公开(公告)号：CN111902800A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980021294.7

申请日：2019-02-27

Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社

Inventor： 山井知行 ,  北村恭志 ,  矢泽学 ,  山村宪 ,  桑原智也 ,  高桥壮太

IPC: G06F3/044 ,  G06F3/041

Abstract: 输入装置以及附带输入装置的显示装置，当由包含导电性纳米线的材料来形成透明电极并设置桥接布线部的情况下，能够确保包含将桥接布线部与透明电极绝缘的绝缘层的桥接部对透明电极的充分的密接性以及可挠性，并能够抑制光学特性的劣化，具备：由包含导电性纳米线的材料而形成并相互交叉的多个第1透明电极以及多个第2透明电极、以及将相邻的两个第1透明电极电连接的桥接部，桥接部具有桥接布线部、绝缘层和缓冲层，缓冲层被设置于将相邻的两个第2透明电极电连接的连结部和绝缘层之间，缓冲层由具有透光性的无机氧化物系材料而形成。

公开(公告)号：CN115066670A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180013861.1

申请日：2021-03-19

Applicant: 阿尔卑斯阿尔派株式会社

Inventor： 矢泽学 ,  山村宪 ,  高桥壮太

IPC: G06F3/044 ,  G06F3/041

Abstract: 考虑了加工性、耐环境性并能提供不可见性的本发明的静电电容式传感器具有如下构造：在基材(2)上图案形成并设置均由结晶性ITO构成的第1透明电极部(4)以及第2透明电极部(5)，在相邻的第1透明电极部(4)以及与其连续的连结部(7)上隔着绝缘层(20)设置由无定形IZO构成的桥接布线部(10)，通过桥接布线部(10)将相邻的2个第2透明电极部(5)电连接，在将第2透明电极部5的厚度设为TE、将桥接布线部10的厚度设为TB时，满足下述式(1)以及下述式(2)：0.28×TE+83nm≤TB≤0.69×TE+105nm(1)30nm≤TE≤50nm(2)。