公开(公告)号：CN1064260A

公开(公告)日：1992-09-09

申请号：CN92101117.2

申请日：1992-02-18

申请人： 陶氏化学公司

发明人： A·J·皮兹克

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/593 ,  C04B35/584 ,  C04B35/5935 ,  C04B35/645 ,  C04B35/806

摘要： 由无压烧结或低压气体烧结制备的致密的自增强氮化硅陶瓷，其组成包括(a)氮化硅，其中至少有20％是高平均纵横比的β—氮化硅形式；(b)2—10％(重量)的玻璃态晶界相，含氧化镁、氧化钇、二氧化硅、氧化锆，并且还可含选自氧化钙、氧化镓、氧化铟和氧化铪的一种氧化物；(c)氧化锆第二结晶相，其量为0.5—5.0％(重量)；(d)金属硅化锆和/或金属氮化硅锆的结晶相，其总量为0.1—3.0％(重量)。该陶瓷呈现高断裂韧性和高断裂强度，密度至少为理论值的98％。

公开(公告)号：CN1064261A

公开(公告)日：1992-09-09

申请号：CN92101118.0

申请日：1992-02-18

申请人： 陶氏化学公司

发明人： C·J·黄 ,  A·J·皮兹克

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/80

CPC分类号： C04B35/593 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62823 ,  C04B35/62831 ,  C04B35/62834 ,  C04B35/6286 ,  C04B35/62863 ,  C04B35/645 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5236 ,  C04B2235/524 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5276 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96

摘要： 说明书公开了一种高断裂韧性和高强度的充分致密的，自增强的氮化硅陶瓷体，该陶瓷体包括(a)平均纵横比为至少2.5的晶须形式的β-氮化硅，以及(b)一种氮氧化合物磷灰石结构的结晶态晶界相(用X射线结晶学测得)。一种制备上述的氮化硅陶瓷体的工艺，该工艺包括热压一种粉末混合物，该粉末混合物包括氮化硅，氧化硅，一种致密助剂，转化助剂及一种可加强β-氮化硅晶须生长的化合物，在这样的工艺条件下产生了致密化、高纵横比的β-氮化硅晶须，然后退火充分长的时间，以产生具有氮氧化合物磷灰石结构的结晶态晶界相。