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公开(公告)号：CN108470674B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810039796.X
申请日：2018-01-16
申请人： 长春理工大学
摘要： 本发明公开了一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法。该方法通过在GaAs纳米线外包覆GaAsSb外壳，利用GaAs和GaAsSb之间晶格失配产生的应力使GaAs纳米线晶体结构由WZ/ZB(纤锌矿/闪锌矿)结构转变为ZB(闪锌矿)纯相结构，解决现有GaAs纳米线材料生长技术中所制备的GaAs纳米线材料为WZ/ZB混相结构的难题。本发明中GaAs材料是在优化的生长温度、V/III束流比条件下通过V‑L‑S(气‑液‑固)生长机制获得，在进行GaAsSb生长时保持GaAs材料的生长温度及V/III束流比，加入V族元素Sb完成V‑S(气‑固)机制生长的GaAsSb包覆层，在轴向利用GaAsSb和GaAs两种合金由于晶格失配存在的应力实现GaAs纳米线由混相转变为纯相，实现纯ZB结构GaAs纳米线制备，为高质量、高性能GaAs纳米线器件奠定材料基础。
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公开(公告)号：CN109534279A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811411998.9
申请日：2018-11-26
申请人： 长春理工大学
摘要： 本发明涉及一种纳米线阵列器件的制备方法，该方法通过在生长纳米线的衬底上制备AlxGa1-xAs薄膜作为牺牲层，纳米线生长在AlxGa1-xAs上，用溶于丙酮溶液中的PMMA材料旋涂在纳米线样品表面完成PMMA对纳米线的固定。将被PMMA固定的纳米线样品放入HF酸腐蚀液中，利用HF酸对AlxGa1-xAs具有腐蚀作用，而HF酸对GaAs或InAs、PMMA没有腐蚀作用，从而使衬底表面的AlxGa1-xAs被腐蚀掉，GaAs纳米线及PMMA材料不与HF酸反应被完整的保留而得到可迁移的GaAs或InAs纳米线阵列。随后，在可迁移的纳米线阵列材料上表面制备p型金属电极，下表面制备n型金属电极，完成电极制备后将样品放进丙酮或甲苯溶液中浸泡除去PMMA并清洗干净后自然风干，获得GaAs或InAs纳米线阵列器件，解决现有技术中获得纳米阵列器件存在工艺困难的难题。
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公开(公告)号：CN108470674A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810039796.X
申请日：2018-01-16
申请人： 长春理工大学
摘要： 本发明公开了一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法。该方法通过在GaAs纳米线外包覆GaAsSb外壳，利用GaAs和GaAsSb之间晶格失配产生的应力使GaAs纳米线晶体结构由WZ/ZB(纤锌矿/闪锌矿)结构转变为ZB(闪锌矿)纯相结构，解决现有GaAs纳米线材料生长技术中所制备的GaAs纳米线材料为WZ/ZB混相结构的难题。本发明中GaAs材料是在优化的生长温度、V/III束流比条件下通过V-L-S(气-液-固)生长机制获得，在进行GaAsSb生长时保持GaAs材料的生长温度及V/III束流比，加入V族元素Sb完成V-S(气-固)机制生长的GaAsSb包覆层，在轴向利用GaAsSb和GaAs两种合金由于晶格失配存在的应力实现GaAs纳米线由混相转变为纯相，实现纯ZB结构GaAs纳米线制备，为高质量、高性能GaAs纳米线器件奠定材料基础。
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公开(公告)号：CN114235700B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202111570140.9
申请日：2021-12-21
申请人： 长春理工大学
摘要： 本发明涉及气体检测技术领域，公开了一种多组分气体浓度检测装置及方法。本发明提供的痕量气体浓度检测装置由宽谱调谐激光光源、光纤准直器、分束取样板、激光波长监测模块、调制信号发生器、激光器控制电路模块、透镜组、可对腔镜精确控制温度的衰荡腔、衰荡腔温度控制模块、聚焦透镜、探测器、数据收集与分析处理电路模块构成。利用电流或温度控制实现半导体激光器的宽谱调谐，覆盖待测多组分气体的特征吸收谱线。同时，对控制衰荡腔镜温度调节腔镜的折射率，实现激光波长与衰荡腔的模式匹配，解决现有激光吸收光谱气体检测技术不能对多组分气体进行检测的问题。
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公开(公告)号：CN114481308A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111636119.4
申请日：2021-12-29
申请人： 长春理工大学
摘要： 一种用MBE横向生长纳米线的方法。本发明涉及微纳光波导领域，公开了一种半导体纳米线光波导材料的制备方法。本发明提供的纳米线横向生长方法包括：衬底表面氧化层去除、衬底表面台阶制备、台阶衬底表面热氧化形成氧化层、台阶侧壁圆形窗口制备、台阶下低平面上沟槽制备、处理后的衬底表面清洗、处理后的衬底在分子束外延设备中横向生长纳米线。本发明利用侧壁圆形窗口、低平面上沟槽结合金属液滴引导纳米线横向生长，有效解决现阶段制备纳米线的方法中无法实现纳米线横向生长的问题，获得晶体质量好的横向纳米线材料。
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公开(公告)号：CN114235701A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111570147.0
申请日：2021-12-21
申请人： 长春理工大学
摘要： 本发明涉及气体检测技术领域，公开了一种可对检测结果进行实时自校准痕量气体浓度的检测装置。本发明提供的痕量气体浓度检测装置由DFB激光器、分束取样板、激光波长监测模块、激光器控制电路模块、中性分束镜、准直器、模式匹配透镜组、实时自校准衰荡腔、聚焦透镜、探测器、数据收集与分析处理电路模块构成。利用密闭式衰荡腔检测参数对开放式衰荡腔气体检测参数进行实时校准，解决现有腔衰荡光谱气体检测技术检测过程繁琐、更换光源对另一种气体检测时需要重新测定空腔参数、空腔衰荡参数不能根据检测环境变化实时更新的问题，具有检测步骤简单、检测结果误差较小、气体检测时可以实时自校准的特点。
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公开(公告)号：CN108183391B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810006341.8
申请日：2018-01-04
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： H01S5/323
摘要： 本发明公开了一种提高n型GaSb基半导体激光器材料载流子掺杂浓度的方法。该方法通过在掺杂源源炉上设置高温裂解装置实现多聚体掺杂源裂解为单原子分子，使掺杂源以单原子分子的形式掺杂到材料内部，所涉及的高温裂解装置上设有针阀，所述针阀可以控制合适强度的多聚体掺杂源进入高温裂解装置，使多聚体形式的掺杂源在裂解装置中充分裂解为单原子分子形式。本发明公开的这种方法利用特殊设计的掺杂源高温裂解装置获得单原子分子的Te分子束流，解决传统Te源以多聚体形式掺杂所导致的掺杂浓度低、材料外延质量差的问题，以Te单原子分子形式可实现掺杂浓度达到1×1019cm‑3及以上，满足2μm波段GaSb基半导体激光器器件制作要求。
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公开(公告)号：CN105428225A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410456773.0
申请日：2014-09-10
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： H01L21/223
摘要： 本发明涉及一种通过优化砷（As）分子类别控制N型砷化镓（GaAs）薄膜掺杂浓度的方法，该方法利用分子束外延（MBE）技术通过控制砷源的温度获得不同As2：As4比例的As束流，调节V族元素的粘附系数，促进掺杂元素Si占据Ga的位置。GaAs衬底经过除气、去除表面氧化层处理，外延适当厚度的非掺杂GaAs缓冲层，随后将As源升高至所需温度，打开Si源进行N型Si掺杂GaAs薄膜的外延生长。利用分子束外延技术在原子水平原位控制晶体生长，精确控制表面的成分和形态学。得到的N型Si掺杂GaAs薄膜具有较低的自补偿程度，高的载流子密度，以及低的晶格缺陷。通过反应速率可以精确控制薄膜的厚度，通过调节As束流中As2：As4的比例，掺杂源的温度及Ⅴ/Ⅲ束流比对薄膜进行掺杂控制。
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公开(公告)号：CN114481308B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202111636119.4
申请日：2021-12-29
申请人： 长春理工大学
摘要： 一种用MBE横向生长纳米线的方法。本发明涉及微纳光波导领域，公开了一种半导体纳米线光波导材料的制备方法。本发明提供的纳米线横向生长方法包括：衬底表面氧化层去除、衬底表面台阶制备、台阶衬底表面热氧化形成氧化层、台阶侧壁圆形窗口制备、台阶下低平面上沟槽制备、处理后的衬底表面清洗、处理后的衬底在分子束外延设备中横向生长纳米线。本发明利用侧壁圆形窗口、低平面上沟槽结合金属液滴引导纳米线横向生长，有效解决现阶段制备纳米线的方法中无法实现纳米线横向生长的问题，获得晶体质量好的横向纳米线材料。
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公开(公告)号：CN114235701B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202111570147.0
申请日：2021-12-21
申请人： 长春理工大学
摘要： 本发明涉及气体检测技术领域，公开了一种可对检测结果进行实时自校准痕量气体浓度的检测装置。本发明提供的痕量气体浓度检测装置由DFB激光器、分束取样板、激光波长监测模块、激光器控制电路模块、中性分束镜、准直器、模式匹配透镜组、实时自校准衰荡腔、聚焦透镜、探测器、数据收集与分析处理电路模块构成。利用密闭式衰荡腔检测参数对开放式衰荡腔气体检测参数进行实时校准，解决现有腔衰荡光谱气体检测技术检测过程繁琐、更换光源对另一种气体检测时需要重新测定空腔参数、空腔衰荡参数不能根据检测环境变化实时更新的问题，具有检测步骤简单、检测结果误差较小、气体检测时可以实时自校准的特点。
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