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公开(公告)号：CN118742188A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410766521.1
申请日：2024-06-14
申请人： 青岛海存微电子有限公司 , 致真存储(北京)科技有限公司
摘要： 本申请提供一种磁存储器及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决写入效率低且工艺复杂的问题。该磁存储器包括：第一介质层、第一电极、磁隧道结、第二电极、隔离层和连接层。第一电极、磁隧道结和第二电极依次叠置，且第一电极设置在第一介质层上，连接层设置在第一介质层上且设置在磁隧道结的两侧，连接层还与第二电极相接触，隔离层设置在连接层和磁隧道结之间，以及连接层和第一电极之间；第二电极为自旋轨道矩层。利用连接层与第二电极串联，实现第二电极的外接，通过控制连接层的材质，可以降低连接层的电阻，从而降低电流分流，提高写入效率。连接层成型方便，可以通过沉积形成，无需光刻刻蚀，可以降低磁存储器制备工艺的复杂度。
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公开(公告)号：CN118973270A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411441862.8
申请日：2024-10-16
申请人： 青岛海存微电子有限公司
摘要： 本申请提供一种磁阻随机存储器及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决数据写入存储的可靠性低的技术问题，该磁阻随机存储器包括：衬底、设置于衬底上的底电极层和设置于底电极层上的至少两个磁隧道结；底电极层包括依次连接的至少两个电极部，相邻两个电极部之间具有夹角，且相邻两个电极部之间不共线；各电极部上具有至少一个磁隧道结；当向底电极层施加写入电流时，至少两个磁隧道结中的一者具有第一阻态，至少两个磁隧道结中的另一者具有第二阻态，以使至少两个磁隧道结之间的电阻形成差分态。本申请能够提高数据写入的成功率，从而提高磁阻随机存储器的数据存储的可靠性。
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公开(公告)号：CN118969039A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411441868.5
申请日：2024-10-16
申请人： 青岛海存微电子有限公司
摘要： 本申请提供了一种写入电路、方法以及阵列，包括用于产生多个脉冲信号的多脉冲发生模块；其中，多个脉冲信号包括多个依次交叠的第一脉冲信号和第二脉冲信号，第一脉冲信号和第二脉冲信号的写入方向相反；第一脉冲信号的幅值呈逐渐递减趋势，且处于相邻两个第一脉冲信号之间的第二脉冲信号的幅值小于相邻两个第一脉冲信号的幅值，和/或，第一脉冲信号的脉宽呈逐渐递减趋势，且处于相邻两个第一脉冲信号之间的第二脉冲信号的脉宽小于相邻两个第一脉冲信号的脉宽；通过多个脉冲信号使处于中间状态的磁存储器进行确定性翻转。本申请能够提供一种不需要优化MTJ刻蚀工艺，就能够提高磁存储器件的数据写入成功率的技术方案。
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公开(公告)号：CN118678695A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411170463.2
申请日：2024-08-26
申请人： 青岛海存微电子有限公司
摘要： 本申请提供一种半导体存储器件及其形成方法，涉及半导体技术领域，用于提高半导体存储器件的转化效率，降低短路。该形成方法包括：在底电极层上形成多个磁隧道结，磁隧道结的侧壁具有残余物，残余物接触底电极层；形成残余物覆盖层，包括第一残余物覆盖层和第二残余物覆盖层，第一残余物覆盖层覆盖残余物，第二残余物覆盖层覆盖相邻残余物之间的底电极层；第一残余物覆盖层的上表面不高于第二残余物覆盖层的上表面；刻蚀去除残余物和第一残余物覆盖层，暴露与磁隧道结的侧壁接触的底电极层。残余物和第一残余物覆盖层可以同步去除，从而保证残余物完全去除，提高器件矫顽力，降低对底电极层的分流，提高转换效率。
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公开(公告)号：CN118574503A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411046646.3
申请日：2024-08-01
申请人： 青岛海存微电子有限公司
摘要： 本申请提供一种复合膜层结构及其制作方法、磁存储器，涉及半导体技术领域，用于解决提高热稳定性和降低写入功率难以同时兼容的技术问题。该复合膜层结构包括第一磁性层、晶格分离层、诱导层和第二磁性层；第一磁性层、晶格分离层和第二磁性层依次堆叠设置，诱导层包括至少一个岛状分体或者诱导层为两端厚度不同的连续膜层，诱导层设置在第一磁性层，和/或，设置在第一磁性层朝向晶格分离层的一侧。诱导层和晶格分离层相配合，增强第一磁性层与第二磁性层之间的耦合，并减少两者之间的晶格结构的影响，使第一磁性层与第二磁性层可以更加同步翻转，提高写入效率。诱导层与晶格分离层接触，可以缓解诱导层表面的不平整度，进一步提升器件性能。
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公开(公告)号：CN118555902A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410701804.8
申请日：2024-05-31
申请人： 青岛海存微电子有限公司 , 致真存储(北京)科技有限公司
摘要： 本申请提供一种磁存储器及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决制备困难的技术问题。该磁存储器包括：依次叠置的第一电极、第一磁隧道结、间隔层、第二磁隧道结、第二电极和至少一个隔离结构，以及至少两个互连电极；其中，第一磁隧道结和第二磁隧道结均至少包括依次叠置的自由层、势垒层和参考层，且参考层邻近间隔层，第二电极的两端分别外伸于隔离结构的两端，互连电极与第二电极接触，且相邻两个互连电极之间由隔离结构隔开，隔离结构通过硬掩膜微缩的方式制备得到。并且，隔离结构通过硬掩膜微缩的方式制备得到，制备工艺简单，便于实现隔离结构的自对准，降低磁存储器的制备难度。
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