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公开(公告)号：CN119332346A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310895830.4
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种分子式为Ba3CdGe3O2S8的红外波段双折射晶体及制备方法与用途，该晶体结晶于单斜晶系，空间群为P21/m，晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#α＝90°，β＝90.8±0.1°，γ＝90°。采用高温固相法制备而成，具有大的双折射率(0.13～0.15)，宽的红外透过范围及较好的晶体生长习性等优点，在光学、激光光刻和通讯等高科技领域有着重要应用价值，尤其是用于制作偏振分束棱镜、光隔离器、光束位移器、相位延迟器件和电光调制器件等光学元件。
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公开(公告)号：CN119332345A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310895828.7
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明属于无机非线性光学材料技术领域，具体公开了一种包盐红外非线性光学晶体、其制备方法与用途。本发明的光学该晶体的分子式为：[Ba22(SO4)5][Zn14Ga18S58]，其晶体结构属于立方晶系，空间群为#imgabs0#本发明的光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质，在红外波段能够实现相位匹配，较宽的透光范围，强的红外倍频响应，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的1.0～2.0倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的30～40倍，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。
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公开(公告)号：CN116024667A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111238403.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请包括一种无机化合物晶体及其制备方法与应用。该晶体的化学式为Cs5Ga9S16，其晶体结构属于单斜晶系，空间群为Pc，具有三维类金刚石网格结构；所述三维类金刚石网格结构主要是由[Ga9S20]多面体基团作为基本的重复单元，通过共用顶点S相互连接；碱金属元素Cs分散填充在所述三维类金刚石网格结构之中，作为电荷平衡。该晶体具有优良的二阶非线性光学性质,在红外波段能够实现相位匹配，具有宽的光学带隙，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的0.8倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的75倍。
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公开(公告)号：CN116024667B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111238403.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请包括一种无机化合物晶体及其制备方法与应用。该晶体的化学式为Cs5Ga9S16，其晶体结构属于单斜晶系，空间群为Pc，具有三维类金刚石网格结构；所述三维类金刚石网格结构主要是由[Ga9S20]多面体基团作为基本的重复单元，通过共用顶点S相互连接；碱金属元素Cs分散填充在所述三维类金刚石网格结构之中，作为电荷平衡。该晶体具有优良的二阶非线性光学性质,在红外波段能够实现相位匹配，具有宽的光学带隙，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的0.8倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的75倍。
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公开(公告)号：CN111676517A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010450475.6
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明属于无机非线性光学材料技术领域，具体公开了一种非心混阴离子晶体及其制备方法与应用。该晶体具有如下所示的分子式：SrGeOSe2，其晶体结构属于正交晶系，空间群为P212121。该晶体具有优良的二阶非线性光学性质以及大小适中的双折射率，较宽的透光范围，强的红外倍频响应，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的1.3倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的36倍，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110306242A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910637822.3
申请日：2019-07-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供了一种三元非心硫化物的晶体材料及其制备方法与应用。所述三元非心硫化物的晶体材料的制备方法简单，条件温和，制备得到的三元非心硫化物的晶体材料纯度高，且所述三元非心硫化物的晶体材料具有优良的二阶非线性光学性质，其具有大小适中的双折射率，强的粉末倍频响应以及高的激光损伤阈值，可用于红外探测器、红外激光器、激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等领域。
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公开(公告)号：CN108441955A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810367156.1
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/10 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本发明属于无机非线性光学材料技术领域，具体公开了一种红外非线性光学晶体、其制备方法与用途。该晶体具有如下所示的分子式：Sr5ZnGa6S15，其晶体结构属于正交晶系，空间群为Ama2。该晶体具有优良的二阶非线性光学性质以及大小适中的双折射率，较宽的透光范围，强的红外倍频响应，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的1.2倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的16倍，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。
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公开(公告)号：CN106119969A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610704761.4
申请日：2016-08-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551 , G02F1/37
Abstract: 本发明涉及光学晶体AZn4Ga5S12用作红外非线性光学材料的用途，其中，A为K或Rb。所述光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质以及较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应和高的激光损伤阈值，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的7～8倍且其激光损伤阈值是AgGaS2的36倍，可用于中红外探测器和激光器。此外，本申请所提供的制备红外非线性光学晶体的方法操作简单，得到的样品具有较高的结晶度和纯度。
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公开(公告)号：CN105552202A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510894693.8
申请日：2015-12-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为TmCu3(1-x)Te3，x代表Cu的空位含量，0＜x≤0.1。该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，热导率为0.86W/m·K，电导可达571S/cm，塞贝克系数可达108V/K。可通过调节TmCu3(1-x)Te3体系中Cu空位改变载流子浓度，从而优化其热电优值ZT，使ZT在850K时大于0.45，甚至可达0.65，比未优化的性能提高了44.4％，可与目前被广泛研究甚至商业化的高温热电材料相媲美。
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公开(公告)号：CN118028981A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211371008.X
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种稀土基无机化合物及其制备方法与用途。本发明的稀土基无机化合物具有如下所示的化学式：RE3[Ga3O3S3][Ge2O7]；其中，RE选自稀土金属元素Pr、Nd、Sm、Gd中的至少一种。本发明的稀土基无机化合物RE3[Ga3O3S3][Ge2O7]，其倍频强度是商用AgGaS2的0.8–1.2倍，其激光损失阈值是商用AgGaS2的25～30倍，性能提升幅度巨大，具有良好的应用前景。
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