一种碳化硅晶锭预加工工艺方法

    公开(公告)号:CN118478116B

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202410612142.7

    申请日:2024-05-16

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶锭预加工工艺方法,属于晶锭预加工技术领域,包括以下步骤:S1、将晶锭放置在备料盘内,使用三维形貌扫描仪对晶锭表面进行扫描,得到晶锭表面形貌误差点云数据;S2、基于得到的点云数据,通过Delaunay三角剖分算法重构晶锭表面误差模型;S3、基于晶锭表面误差模型和光学基本原理,进行计算程序设定,计算出晶锭不同点位处物镜架在垂直方向上相对标定位置应该调整的距离;S4、基于S3中得到的结果,进行激光加工处理。本发明通过晶锭形貌误差检测和重建算法实现激光焦点自适应调控,对晶锭表面实施预加工,从而减少晶锭三维形貌对后续剥离质量的影响。

    一种碳化硅晶锭预加工工艺方法

    公开(公告)号:CN118478116A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410612142.7

    申请日:2024-05-16

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶锭预加工工艺方法,属于晶锭预加工技术领域,包括以下步骤:S1、将晶锭放置在备料盘内,使用三维形貌扫描仪对晶锭表面进行扫描,得到晶锭表面形貌误差点云数据;S2、基于得到的点云数据,通过Delaunay三角剖分算法重构晶锭表面误差模型;S3、基于晶锭表面误差模型和光学基本原理,进行计算程序设定,计算出晶锭不同点位处物镜架在垂直方向上相对标定位置应该调整的距离;S4、基于S3中得到的结果,进行激光加工处理。本发明通过晶锭形貌误差检测和重建算法实现激光焦点自适应调控,对晶锭表面实施预加工,从而减少晶锭三维形貌对后续剥离质量的影响。

    一种碳化硅晶锭剥离系统及方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117926425A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410097606.5

    申请日:2024-01-23

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶锭剥离系统,属于晶锭剥离技术领域,包括检测及激光加工系统和剥离系统,所述检测及激光加工系统包括检测模块、加工模块和设置在所述检测模块与所述加工模块之间的第一机械手,所述剥离系统包括处理模块、剥离模块和设置在所述处理模块与所述剥离模块之间的第二机械手,通过该系统对碳化硅晶锭进行剥离。本发明采用上述结构的一种碳化硅晶锭剥离系统及方法,将晶锭在加工前进行三维形貌分析检测、皮秒激光加工晶锭改性和晶圆剥离等工序集成化,通过在激光扫描后通过施加热应力和振动使得晶锭内微裂纹可控地扩展,再使用液氮降低晶锭温度使晶锭收缩,实现应力释放,以降低剥离后晶圆表面粗糙度,提升晶锭剥离质量。

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