-
公开(公告)号：CN110172668B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201910433388.7
申请日：2019-05-23
Applicant: 钢铁研究总院
Abstract: 本发明属于纳米材料制备领域，尤其涉及一种金属/氧化物核壳结构纳米颗粒制备的方法及其纳米颗粒。本发明对需要的靶材进行如下溅射：在溅射室内使得靶材形成金属或合金内核的等离子纳米束流；然后进入过渡室，在过渡室通入流量可调的氧气使等离子纳米束流的颗粒表层氧化形成氧化物壳层，得到尺寸均一的核壳结构纳米颗粒。本发明适用于多种可溅射的易氧化金属或合金的氧化物包覆的核壳结构纳米颗粒的制备；通过控制氧气流量可对包覆的氧化层厚度进行控制；溅射环境冷却系统保证所制备纳米颗粒的尺寸均一。
-
公开(公告)号：CN110172668A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910433388.7
申请日：2019-05-23
Applicant: 钢铁研究总院
Abstract: 本发明属于纳米材料制备领域，尤其涉及一种金属/氧化物核壳结构纳米颗粒制备的方法及其纳米颗粒。本发明对需要的靶材进行如下溅射：在溅射室内使得靶材形成金属或合金内核的等离子纳米束流；然后进入过渡室，在过渡室通入流量可调的氧气使等离子纳米束流的颗粒表层氧化形成氧化物壳层，得到尺寸均一的核壳结构纳米颗粒。本发明适用于多种可溅射的易氧化金属或合金的氧化物包覆的核壳结构纳米颗粒的制备；通过控制氧气流量可对包覆的氧化层厚度进行控制；溅射环境冷却系统保证所制备纳米颗粒的尺寸均一。
-
公开(公告)号：CN104073767A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410279632.6
申请日：2014-06-20
Applicant: 钢铁研究总院
Abstract: 一种均匀、高致密度纳米颗粒薄膜的制备装置和方法，该装置包括溅射靶枪(3)、基片(15)、样品台(16)、溅射室(1)、过渡室(10)、沉积室(25)、高电压系统(27)、过渡室真空系统(28)和沉积室真空系统(31)，本发明的关键在于，通过在衬底上施加电压，吸引由气相团簇束流源产生的等离子纳米颗粒束流中与施加电场电性相反的颗粒，使其加速撞向基底，促进沉积颗粒的密集堆积。通过电机驱动使样品台旋转，粒子高速、均匀地沉积在基片表面，形成均匀、高致密度的薄膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104532202A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510031692.0
申请日：2015-01-22
Applicant: 钢铁研究总院
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/3407
Abstract: 本发明属于磁控溅射镀膜生产设备技术领域，具体涉及一种用于中低真空的磁控溅射靶阴极，该磁控溅射靶阴极包括阴极体外壳(1)、靶材(2)、外磁体(3)、内磁体(4)、基座(5)和冷却通道(6)，其中，阴极体外壳(1)为中空的圆筒形，圆筒侧壁镶嵌有外磁体(3)，阴极体外壳(1)中心设置内磁体(4)，内磁体(4)与阴极体外壳(1)之间为冷却通道(6)；阴极体外壳(1)上表面为靶材(2)，下表面为基座(5)；内磁体(4)和外磁体(3)有1～10mm的高度差。本发明通过优化磁控溅射靶阴极结构的方法来提高靶材利用率，结构简单，可操作性强，性能可靠。
-
公开(公告)号：CN104532202B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510031692.0
申请日：2015-01-22
Applicant: 钢铁研究总院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明属于磁控溅射镀膜生产设备技术领域，具体涉及一种用于中低真空的磁控溅射靶阴极，该磁控溅射靶阴极包括阴极体外壳(1)、靶材(2)、外磁体(3)、内磁体(4)、基座(5)和冷却通道(6)，其中，阴极体外壳(1)为中空的圆筒形，圆筒侧壁镶嵌有外磁体(3)，阴极体外壳(1)中心设置内磁体(4)，内磁体(4)与阴极体外壳(1)之间为冷却通道(6)；阴极体外壳(1)上表面为靶材(2)，下表面为基座(5)；内磁体(4)和外磁体(3)有1～10mm的高度差。本发明通过优化磁控溅射靶阴极结构的方法来提高靶材利用率，结构简单，可操作性强，性能可靠。
-
公开(公告)号：CN104073767B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410279632.6
申请日：2014-06-20
Applicant: 钢铁研究总院
Abstract: 一种均匀、高致密度纳米颗粒薄膜的制备装置和方法，该装置包括溅射靶枪(3)、基片(15)、样品台(16)、溅射室(1)、过渡室(10)、沉积室(25)、高电压系统(27)、过渡室真空系统(28)和沉积室真空系统(31)，本发明的关键在于，通过在衬底上施加电压，吸引由气相团簇束流源产生的等离子纳米颗粒束流中与施加电场电性相反的颗粒，使其加速撞向基底，促进沉积颗粒的密集堆积。通过电机驱动使样品台旋转，粒子高速、均匀地沉积在基片表面，形成均匀、高致密度的薄膜。
-
公开(公告)号：CN206127397U
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201621085002.6
申请日：2016-09-27
Applicant: 钢铁研究总院 , 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及纳米材料制备领域，尤其是用于纳米颗粒的制备的孔径可调的气孔装置，其包括内真空室(1)、外真空室(9)和真空室前法兰(2)、气孔板(4)和密封机构(5)，真空室前法兰(2)固接在内真空室(1)的出口端，真空室前法兰(2)上开有通道(10)，通道(10)的出端设有气孔板(4)；气孔板(4)上开有多组孔径不同的气孔(8)，气孔板(4)上不同孔径的气孔可调节的与通道(10)匹配，通道(10)与气孔板(4)之间有气体密封的密封机构(5)。本实用新型的气孔装置，在不破坏真空的条件下，可以通过驱动装置驱动气孔板进行旋转以改变气孔孔径，从而生产出尺寸均一可控的纳米颗粒，提高生产效率，节约资源。
-
公开(公告)号：CN207035643U
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201720755090.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 钢铁研究总院
Abstract: 本实用新型属于纳米材料制备领域，涉及一种真空下用于纳米颗粒制备的冷却装置，设置于溅射靶(11)的溅射区域外部；该冷却装置为中空圆柱体，包括冷却室外壁(3)和冷却室内壁(4)；在冷却室外壁(3)和冷却室内壁(4)构成的冷却室前端，对称设置有进液口(1)和出液口(2)；所述冷却室外壁(3)和冷却室内壁(4)之间设置有中间隔板(5)，中间隔板(5)将冷却室分割为内冷却室(9)和外冷却室(10)。本实用新型的冷却装置，在冷却液流速不变的前提下，提高热交换效率，使工作区域温度恒定，提高所制备纳米颗粒的均匀性。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.015 seconds)
