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公开(公告)号：CN107924959A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680044548.3
申请日：2016-08-01
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 纽升股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0749 , H01L31/032 , C23C14/58 , H01L21/02 , C23C14/06
CPC分类号： H01L31/03928 , C23C14/0623 , C23C14/5866 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/0257 , H01L21/02614 , H01L21/02664 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
摘要： 本公开涉及光伏装置，包括具有由至少第一区域、第二区域和第三区域界定的组成分布的含硫族化物的光伏光吸收剂。所述第二区域位于所述第一区域与所述第三区域与之间。所述含硫族化物的光伏光吸收剂的每一区域包括Cu、In、Ga、Al和至少一种硫族元素。所述第二区域中存在的Al浓度小于所述第一区域和所述第三区域中的每一个中存在的Al浓度。还公开制造这类含硫族化物的光伏光吸收剂的方法。
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公开(公告)号：CN109844980A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780064870.7
申请日：2017-10-20
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司
发明人： R·D·格里格 , L·P·斯宾塞 , J·W·克雷默 , D·D·德沃尔 , B·古德费洛 , 刘淳 , S·穆克霍培德海耶 , T·H·彼得森 , W·H·H·伍德沃德 , A·N·索科洛夫
IPC分类号： H01L51/54
摘要： 提供了一种有机发光二极管，其包括衬底、阳极层、任选的一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴传输层、任选的一个或多个电子阻挡层、发光层、任选的一个或多个空穴阻挡层、任选的一个或多个电子传输层、电子注入层和阴极，其中所述空穴注入层、或所述空穴传输层、或所述空穴注入层和所述空穴传输层两者、或用作空穴注入层和空穴传输层两者的层包括含有具有结构(S1)的一个或多个三芳基铵自由基阳离子的聚合物，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的每一个独立地选自由氢、氘、卤素、胺基、羟基、磺酸基、硝基和有机基团组成的组，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的两个或更多个任选地彼此连接形成环结构；其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34、R34和R35中的一个或多个与所述聚合物共价结合，并且其中A-是阴离子。
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公开(公告)号：CN109328402B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201780034785.6
申请日：2017-06-26
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： H01L51/54
摘要： 本发明提供一种量子点发光二极管，其包含i)由选自由以下组成的组的半导体材料制成的至少一种半导体纳米颗粒的发射层：II‑VI族化合物、II‑V族化合物、III‑VI族化合物、III‑V族化合物、IV‑VI族化合物、I‑III‑VI族化合物、II‑IV‑VI族化合物、II‑IV‑V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物；并且所述聚合物包含作为聚合单元的至少一种或多种具有第一单体结构的单体，所述第一单体结构包含a)可聚合基团；b)具有式NAr1Ar2Ar3的电活性基团，其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6‑C50芳香族取代基；和(c)连接所述可聚合基团和所述电活性基团的连接基团。
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公开(公告)号：CN109328402A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201780034785.6
申请日：2017-06-26
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： H01L51/54
CPC分类号： H01L51/502 , H01L51/5056
摘要： 本发明提供一种量子点发光二极管，其包含i)由选自由以下组成的组的半导体材料制成的至少一种半导体纳米颗粒的发射层：II-VI族化合物、II-V族化合物、III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、II-IV-V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物；并且所述聚合物包含作为聚合单元的至少一种或多种具有第一单体结构的单体，所述第一单体结构包含a)可聚合基团；b)具有式NAr1Ar2Ar3的电活性基团，其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6-C50芳香族取代基；和(c)连接所述可聚合基团和所述电活性基团的连接基团。
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公开(公告)号：CN109844979A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780064920.1
申请日：2017-06-26
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： H01L51/50
摘要： 本发明提供一种量子点发光二极管，其包括：i)至少一个由选自由以下组成的群组的半导体材料制得的半导体纳米粒子的发射层：第II-VI族化合物、第II-V族化合物、第III-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第I-III-VI族化合物、第II-IV-VI族化合物、第II-IV-V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物，其包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子。
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公开(公告)号：CN109844979B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201780064920.1
申请日：2017-06-26
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： H01L51/50
摘要： 本发明提供一种量子点发光二极管，其包括：i)至少一个由选自由以下组成的群组的半导体材料制得的半导体纳米粒子的发射层：第II‑VI族化合物、第II‑V族化合物、第III‑VI族化合物、第III‑V族化合物、第IV‑VI族化合物、第I‑III‑VI族化合物、第II‑IV‑VI族化合物、第II‑IV‑V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物，其包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子。
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公开(公告)号：CN109844981A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780064875.X
申请日：2017-10-20
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司
发明人： R·D·格里格 , L·P·斯宾塞 , J·W·克雷默 , D·D·德沃尔 , B·古德费洛 , 刘淳 , S·穆克霍培德海耶 , T·H·彼得森 , W·H·H·伍德沃德 , A·N·索科洛夫
IPC分类号： H01L51/54
摘要： 本发明提供一种有机发光二极管，其包括衬底、阳极层、任选的一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴传输层、任选的一个或多个电子阻挡层、发射层、任选的一个或多个空穴阻挡层、任选的一个或多个电子传输层、电子注入层和阴极，其中所述空穴注入层，或所述空穴传输层，或所述空穴注入层以及所述空穴传输层，或充当空穴注入层以及空穴传输层的层包括一种聚合物，所述聚合物包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的每一个独立地选自由以下组成的群组：氢、氚卤素、胺基、羟基、磺酸酯基、硝基和有机基团，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的两个或更多个任选地彼此连接以形成环结构；其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的一个或多个共价键结至所述聚合物，且其中A-为阴离子。
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