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公开(公告)号：CN115165118A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210646819.X
申请日：2022-06-08
Applicant: 长安大学
IPC: G01J5/35
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的火焰强度检测系统，包括电压转换模块、红外传感器模块、忆阻器模块和忆阻器电压取值放大模块；所述电压转换模块依次与红外传感器模块和忆阻器模块组成回路，所述忆阻器电压取值模块与忆阻器模块相连接；所述忆阻器模块包括由n个正向忆阻器组成的正向忆阻器组和由n个反向忆阻器组成的反向忆阻器组，其中，正向忆阻器与反向忆阻器串联连接构成一组反向串联忆阻器，共得到n组反向串联忆阻器，且该n组反向串联忆阻器并联构成并联结构。本发明不需要后期的运算电路或者处理器，实现了对火焰强度大小的测量，适用于火焰燃烧强度大且不稳定情况下长时间的持续测量，功耗低，测量范围大，结构简单。
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公开(公告)号：CN107678247B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201710743725.3
申请日：2017-08-25
Applicant: 长安大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成曝光量测量器件，包括半导体衬底，半导体衬底上从下至上依次设置有绝缘层、导电金属层、金属氧化物结构、导电金属结构、光敏材料层、保护层；金属氧化物结构包括对称设置在导电金属层上的第一金属氧化物块和第二金属氧化物块；导电金属结构包括设置在第一金属氧化物块上的第一导电金属块和设置在第二金属氧化物块上的第二导电金属块；保护层上设置有第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，所述第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极均贯穿保护层，其中第二金属电极与光敏材料相接触，第一金属电极和第三金属电极均与绝缘层相接触。本发明可集成且作为独立器件使用，具有应用范围广和使用方便的优点。
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公开(公告)号：CN105391416B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201510923241.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 长安大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 本发明公开了一种负载阻抗匹配装置及匹配方法，属于阻抗匹配领域。所述发明包括声表面波器件适配座，在其一端连接有端口一匹配电路单元，在其另一端连接有端口二匹配电路单元，端口一匹配电路单元与第一接头相连，在端口二匹配电路单元与第二接头相连。本发明通过该装置中四个单刀双掷开关状态的调节，分别构成与待测声表面波器件对应的未匹配通道及匹配通道，从而使待测声表面波器件一步完成负载阻抗匹配。相对于现有技术，避免了在整个过程中对多个硬件进行拆卸这一情况的发生，并且可以针对两个端口分别设计不同的无源负载阻抗匹配网络，灵活处理使两端口同时达到阻抗匹配中心点，减少传输线上的反射波，提高了声表面波信号的传输效率和质量。
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公开(公告)号：CN103457465B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310426167.X
申请日：2013-09-17
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种具有外部可调限流功能的恒流/恒压DC-DC转换系统，该系统包括外部可调限流电路、电流误差放大电路、电压误差放大电路、振荡器、斜坡电流采样电路、PWM产生电路、逻辑驱动电路和输出电路；外部可调限流电路使得该系统具有外部可调限流功能，不仅能够精确调整系统的限流阈值，增加系统应用的灵活性，又可在系统空载时避免大电流的产生，能有效保护系统电路正常工作。本发明系统结构简单，节省芯片面积，适用于具有精确限流要求的电源芯片。
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公开(公告)号：CN103033276B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210580213.7
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G01K7/01 , H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅温度传感器及其制造方法，其传感器包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部设有圆形肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设有圆环形N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间以及欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设有二氧化硅层；其制造方法包括步骤：一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极，七、热退火。本发明设计合理，线性度和封装密度好，有利于集成，推广应用价值高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103457465A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310426167.X
申请日：2013-09-17
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种具有外部可调限流功能的恒流/恒压DC-DC转换系统，该系统包括外部可调限流电路、电流误差放大电路、电压误差放大电路、振荡器、斜坡电流采样电路、PWM产生电路、逻辑驱动电路和输出电路；外部可调限流电路使得该系统具有外部可调限流功能，不仅能够精确调整系统的限流阈值，增加系统应用的灵活性，又可在系统空载时避免大电流的产生，能有效保护系统电路正常工作。本发明系统结构简单，节省芯片面积，适用于具有精确限流要求的电源芯片。
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公开(公告)号：CN103177717A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310045633.X
申请日：2013-02-05
Applicant: 长安大学
IPC: G10K9/122
Abstract: 本发明公开了一种Rayleigh波与love波双模式声波产生器件，包括在同一压电基片材料上制作Love波激发叉指换能器和Love波接收叉指换能器，还包括覆盖在激发叉指换能器、接收叉指换能器和压电基片上的压电波导层，还包括制作在所述压电波导层上的Rayleigh波激发叉指换能器和Rayleigh波接收叉指换能器。该器件结构简单，便于制作，能够在同一个器件上产生Rayleigh波与love波两种模式的声波。
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公开(公告)号：CN102739188A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210222977.9
申请日：2012-06-29
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种单向体声波抑制型声表面波器件，包括在同一基片材料上制作的输入换能器、多条耦合器、输出换能器，其中，多条耦合器的高度等于输入换能器的高度与输出换能器的高度之和，且输入换能器与多条耦合器的上边沿位于同一条直线，输出换能器与多条耦合器的下边沿位于同一条直线，输入换能器的下边沿和输出换能器的上边沿位于同一条直线；所述输入换能器与多条耦合器之间的区域为第一区域，所述多条耦合器与输出换能器之间的区域为第二区域。本发明将单向叉指换能器和全转移多条耦合器组合用于结构设计，因此，在器件性能方向与非单向叉指换能器及无全转移多条耦合器的声表面波器件相比，具有同时降低损耗和抑制体声波的特点。
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公开(公告)号：CN111221023A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911022687.8
申请日：2019-10-25
Applicant: 长安大学
IPC: G01T1/17
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，包括紫外光接收模块、忆阻器放大模块、测量开关、忆阻器阵列模块、忆阻器复位模块和忆阻器误差调理模块；紫外光接收模块连接忆阻器放大模块的输入端，忆阻器放大模块连接测量开关，开关另一端连接忆阻器阵列模块和忆阻器组织复位模块，忆阻器阵列模块与忆阻器复位模块的输出端连接，再与忆阻器误差调理模块的输入端连接；紫外光接收模块包括偏置电压、保护电阻、雪崩二极管和紫外偏振片；偏置电压的输出端连接保护电阻，保护电阻的另一端连接雪崩二极管。本发明利用忆阻器的阻值变化来测量紫外辐射的累积量，从而提高了累积测量准确度，解决了传统测量电路损耗过高的问题。
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公开(公告)号：CN109343097B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811054735.7
申请日：2018-09-11
Applicant: 长安大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的核辐射累积剂量测量系统，包括核辐射传感器、放大器、测量开关S1、限流电阻、并联忆阻器模块、忆阻器阻值信息处理电路和忆阻器复位电路模块；核辐射传感器依次通过放大器、测量开关S1、限流电阻与并联忆阻器模块相连接，所述忆阻器阻值信息处理电路与并联忆阻器模块相连接，所述忆阻器复位电路模块与并联忆阻器模块并联连接；并联忆阻器模块包括并联连接的n支反向串联忆阻器支路，每一支反向串联忆阻器支路包括串联连接的正向忆阻器和反向忆阻器，其中n为大于等于2且小于等于8的自然数。
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