公开(公告)号：CN118954443A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411435115.3

申请日：2024-10-15

申请人： 长春理工大学

发明人： 王登魁 ,  宋浩 ,  方铉 ,  房丹 ,  周陶杰 ,  王东博 ,  闫昊 ,  翟英娇 ,  李金华 ,  王晓华 ,  刘建华

IPC分类号： C01B19/04 ,  C01G21/21 ,  C01G11/02 ,  C09K11/88 ,  C09K11/66 ,  B01J27/04 ,  B01J27/057 ,  B01J35/33

摘要： 本发明涉及半导体光电子技术领域，特别是涉及一种铅基硫族核壳结构量子点的制备方法、产品及应用。该制备方法包括以下步骤：利用热注入法制备铅基硫族量子点；将氧化镉、油酸和1‑十八烯混合后进行阶梯加热，得到油酸镉溶液；向所述油酸镉溶液中加入所述铅基硫族量子点的溶液反应，得到所述铅基硫族核壳结构量子点；所述铅基硫族量子点为PbSe量子点或者PbS量子点。本发明通过热注入法制备铅基硫族量子点，具有成本低、产率大等优势，通过控制反应的温度和时间，可以精确调控量子点的尺寸形貌的优点。本发明通过阳离子交换法制备铅基硫族核壳结构量子点，具有可以制备多种几何结构、反应的条件比较温和、重复性高和可控性强等特点。

公开(公告)号：CN116864556B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311034795.3

申请日：2023-08-16

申请人： 长春理工大学

发明人： 王登魁 ,  杨丹 ,  方铉 ,  项超 ,  张德权 ,  张玉亭 ,  房丹

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

摘要： 本申请提供一种基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法，涉及半导体材料领域。基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器，包括由上至下依次层叠设置的顶部电极接触层、第一PbSe CQD吸收层、CQD阻挡层、第二PbSe CQD吸收层和底部电极接触层；所述第一PbSe CQD吸收层和所述第二PbSe CQD吸收层的原料包括第一配体组装后的PbSe胶体量子点，所述CQD阻挡层的原料包括ZnO胶体量子点或者第二配体组装后的PbS胶体量子点或Ag2Se CQD胶体量子点。本申请提供的基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器，能够实现探测器探测波长的轻松调控。

公开(公告)号：CN113284973B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202110526831.2

申请日：2021-05-14

申请人： 长春理工大学

发明人： 王登魁 ,  魏志鹏 ,  陈雪 ,  方铉 ,  房丹 ,  林逢源 ,  唐吉龙 ,  李科学 ,  马晓辉

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

摘要： 一种高响应度的雪崩光电二极管结构涉及雪崩二极管技术领域，解决了低噪声和高倍增增益难以同时实现的问题，二极管结构为纳米线型，包括从下至上顺次设置的GaAs倍增层、窄带隙插入层和吸收层；插入层的材料为GaAs1‑xSbx，吸收层的材料为GaAs1‑ySby；或者；插入层的材料为IniGa1‑iAs，吸收层的材料为InjGa1‑jAs；i和x为固定值，吸收层的In或Sb组分由下至上线性递增。且x＞ymin,i＞jmin。本发明通过窄带隙插入层在价带形成空穴阱，捕获空穴，并在插入层和倍增层之间形成强空穴势垒以阻挡空穴，增强了雪崩区的电场强度，提高了倍增因子，降低了噪声。

公开(公告)号：CN114075628A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202111374874.X

申请日：2021-11-19

申请人： 长春理工大学

发明人： 方铉 ,  詹燕燕 ,  王登魁 ,  房丹 ,  李金华 ,  翟英娇 ,  王海珠 ,  范杰 ,  王晓华

IPC分类号： C22B30/04 ,  C22B30/02 ,  C22B30/06 ,  B22F1/054 ,  C01B25/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 利用溶液极性调控二维VA族层状材料形貌的制备方法涉及材料制备技术领域，解决了现有制备不能兼顾生长速度和形貌控制的问题，步骤一、通过电化学剥离方法制备二维VA族层状材料，电解液的溶质为四丙基溴化铵粉末溶剂为有机溶剂；以VA族材料作为阴极、铂片作为对电极、Ag/AgCl作为参比电极；步骤二、将电解液中剥离得到的二维VA族层状材料进行分离，然后洗涤；步骤三、选择具有极性的第二溶液洗涤步骤二得到的二维VA族层状材料，得到调控形貌后的二维VA族层状材料。本发明利用电化学剥离法对生长条件要求较低、生长速率快，可以快速剥离且不破坏材料本身，通过改变第二溶液极性的大小可以调控二维VA族层状材料的形貌。

公开(公告)号：CN113284972A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110526233.5

申请日：2021-05-14

申请人： 长春理工大学

发明人： 王登魁 ,  魏志鹏 ,  方铉 ,  房丹 ,  唐吉龙 ,  林逢源 ,  李科学 ,  王新伟 ,  马晓辉

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0352

摘要： 一种量子阱雪崩光电二极管涉及雪崩二极管技术领域，解决了现有不具有高响应度和低噪声的雪崩光电二极管的问题，空穴雪崩二极管包括顺次设置的n型半导体吸收层、雪崩层和p型半导体载流子收集层、n型电极和p型电极，雪崩层包括II型多量子阱或者多异质结，雪崩层的能带排列为II型排列；空穴在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处得到价带带阶后的空穴能量等于其离化阈值能量，空穴发生碰撞离化过程；电子在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处失去导带带阶后的电子能量小于其离化阈值能量，电子不发生碰撞离化过程。本发明实现了高倍增因子和低噪声特性，提高现有雪崩光电二极管的性能指标。

公开(公告)号：CN109560151A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811227848.2

申请日：2018-10-22

申请人： 长春理工大学

发明人： 唐吉龙 ,  魏志鹏 ,  亢玉彬 ,  方铉 ,  房丹 ,  王登魁 ,  张家斌 ,  王晓华 ,  马晓辉

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提出一种获得完整1D纳米材料的方法，该方法在生长1D纳米材料的衬底上首先外延生长AlxGa1-xAs薄膜，Al的组分为0.6≤x≤1，然后在制备有AlxGa1-xAs薄膜的衬底上生长1D纳米材料，1D纳米材料生长完成后，用HF酸对所生长的样品进行腐蚀并多次清洗获得完整的1D纳米材料。本发明利用AlxGa1-xAs薄膜可以与HF酸反应而被有效的腐蚀，GaAs、InAs纳米线材料不与HF酸反应而被完整的保留，将AlxGa1-xAs薄膜作为牺牲层从而实现获得完整的1D纳米材料的方法，本发明提出的这种方法解决现有技术中获得完整1D纳米材料的难题，可有效推动1D纳米材料在纳米光电子器件方面的应用。

公开(公告)号：CN109337683A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811121624.3

申请日：2018-09-29

申请人： 长春理工大学

发明人： 魏志鹏 ,  李如雪 ,  方铉 ,  房丹 ,  陈锐 ,  王新伟 ,  王登魁 ,  王晓华 ,  马晓辉

IPC分类号： C09K11/66 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明涉及一种钙钛矿复合发光材料的制备方法，该方法通过将微米级分子筛粉末添加到钙钛矿量子点溶液中制备出含有分子筛材料的钙钛矿量子点溶液，然后将这种含有分子筛材料和钙钛矿量子点的复合溶液旋涂在Si片基底上形成钙钛矿和分子筛的混合物薄膜层，或者将复合溶液放在真空烘箱中烘干得到钙钛矿复合材料。这种钙钛矿复合材料具有疏水分散稳定的优良性质，发光性能好，解决钙钛矿材料在空气中会被水和氧气发生反应而导致钛矿结构损坏和坍塌、发光性质缓慢降低制约钙钛矿材料在发光器件较难广泛应用的难题。

公开(公告)号：CN103499431B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201310389422.8

申请日：2013-09-02

申请人： 长春理工大学

发明人： 王菲 ,  陈燨 ,  李玉瑶 ,  钟健麒 ,  底才翔 ,  田明 ,  方铉 ,  罗宽 ,  焦正超 ,  车英 ,  王晓华 ,  魏志鹏

IPC分类号： G01M11/02

摘要： 本发明公开了一种固体激光晶体动态热焦距测量方法与装置，该测量方法是将线偏振光往返通过固体激光晶体形成的热透镜，利用组合光学系统成像的方法实现固体激光晶体动态热焦距的精确测量；该测量装置包括反射镜A(4)、四分之一波片(5)、反射镜B(6)、被测固体激光晶体(7)、输出镜(8)、反射镜C(9)、偏振分束镜(10)、光阑B(11)、扩束镜(12)、指示光源(13)、衰减滤光片(14)、CCD探测单元(15)和功率计(16)。与现有测量方法相比，本发明的优点在于：简单易行，测量精度高，既适用于侧面泵浦固体激光器又适用于端面泵浦固体激光器中固体激光晶体热焦距的测量。

公开(公告)号：CN104638517B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201510111618.X

申请日：2015-03-13

申请人： 长春理工大学

发明人： 唐吉龙 ,  魏志鹏 ,  方铉 ,  房丹 ,  高娴 ,  牛守柱 ,  王菲 ,  马晓辉 ,  王晓华

IPC分类号： H01S5/343

摘要： Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有InAs/GaInSb W型锑基半导体激光器很难实现室温发光，低温(73K)发光的输出功率也很小。本发明自下而上依次为GaSb衬底、GaSb缓冲层、P型GaSb接触层、P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱和N型InAs接触层，所述P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱具有多周期结构，所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱夹GaInSb空穴量子阱的三明治结构，外层是一对AlSb合金限制层；其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱由3～9层Ga1‑xInxSb层构成，x＝0.05～0.35，中间的Ga1‑xInxSb层的x的值最大，两边的Ga1‑xInxSb层自中间向两边呈1～4级分布，同级的两个Ga1‑xInxSb层的x的值相同，自中间向两边各级Ga1‑xInxSb层的x的值逐渐减小。

公开(公告)号：CN105428225A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201410456773.0

申请日：2014-09-10

申请人： 长春理工大学

发明人： 贾慧民 ,  唐吉龙 ,  方铉 ,  魏志鹏 ,  房丹 ,  王晓华 ,  王菲 ,  李金华 ,  楚学影 ,  常量

IPC分类号： H01L21/223

摘要： 本发明涉及一种通过优化砷（As）分子类别控制N型砷化镓（GaAs）薄膜掺杂浓度的方法，该方法利用分子束外延（MBE）技术通过控制砷源的温度获得不同As2：As4比例的As束流，调节V族元素的粘附系数，促进掺杂元素Si占据Ga的位置。GaAs衬底经过除气、去除表面氧化层处理，外延适当厚度的非掺杂GaAs缓冲层，随后将As源升高至所需温度，打开Si源进行N型Si掺杂GaAs薄膜的外延生长。利用分子束外延技术在原子水平原位控制晶体生长，精确控制表面的成分和形态学。得到的N型Si掺杂GaAs薄膜具有较低的自补偿程度，高的载流子密度，以及低的晶格缺陷。通过反应速率可以精确控制薄膜的厚度，通过调节As束流中As2：As4的比例，掺杂源的温度及Ⅴ/Ⅲ束流比对薄膜进行掺杂控制。