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公开(公告)号：CN118854453A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411367840.1
申请日：2024-09-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/16 , C30B29/66 , C30B1/10 , C25B11/077 , C25B1/55 , H01L31/0296
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种具有自支撑结构的多孔单晶氧化锌半导体材料及其制备方法与应用，利用含锌硫族化合物单晶衬底作为前驱体母晶，单晶衬底在中高温条件下由外部晶格向内部晶格进行固体‑固体相变，非锌原子逃逸；逃逸后剩余锌原子和氧原子进行二次结晶形成具有自支撑结构的多孔单晶氧化锌材料。利用本发明制得的具有自支撑结构的多孔单晶氧化锌半导体材料具有20 nm~800 nm的孔，在单晶结构内部引入孔隙结构，将孔隙度和结构相干性结合起来，从而大幅提升本发明半导体材料作为氧化锌器件的性能。
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公开(公告)号：CN118910733A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411367838.4
申请日：2024-09-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明属于光电半导体材料技术领域，公开了一种大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料，含有尺寸为5 nm~1500 nm且均匀分布的蠕状结构的孔；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料在三维空间具有刚性的自支撑结构且无需模版支撑；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料兼具纳米单晶骨架以及无序连通的开孔结构；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料为多孔单晶氧化铁薄膜或多孔单晶氧化铁晶体；所述多孔单晶氧化铁薄膜的表面具有多孔单晶氧化铁的(104)晶面、(214)晶面或（110）晶面中的至少一面，所述多孔单晶氧化铁晶体的最大表面具有多孔单晶氧化铁的(104)晶面、(214)晶面或(110)晶面中的至少一面。本发明的材料能够进一步提升多孔单晶氧化铁作为半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN118854453B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411367840.1
申请日：2024-09-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/16 , C30B29/66 , C30B1/10 , C25B11/077 , C25B1/55 , H10F77/123
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种具有自支撑结构的多孔单晶氧化锌半导体材料及其制备方法与应用，利用含锌硫族化合物单晶衬底作为前驱体母晶，单晶衬底在中高温条件下由外部晶格向内部晶格进行固体‑固体相变，非锌原子逃逸；逃逸后剩余锌原子和氧原子进行二次结晶形成具有自支撑结构的多孔单晶氧化锌材料。利用本发明制得的具有自支撑结构的多孔单晶氧化锌半导体材料具有20 nm~800 nm的孔，在单晶结构内部引入孔隙结构，将孔隙度和结构相干性结合起来，从而大幅提升本发明半导体材料作为氧化锌器件的性能。
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公开(公告)号：CN118910733B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411367838.4
申请日：2024-09-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明属于光电半导体材料技术领域，公开了一种大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料，含有尺寸为5 nm~1500 nm且均匀分布的蠕状结构的孔；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料在三维空间具有刚性的自支撑结构且无需模版支撑；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料兼具纳米单晶骨架以及无序连通的开孔结构；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料为多孔单晶氧化铁薄膜或多孔单晶氧化铁晶体；所述多孔单晶氧化铁薄膜的表面具有多孔单晶氧化铁的(104)晶面、(214)晶面或（110）晶面中的至少一面，所述多孔单晶氧化铁晶体的最大表面具有多孔单晶氧化铁的(104)晶面、(214)晶面或(110)晶面中的至少一面。本发明的材料能够进一步提升多孔单晶氧化铁作为半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN118173640A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211573158.9
申请日：2022-12-08
Applicant: 先进能源科学与技术广东省实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种热光伏电池的封装方法，所述方法包括：(1)以铜片作为导热背板，在导热背板的表面刻蚀形成N个凹槽，在导热背板表面涂附导热绝缘胶，形成带有导热绝缘层的导热背板；(2)使用镀锡铜带将第一热光伏电池片的正极端与第二电池片的负极端连接，形成电池组，所述热光伏电池包括M个电池组；(3)将热光伏电池与步骤(1)获得的导热背板中涂附有导热绝缘胶的表面贴合、固化。通过此种方法组装而成的热光伏电池能够有效利用束流照射有效面积，使背板与电池片贴合紧密，并同时解决单片电池转换效率不高的缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110791808A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810864447.1
申请日：2018-08-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种多孔二氧化钛单晶材料及其制备方法和应用，所述多孔二氧化钛单晶材料中含有10nm～1000nm的孔。所述多孔二氧化钛单晶薄膜及体块的致密性好，结合牢固。该晶体材料的制备方法操作简单、重复性好、价格低廉、可规模化生产。二氧化钛作为最重要的半导体之一，已被广泛应用在光催化、太阳能电池、传感器等领域。
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公开(公告)号：CN118166420A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211573190.7
申请日：2022-12-08
Applicant: 先进能源科学与技术广东省实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种GaSb单晶电池表面改性的方法，所述方法至少包括：采用原子层沉积法在GaSb单晶电池表面循环制备TiO2薄膜；所述TiO2薄膜具有三角形形貌。本发明通过ALD技术对GaSb单晶电池进行表面改性后，GaSb单晶电池表面由于反射而损失的部分光子可以再被反射回GaSb表面，相当于减小了反射率，减小了入射光的能量损失，从而实现对电池转换效率的提高。该工艺可用于多种不同金属氧化物对GaSb单晶电池的表面改性方法，将改性后的GaSb单晶电池用于热光伏系统之中可以有效提升电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN117661115A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211014785.9
申请日：2022-08-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一类多孔氧化物单晶材料及其制备方法和应用，所述多孔氧化物单晶材料含有10nm～1000nm的孔。该材料具有大尺寸、多孔的晶体结构，且具有自支撑结构，从而大幅提升氧化物器件性能，在为块状单晶时，作为一种新材料，在结构气体传感器、催化剂和光电器件中都有潜在的应用。该方法使用卤素单晶、磷酸盐单晶、氧族单晶、可挥发性金属盐单晶等四类单晶前驱体为母晶，在高温下由外及里转化生长，目标性原子层易挥发元素去除后，剩余元素重结晶制备多孔氧化物单晶材料，具有操作简单、重复性好的优点。
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公开(公告)号：CN117966269A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211305784.X
申请日：2022-10-24
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一类多孔氧化物单晶材料及其制备方法和应用，所述多孔氧化物单晶材料含有10nm～1000nm的孔。该材料具有大尺寸、多孔的晶体结构，且具有自支撑结构，从而大幅提升氧化物器件性能，在为块状单晶时，作为一种新材料，在结构气体传感器、催化剂和光电器件中都有潜在的应用。该方法使用卤素单晶、磷酸盐单晶、氧族单晶、可挥发性金属盐单晶等四类单晶前驱体为母晶，在高温下由外及里转化生长，目标性原子层易挥发元素去除后，剩余元素重结晶制备多孔氧化物单晶材料，具有操作简单、重复性好的优点。
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公开(公告)号：CN114763624B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202110048643.3
申请日：2021-01-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/20 , C30B29/60 , C30B33/10 , C30B9/00 , C30B29/16 , C30B29/18 , H01L21/02 , B01J21/04 , B01J35/02 , B01J35/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请公开了一种表面图案化的多孔单晶材料及其制备方法和应用，所述表面图案化的多孔单晶材料中含有10nm～1000nm的孔。本申请中所述材料具有自支撑结构，为块状单晶时，作为一种新材料，在催化或基件材料中都有潜在的应用。
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