铋-碲基热电合金的制备方法

    公开(公告)号:CN1333093C

    公开(公告)日:2007-08-22

    申请号:CN200510123303.3

    申请日:2005-11-17

    Abstract: 本发明属于热电材料技术领域,涉及热电合金及其制备方法。本发明铋-碲基热电材料的制备方法其工艺步骤包括配料、熔炼快淬、粉碎和球磨、压制和机加工。通过真空熔炼法使单质合金化,熔炼温度为500~750℃,熔炼时间为10~20h;使用冷淬法,进行非晶化处理;对熔炼得到的非晶合金进行球磨,球磨时间2~20h,球料比5∶1~10∶1;所得粉末真空干燥后在真空或惰性气体保护下,进行热压或热剪切挤压处理,热压温度为350~550℃,升温速率150~500℃/小时,热压时间30~90min,压力30~150MPa。热剪切挤压温度为400~550℃,挤压比为1.2~4。本方法可制得高密度、高热电优值的半导体热电合金,材料的利用率、可加工性、产品可靠性可大大提高,生产成本显著降低,具有良好的产业前景。

    铋-碲基热电合金的制备方法

    公开(公告)号:CN1757774A

    公开(公告)日:2006-04-12

    申请号:CN200510123303.3

    申请日:2005-11-17

    Abstract: 本发明属于热电材料技术领域,涉及热电合金及其制备方法。本发明铋-碲基热电材料的制备方法其工艺步骤包括配料、熔炼快淬、粉碎和球磨、压制和机加工。通过真空熔炼法使单质合金化,熔炼温度为500~750℃,熔炼时间为10~20h;使用冷淬法,进行非晶化处理;对熔炼得到的非晶合金进行球磨,球磨时间2~20h,球料比5∶1~10∶1;所得粉末真空干燥后在真空或惰性气体保护下,进行热压或热剪切挤压处理,热压温度为350~550℃,升温速率150~500℃/小时,热压时间30~90min,压力30~150MPa。热剪切挤压温度为400~550℃,挤压比为1.2~4。本方法可制得高密度、高热电优值的半导体热电合金,材料的利用率、可加工性、产品可靠性可大大提高,生产成本显著降低,具有良好的产业前景。

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