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公开(公告)号:CN110582843A
公开(公告)日:2019-12-17
申请号:CN201880022482.7
申请日:2018-02-06
Applicant: 阿基里斯株式会社
IPC: H01L21/673 , B65D85/30
Abstract: 本发明提供半导体晶圆容器。一种半导体晶圆容器,其沿上下方向重叠两个呈大致平面并且同一形状的外壳来收纳一片半导体晶圆,其中,所述外壳除了其主体以外还具有晶圆保持机构以及外壁形成机构,所述晶圆保持机构是用于实质上非接触地对晶圆的上下表面进行容纳且固定保持的机构,所述晶圆保持机构具有:倾斜面,其形成于从下侧以线接触方式来与半导体晶圆的外周缘接触的外壳的上表面;晶圆接触面,其形成于从上侧以面接触方式来与半导体晶圆的外周缘接触的外壳的下表面;以及浅底空隙部,其形成于外壳的上下两表面的各自的中央部,且能够容纳晶圆的上半部分或者下半部分,所述外壁形成机构具有垂下部,所述垂下部形成于外壳的下表面的外周缘,以便在沿上下方向重叠两个外壳来收纳半导体晶圆时形成在所容纳的半导体晶圆的外侧闭合的外壁。
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公开(公告)号:CN110582843B
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN201880022482.7
申请日:2018-02-06
Applicant: 阿基里斯株式会社
IPC: H01L21/673 , B65D85/30
Abstract: 本发明提供半导体晶圆容器。一种半导体晶圆容器,其沿上下方向重叠两个呈大致平面并且同一形状的外壳来收纳一片半导体晶圆,其中,所述外壳除了其主体以外还具有晶圆保持机构以及外壁形成机构,所述晶圆保持机构是用于实质上非接触地对晶圆的上下表面进行容纳且固定保持的机构,所述晶圆保持机构具有:倾斜面,其形成于从下侧以线接触方式来与半导体晶圆的外周缘接触的外壳的上表面;晶圆接触面,其形成于从上侧以面接触方式来与半导体晶圆的外周缘接触的外壳的下表面;以及浅底空隙部,其形成于外壳的上下两表面的各自的中央部,且能够容纳晶圆的上半部分或者下半部分,所述外壁形成机构具有垂下部,所述垂下部形成于外壳的下表面的外周缘,以便在沿上下方向重叠两个外壳来收纳半导体晶圆时形成在所容纳的半导体晶圆的外侧闭合的外壁。
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公开(公告)号:CN108475652A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201680075698.0
申请日:2016-10-20
Applicant: 阿基里斯株式会社
IPC: H01L21/673 , B65D85/30
CPC classification number: B65D85/30 , H01L21/673
Abstract: 提供隔离件。在将半导体晶片上下层叠收纳的半导体晶片搬送容器中,在上下邻接的两个半导体晶片之间、并且在半导体晶片和该容器的内侧顶面或内侧底面之间介装,以使层叠的半导体晶片彼此不接触,并且,使所述半导体晶片和半导体晶片搬送容器的内侧顶面或内侧底面不接触,所述隔离件形成有环状凸部,环状凸部具有由平坦圆环体组成、涵盖所述环状凸部的外周边缘部而与半导体晶片的外周边缘接触的晶片支持面,并且,所述环状凸部在适当数量的位置处、形成有缺口部的同时,设置有与所述缺口部邻接并相对隔离件基准面斜向上或者斜向下延伸的缓冲功能片。
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公开(公告)号:CN108475652B
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN201680075698.0
申请日:2016-10-20
Applicant: 阿基里斯株式会社
IPC: H01L21/673 , B65D85/30
Abstract: 【课题】提供隔离件。【解决手段】在将半导体晶片上下层叠收纳的半导体晶片搬送容器中,在上下邻接的两个半导体晶片之间、并且在半导体晶片和该容器的内侧顶面或内侧底面之间介装,以使层叠的半导体晶片彼此不接触,并且,使所述半导体晶片和半导体晶片搬送容器的内侧顶面或内侧底面不接触,所述隔离件形成有环状凸部,环状凸部具有由平坦圆环体组成、涵盖所述环状凸部的外周边缘部而与半导体晶片的外周边缘接触的晶片支持面,并且,所述环状凸部在适当数量的位置处、形成有缺口部的同时,设置有与所述缺口部邻接并相对隔离件基准面斜向上或者斜向下延伸的缓冲功能片。
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