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公开(公告)号：CN110023888B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201780074199.4
申请日：2017-11-27
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
Abstract: 能够使透明电极的图案的不可见性提高的透明电极构件(100)具备：基材(101)，具有透光性；透明电极(110)，配置在基材(101)的第一面，具有透光性；以及绝缘层，在从第一面的法线方向观察时，配置在位于配置有透明电极(110)的区域的周围的至少一部分的绝缘区域(IR)，透明电极(110)具备：分散层，包含由绝缘材料构成的基块和分散在基块内的导电性纳米线，在从第一面的法线方向观察时，透明电极(110)具有由导电部构成的区域(CR)和由光学调整部构成的区域(AR)，导电部与光学调整部相比导电性高，光学调整部与导电部相比分散层中的导电性纳米线的分散密度低。
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公开(公告)号：CN110023888A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780074199.4
申请日：2017-11-27
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
Abstract: 能够使透明电极的图案的不可见性提高的透明电极构件(100)具备：基材(101)，具有透光性；透明电极(110)，配置在基材(101)的第一面，具有透光性；以及绝缘层，在从第一面的法线方向观察时，配置在位于配置有透明电极(110)的区域的周围的至少一部分的绝缘区域(IR)，透明电极(110)具备：分散层，包含由绝缘材料构成的基块和分散在基块内的导电性纳米线，在从第一面的法线方向观察时，透明电极(110)具有由导电部构成的区域(CR)和由光学调整部构成的区域(AR)，导电部与光学调整部相比导电性高，光学调整部与导电部相比分散层中的导电性纳米线的分散密度低。
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公开(公告)号：CN108292186B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201680067234.5
申请日：2016-12-08
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
Abstract: 提供一种在可弯折的静电电容式传感器中能够抑制桥构造的损伤并且抑制传感器功能的不良的产生的静电电容式传感器。作为该静电电容式传感器，是具有弯折部和平面部并且在弯折部能够弯折的静电电容式传感器，具备：在检测区域中沿着第一方向排列配置的多个第一透明电极；在检测区域中沿着与第一方向交叉的第二方向排列配置的多个第二透明电极；与多个第一透明电极以及多个第二透明电极中的任意一方设置为一体的连结部；以及与多个第一透明电极以及多个第二透明电极中的任意另一方分体地设置在与连结部交叉的部分的桥布线部，在弯折部中连结部延伸的方向和在平面部中连结部延伸的方向不同。
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公开(公告)号：CN111208922A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010014549.1
申请日：2017-11-27
Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
Abstract: 能够使透明电极的图案的不可见性提高的透明电极构件(100)具备：基材(101)，具有透光性；透明电极(110)，配置在基材(101)的第一面，具有透光性；以及绝缘层，在从第一面的法线方向观察时，配置在位于配置有透明电极(110)的区域的周围的至少一部分的绝缘区域(IR)，透明电极(110)具备：分散层，包含由绝缘材料构成的基块和分散在基块内的导电性纳米线，在从第一面的法线方向观察时，透明电极(110)具有由导电部构成的区域(CR)和由光学调整部构成的区域(AR)，导电部与光学调整部相比导电性高，光学调整部与导电部相比分散层中的导电性纳米线的分散密度低。
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