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公开(公告)号：CN109791458A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780061866.5
申请日：2017-07-27
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G01D5/24 , G01R27/2605 , G02B1/115 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111 , H01L33/42
Abstract: 本发明的静电电容式传感器(1)具备：基材(2)；多个第一透明电极(4)，在基材(2)的一个主面(2a)沿着第一方向排列配置；多个第二透明电极(5)，沿着与第一方向交叉的第二方向排列配置，包含导电性纳米线；连结部(7)，将彼此相邻的两个第一透明电极(4)相互电连接；桥接布线部(10)，设置于与连结部(7)交叉的部分，将彼此相邻的两个第二透明电极(5)相互电连接，包含非晶氧化物系材料；和反射降低层(3)，具有比第二透明电极(5)的折射率高且比桥接布线部(10)的折射率低的折射率，因而能够在确保桥接布线部的不可见性的同时抑制导通稳定性以及ESD耐性下降，并且抑制折弯时的电阻上升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111279301A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069576.X
申请日：2018-10-30
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
Abstract: 静电电容式传感器，具有：第一连结部，其将相邻的两个第一透明电极相互电连接，并包含非晶态氧化物系材料；以及第二连结部，其将相邻的两个第二透明电极相互电连接，并包含非晶态氧化物系材料，第一连结部和第二连结部配置成，在从与主面正交的方向看的俯视观察下不相互交叉，在第一连结部具有分别被配设于相邻的两个第一透明电极上的第一连接面，第一连接面与各个第一透明电极电连接，在第二连结部具有分别被配设于相邻的两个第二透明电极上的第二连接面，第二连接面与各个第二透明电极电连接，该静电电容式传感器能够抑制导通稳定性以及ESD耐性低下。
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公开(公告)号：CN111208922A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010014549.1
申请日：2017-11-27
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
Abstract: 能够使透明电极的图案的不可见性提高的透明电极构件(100)具备：基材(101)，具有透光性；透明电极(110)，配置在基材(101)的第一面，具有透光性；以及绝缘层，在从第一面的法线方向观察时，配置在位于配置有透明电极(110)的区域的周围的至少一部分的绝缘区域(IR)，透明电极(110)具备：分散层，包含由绝缘材料构成的基块和分散在基块内的导电性纳米线，在从第一面的法线方向观察时，透明电极(110)具有由导电部构成的区域(CR)和由光学调整部构成的区域(AR)，导电部与光学调整部相比导电性高，光学调整部与导电部相比分散层中的导电性纳米线的分散密度低。
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公开(公告)号：CN110023888B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201780074199.4
申请日：2017-11-27
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
Abstract: 能够使透明电极的图案的不可见性提高的透明电极构件(100)具备：基材(101)，具有透光性；透明电极(110)，配置在基材(101)的第一面，具有透光性；以及绝缘层，在从第一面的法线方向观察时，配置在位于配置有透明电极(110)的区域的周围的至少一部分的绝缘区域(IR)，透明电极(110)具备：分散层，包含由绝缘材料构成的基块和分散在基块内的导电性纳米线，在从第一面的法线方向观察时，透明电极(110)具有由导电部构成的区域(CR)和由光学调整部构成的区域(AR)，导电部与光学调整部相比导电性高，光学调整部与导电部相比分散层中的导电性纳米线的分散密度低。
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公开(公告)号：CN110023888A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780074199.4
申请日：2017-11-27
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
Abstract: 能够使透明电极的图案的不可见性提高的透明电极构件(100)具备：基材(101)，具有透光性；透明电极(110)，配置在基材(101)的第一面，具有透光性；以及绝缘层，在从第一面的法线方向观察时，配置在位于配置有透明电极(110)的区域的周围的至少一部分的绝缘区域(IR)，透明电极(110)具备：分散层，包含由绝缘材料构成的基块和分散在基块内的导电性纳米线，在从第一面的法线方向观察时，透明电极(110)具有由导电部构成的区域(CR)和由光学调整部构成的区域(AR)，导电部与光学调整部相比导电性高，光学调整部与导电部相比分散层中的导电性纳米线的分散密度低。
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