样品与所述样品台的导电性；将待测硅钢样品放入扫描电镜样品室中，设置电镜的倾转补偿角为70°；调节电镜参数，在电镜扫描模式下测量待测硅钢样品第一厚度；微调倾转补偿角，测量待测硅钢样品第二厚度，使第二厚度与实际厚度数值之差小于20μm；对样品待测面进行EBSD检测，获得EBSD测量数据；对测量数据进行降噪处理后、计算晶粒尺寸、筛选数据、输出结果。
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公开(公告)号：CN112646966A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011495799.8
申请日：2020-12-17
申请人： 首钢智新迁安电磁材料有限公司 , 北京首钢股份有限公司
IPC分类号： C21D8/12
摘要： 本发明属于硅钢制备技术领域，具体涉及一种无底层取向硅钢的制备方法。其中，所述脱碳退火的过程中，带钢表层的氧化膜厚度为1.5～2.5μm；所述氧化膜中Si元素和Fe元素的原子重量比满足：Si/(Si+Fe)≥0.76；所述高温退火的过程中，冷却段依次包括：在温度为1200～500℃时，罩内冷却；其中，保护气体为包括有氮气和氢气的混合气体，所述混合气体中氢气的体积百分比＞3％；在温度为500～200℃时，罩内冷却；其中，保护气体为氮气；在温度＜200℃时，揭开内罩进行空气冷却。本发明提供的无底层取向硅钢的制备方法中，通过控制带钢在脱碳退火阶段的氧化膜厚度以及高温退火的冷却段等一些工艺，从而得到了表面光洁化好、表面均质化好、成材率高、磁性能优良的无底层取向硅钢。
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公开(公告)号：CN109628717A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811505869.6
申请日：2018-12-10
申请人： 首钢智新迁安电磁材料有限公司 , 北京首钢股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种底层优良的低温高磁感取向硅钢制造技术，属取向硅钢制造技术领域，目的是获得优异的底层附着性、良好的表面光洁度以及大张力底层。主要技术特征是：(1)控制冷轧后带钢表面粗糙度Ra小于0.25；(2)控制脱碳退火后带钢表层氧化膜生成量(单面)为2.5～3.5μm，且氧化膜中Si和Fe元素的原子重量比满足Fe/(Si+Fe)＝0.08～0.25；(3)向高温退火MgO隔离剂中加入一定量的至少1种一次粒径＜200nm纳米形核剂和一定量的至少1种熔点低于950℃低熔点化合物，包含1种以上熔点低于800℃化合物。
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公开(公告)号：CN109142415A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811300377.3
申请日：2018-11-02
申请人： 首钢智新迁安电磁材料有限公司 , 北京首钢股份有限公司
IPC分类号： G01N23/2251 , G01N23/2202
CPC分类号： G01N23/2251 , G01N23/2202
摘要： 本发明公开了一种取向硅钢中抑制剂的分析方法，制截面金相样，采用非水基溶液电解侵蚀截面并限制一定的电解参数，采用场发射扫描电镜观察、统计取向硅钢截面任意厚度位置抑制剂，实现了对不同厚度规格取向硅钢截面抑制剂的尺寸、数量精准观察及统计，能够得到抑制剂粒子的形貌、成分和数量等信息，截面作为样品的待观测面，能够快速、直观的分析抑制剂在样品中不同深度部位的分布规律，相对于传统的制样和观测方法，本方法具有制样简单、工作高效、统计性准确的优势。
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公开(公告)号：CN109254022B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811241087.6
申请日：2018-10-24
申请人： 首钢智新迁安电磁材料有限公司 , 北京首钢股份有限公司
IPC分类号： G01N23/203 , G01N23/2251
摘要： 本发明公开了一种测量晶粒尺寸的方法，包括切割待测硅钢样品，将待测硅钢样品待测面进行机械研磨和抛光，去除因制样导致的应力变形区；用千分尺测量待测硅钢样品的实际厚度；将待测硅钢样品固定在70°预倾斜样品台的xy平面上，并保证待测硅钢样品与所述样品台的导电性；将待测硅钢样品放入扫描电镜样品室中，设置电镜的倾转补偿角为70°；调节电镜参数，在电镜扫描模式下测量待测硅钢样品第一厚度；微调倾转补偿角，测量待测硅钢样品第二厚度，使第二厚度与实际厚度数值之差小于20μm；对样品待测面进行EBSD检测，获得EBSD测量数据；对测量数据进行降噪处理后、计算晶粒尺寸、筛选数据、输出结果。
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公开(公告)号：CN109628717B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201811505869.6
申请日：2018-12-10
申请人： 首钢智新迁安电磁材料有限公司 , 北京首钢股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种底层优良的低温高磁感取向硅钢制造技术，属取向硅钢制造技术领域，目的是获得优异的底层附着性、良好的表面光洁度以及大张力底层。主要技术特征是：(1)控制冷轧后带钢表面粗糙度Ra小于0.25；(2)控制脱碳退火后带钢表层氧化膜生成量(单面)为2.5～3.5μm，且氧化膜中Si和Fe元素的原子重量比满足Fe/(Si+Fe)＝0.08～0.25；(3)向高温退火MgO隔离剂中加入一定量的至少1种一次粒径＜200nm纳米形核剂和一定量的至少1种熔点低于950℃低熔点化合物，包含1种以上熔点低于800℃化合物。
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公开(公告)号：CN113088815A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110326532.4
申请日：2021-03-26
申请人： 首钢智新迁安电磁材料有限公司 , 北京首钢股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种低磁场条件下高磁感应强度无取向电工钢及生产方法，步骤包括：冶炼：炼钢、连铸生产铸坯，所述铸坯中：以质量百分比计，Si2.0％、Mn0.2‑0.5％、ALs0.3‑0.6％、N≤0.002％、S≤0.002％、Ca≤0.001％，余量为Fe及不可避免的杂质；板坯热轧、卷取；常化处理；退火处理。本发明通过合理的电工钢成分设定、生产工艺、稳定的控制精度，从一贯制角度对产品进行设计及控制，最终能够保证产品质量稳定、具有低磁场条件下高磁感应强度的Si含量2％的0.35mm厚度无取向电工钢产品。
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