静电电容式传感器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109791458A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201780061866.5

    申请日:2017-07-27

    Abstract: 本发明的静电电容式传感器(1)具备:基材(2);多个第一透明电极(4),在基材(2)的一个主面(2a)沿着第一方向排列配置;多个第二透明电极(5),沿着与第一方向交叉的第二方向排列配置,包含导电性纳米线;连结部(7),将彼此相邻的两个第一透明电极(4)相互电连接;桥接布线部(10),设置于与连结部(7)交叉的部分,将彼此相邻的两个第二透明电极(5)相互电连接,包含非晶氧化物系材料;和反射降低层(3),具有比第二透明电极(5)的折射率高且比桥接布线部(10)的折射率低的折射率,因而能够在确保桥接布线部的不可见性的同时抑制导通稳定性以及ESD耐性下降,并且抑制折弯时的电阻上升。

    输入装置以及附带输入装置的显示装置

    公开(公告)号:CN111902800A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201980021294.7

    申请日:2019-02-27

    Abstract: 输入装置以及附带输入装置的显示装置,当由包含导电性纳米线的材料来形成透明电极并设置桥接布线部的情况下,能够确保包含将桥接布线部与透明电极绝缘的绝缘层的桥接部对透明电极的充分的密接性以及可挠性,并能够抑制光学特性的劣化,具备:由包含导电性纳米线的材料而形成并相互交叉的多个第1透明电极以及多个第2透明电极、以及将相邻的两个第1透明电极电连接的桥接部,桥接部具有桥接布线部、绝缘层和缓冲层,缓冲层被设置于将相邻的两个第2透明电极电连接的连结部和绝缘层之间,缓冲层由具有透光性的无机氧化物系材料而形成。

    电容式传感器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107111402B

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201580072637.4

    申请日:2015-10-29

    Abstract: 作为即使在使用包括金属纳米线的透光性导电膜的情况下也能够得到充分的ESD耐性的电容式传感器,提供如下电容式传感器:该电容式传感器在基材设置有透光性导电膜的图案,其中,透光性导电膜包括金属纳米线,图案具有:检测图案,其通过多个检测电极以隔开间隔的方式排列而成;多条引出布线,其从多个检测电极分别沿着第一方向呈直线状延伸出;以及电阻设定部,其与多条引出布线中的至少任一方连接,且包括沿着与第一方向不平行的方向延伸出的部分。

    电容式传感器
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107111406B

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201580073163.5

    申请日:2015-10-29

    Abstract: 作为即使在使用包括金属纳米线的透光性导电膜的情况下也能够得到充分的ESD耐性的电容式传感器,提供如下电容式传感器:该电容式传感器在基材设置有透光性导电膜的图案,其中,透光性导电膜包括金属纳米线,图案具有:检测图案,其通过多个检测电极以隔开间隔的方式排列而成;和多条引出布线,其从多个检测电极分别沿着第一方向呈直线状延伸出,检测图案中的至少一个检测电极包括电流路径设定部,该电流路径设定部延长从检测电极朝向引出布线的电流的直线路径长度。

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