- 专利标题: 一种底层优良的低温高磁感取向硅钢制造方法
- 专利标题(英): Manufacturing method of low-temperature and high-magnetic-induction oriented silicon steel with excellent bottom layer
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申请号: CN201811505869.6申请日: 2018-12-10
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公开(公告)号: CN109628717A公开(公告)日: 2019-04-16
- 发明人: 王现辉 , 孙茂林 , 龚坚 , 贺小国 , 刘兆月 , 胡志远 , 游学昌 , 滕仁昊
- 申请人: 首钢智新迁安电磁材料有限公司 , 北京首钢股份有限公司
- 申请人地址: 河北省唐山市迁安市西部工业区兆安街025号;
- 专利权人: 首钢智新迁安电磁材料有限公司,北京首钢股份有限公司
- 当前专利权人: 首钢智新电磁材料(迁安)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 064400 河北省唐山市河北迁安经济开发区兆安街025号
- 代理机构: 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 马苗苗
- 主分类号: C21D8/12
- IPC分类号: C21D8/12 ; C22C38/34 ; C22C38/04 ; C22C38/06 ; C22C38/20
摘要:
本发明提供了一种底层优良的低温高磁感取向硅钢制造技术,属取向硅钢制造技术领域,目的是获得优异的底层附着性、良好的表面光洁度以及大张力底层。主要技术特征是:(1)控制冷轧后带钢表面粗糙度Ra小于0.25;(2)控制脱碳退火后带钢表层氧化膜生成量(单面)为2.5~3.5μm,且氧化膜中Si和Fe元素的原子重量比满足Fe/(Si+Fe)=0.08~0.25;(3)向高温退火MgO隔离剂中加入一定量的至少1种一次粒径<200nm纳米形核剂和一定量的至少1种熔点低于950℃低熔点化合物,包含1种以上熔点低于800℃化合物。
公开/授权文献
- CN109628717B 一种底层优良的低温高磁感取向硅钢制造方法 公开/授权日:2020-09-29