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    高分子量聚合物的聚合方法
    3.
    发明公开
    高分子量聚合物的聚合方法 有权

    公开(公告)号：CN104884483A

    公开(公告)日：2015-09-02

    申请号：CN201380069408.8

    申请日：2013-03-14

    Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司

    Inventor： L·P·斯宾塞 ,  J·M·基施纳

    IPC: C08F210/06 ,  C08F210/16 ,  C08F210/18

    CPC classification number: C08F232/04 ,  C07F7/00 ,  C08F4/62193 ,  C08F4/64193 ,  C08F10/02 ,  C08F210/06 ,  C08F210/14 ,  C08F210/16 ,  C08F236/20 ,  C08F2500/01 ,  C08F2500/03 ,  C08F2500/25

    Abstract: 本发明提供一种用于在存在如本文中所述的结构I金属络合物的情况下聚合乙烯的方法，所述金属络合物包含选自第3-6族中的一个的金属，所述金属通过氧和两个Z基团键结到芳基。所述芳基包含取代基R1a、R1aa到R15a、R15aa，其选自氢、卤基、烃基、三烃基硅烷基、三烃基硅烷基烃基、-O(R)、-N(R′R″)、-S(R″′)或-P(RIVRv)；并且每个R、R′、R″、R″′、RIV和RV如本文中所述。两个X基团也被键结到所述金属，并且各自是卤基、烃基或三烃基硅烷基。每个Z是O、S、N(C1-C40)烃基或P(C1-C40)烃基。基团Y和L形成所述Z基团之间的桥的一部分。Y是卤基、烃基、三烃基硅烷基、三烃基硅烷基烃基、-O(RVI)、-N(RVIIRVIII)、-S(RIX)或-P(RXRXI)；并且每个RVI、RVII、RVIII、RIX、RX和RXI如本文中所述。L是(C1-C40)亚烃基或(C1-C40)亚杂烃基。本发明还提供结构I。

    高分子量聚合物的聚合方法
    6.
    发明授权
    高分子量聚合物的聚合方法 有权

    公开(公告)号：CN104884483B

    公开(公告)日：2018-10-09

    申请号：CN201380069408.8

    申请日：2013-03-14

    Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司

    Inventor： L·P·斯宾塞 ,  J·M·基施纳

    IPC: C08F210/06 ,  C08F210/16 ,  C08F210/18

    Abstract: 本发明提供一种用于在存在如本文中所述的结构I金属络合物的情况下聚合乙烯的方法，所述金属络合物包含选自第3‑6族中的一个的金属，所述金属通过氧和两个Z基团键结到芳基。所述芳基包含取代基R1a、R1aa到R15a、R15aa，其选自氢、卤基、烃基、三烃基硅烷基、三烃基硅烷基烃基、‑O(R)、‑N(R′R″)、‑S(R″′)或‑P(RIVRv)；并且每个R、R′、R″、R″′、RIV和RV如本文中所述。两个X基团也被键结到所述金属，并且各自是卤基、烃基或三烃基硅烷基。每个Z是O、S、N(C1‑C40)烃基或P(C1‑C40)烃基。基团Y和L形成所述Z基团之间的桥的一部分。Y是卤基、烃基、三烃基硅烷基、三烃基硅烷基烃基、‑O(RVI)、‑N(RVIIRVIII)、‑S(RIX)或‑P(RXRXI)；并且每个RVI、RVII、RVIII、RIX、RX和RXI如本文中所述。L是(C1‑C40)亚烃基或(C1‑C40)亚杂烃基。本发明还提供结构I。

    含有铵自由基阳离子的有机发光二极管
    9.
    发明公开
    含有铵自由基阳离子的有机发光二极管 无效

    公开(公告)号：CN109844980A

    公开(公告)日：2019-06-04

    申请号：CN201780064870.7

    申请日：2017-10-20

    Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司

    Inventor： R·D·格里格 ,  L·P·斯宾塞 ,  J·W·克雷默 ,  D·D·德沃尔 ,  B·古德费洛 ,  刘淳 ,  S·穆克霍培德海耶 ,  T·H·彼得森 ,  W·H·H·伍德沃德 ,  A·N·索科洛夫

    IPC: H01L51/54

    Abstract: 提供了一种有机发光二极管，其包括衬底、阳极层、任选的一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴传输层、任选的一个或多个电子阻挡层、发光层、任选的一个或多个空穴阻挡层、任选的一个或多个电子传输层、电子注入层和阴极，其中所述空穴注入层、或所述空穴传输层、或所述空穴注入层和所述空穴传输层两者、或用作空穴注入层和空穴传输层两者的层包括含有具有结构(S1)的一个或多个三芳基铵自由基阳离子的聚合物，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的每一个独立地选自由氢、氘、卤素、胺基、羟基、磺酸基、硝基和有机基团组成的组，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的两个或更多个任选地彼此连接形成环结构；其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34、R34和R35中的一个或多个与所述聚合物共价结合，并且其中A-是阴离子。

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