一种FeMo-BC的制备方法及应用
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118754391A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410787203.3

    申请日:2024-06-18

    Abstract: 本发明公开了一种FeMo‑BC的制备方法及应用,所述制备方法为以废弃的生物质竹粉为原料,利用高铁酸钾活化,然后与钼酸盐和含硫还原剂混合经水热法两步制备了FeMo‑BC;所述应用为将FeMo‑BC与PMS和TA构建联合调理体系用于污泥调理,其一方面可以高效活化PMS氧化破碎污泥的絮体结构,促进结合水的释放;另一方面负载金属的富碳颗粒可以发挥电中和、吸附和骨架支撑作用。本申请在调理污泥的过程中还进一步联合TA絮凝沉淀污泥中的蛋白质和细小絮体颗粒,构建了氧化‑骨架支撑‑再絮凝联合调理方法,可以促进污泥的深度脱水,降低污泥的后处理成本。

    冷热交替硬岩顶管施工装备及方法

    公开(公告)号:CN119507931A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411386885.3

    申请日:2024-09-30

    Abstract: 本发明提供一种冷热交替硬岩顶管施工装备及方法,侧限掘进装置设置在顶管前端,钻进形成环形凹槽;侧限掘进装置的结构包括:固定环座、驱动座、滑动支座和钻头驱动装置;固定环座为环形筒状结构,固定环座位于顶管前端;驱动座为环形筒状结构,驱动座位于固定环座内,并与固定环座可相对转动的连接,还设有公转驱动装置,以驱动驱动座旋转;滑动支座为环状筒形结构,滑动支座位于驱动座内,并由驱动座驱动旋转,同时滑动支座由伸缩油缸驱动沿轴向往复运动,在滑动支座上靠近边缘的位置设有钻头驱动装置,钻头驱动装置用于与钻头连接,钻头的工作面朝向掌子面,钻头的直径与环形凹槽的槽宽相同。采用冷热交替的方式大幅提高环形凹槽的掘进效率。

    一种倒装结构Micro-LED芯片制造方法

    公开(公告)号:CN117080334A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311116175.4

    申请日:2023-08-31

    Abstract: 一种倒装结构Micro‑LED芯片制造方法,由隧穿结限制电流路径、提升载流子注入效率的倒装结构Micro‑LED芯片制造方法。具体为:在衬底上生长Micro‑LED外延层,包括:n‑GaN层、超晶格应力释放层、多量子阱有源区、p‑GaN层、电子阻挡层、隧穿层和n‑GaN包覆层,隧穿层包括重掺杂的p++InGaN和n++InGaN,二者之间形成隧穿结,可以限制Micro‑LED中的垂直电流路径,利用载流子隧穿效应降低接触电阻,提高载流子注射效率,并进而提升Micro‑LED发光性能,同时将Micro‑LED芯片设计为倒装结构,可以提高芯片的取光效率、光电性能和热稳定性能。

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