一种水辅助等离子体与光催化剂协同转化二氧化碳的系统及方法

    公开(公告)号:CN115504469B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202211165938.X

    申请日:2022-09-23

    Abstract: 蒸气以提高光催化剂表面的电导率,进而共同实本发明涉及一种水辅助等离子体与光催化 现CO2向CO的高效转换。剂协同转化二氧化碳的系统及方法,属于CO2综合利用技术领域。本发明提供了一种水辅助等离子体与光催化剂协同转化二氧化碳的方法,该方法如下:将CO2集气瓶中的CO2通过气体流量计调节流量,CO2再通过鼓泡器进气口端进入鼓泡器中,鼓泡器的加热温度和通入CO2的气体流量共同调节水蒸气流量,CO2携带水蒸气从鼓泡器出气口端进入填充有光催化剂的等离子体反应装置中进行反应,产生的CO通过气体接收装置收(56)对比文件Qiang Huang et al..Carbon DioxideConversion Synergistically Activated byDielectric Barrier Discharge Plasma andthe CsPbBr3@TiO2 Photocatalyst《.J. Phys.Chem. Lett.》.2022,第13卷第2419页第3段;第2424页第4段和图9.Chunling Wang et al..Recent progressin visible light photocatalyticconversion of carbon dioxide《.Journal ofMaterials Chemistry A》.2018,第7卷第867页第2段、第5-6段.

    一种转化二氧化碳的光催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115041200A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210892359.9

    申请日:2022-07-27

    Abstract: 本发明涉及一种转化二氧化碳的光催化剂及其制备方法和应用,属于二氧化碳转化技术领域。本发明公开了一种转化二氧化碳的光催化剂,该光催化剂是以二硫化铼(ReS2)纳米材料为生长基底,然后将Cs2PtI6生长在二硫化铼(ReS2)纳米材料表面形成的Cs2PtI6/ReS2复合材料,本发明的光催化剂能够在可见光照射下催化二氧化碳的转化,且制备方法简单、重复性高、不需要复杂的反应控制条件,可进行大批量生产,有利于该光催化剂的工业化应用。

    一种转化二氧化碳的光催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115041200B

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202210892359.9

    申请日:2022-07-27

    Abstract: 本发明涉及一种转化二氧化碳的光催化剂及其制备方法和应用,属于二氧化碳转化技术领域。本发明公开了一种转化二氧化碳的光催化剂,该光催化剂是以二硫化铼(ReS2)纳米材料为生长基底,然后将Cs2PtI6生长在二硫化铼(ReS2)纳米材料表面形成的Cs2PtI6/ReS2复合材料,本发明的光催化剂能够在可见光照射下催化二氧化碳的转化,且制备方法简单、重复性高、不需要复杂的反应控制条件,可进行大批量生产,有利于该光催化剂的工业化应用。

    一种水辅助等离子体与光催化剂协同转化二氧化碳的系统及方法

    公开(公告)号:CN115504469A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202211165938.X

    申请日:2022-09-23

    Abstract: 本发明涉及一种水辅助等离子体与光催化剂协同转化二氧化碳的系统及方法,属于CO2综合利用技术领域。本发明提供了一种水辅助等离子体与光催化剂协同转化二氧化碳的方法,该方法如下:将CO2集气瓶中的CO2通过气体流量计调节流量,CO2再通过鼓泡器进气口端进入鼓泡器中,鼓泡器的加热温度和通入CO2的气体流量共同调节水蒸气流量,CO2携带水蒸气从鼓泡器出气口端进入填充有光催化剂的等离子体反应装置中进行反应,产生的CO通过气体接收装置收集,同时采用等离子体功率发生器调节等离子体反应装置的功率。该方法在由电能产生的高能等离子体与环境友好的光催化剂中,引入廉价的水蒸气以提高光催化剂表面的电导率,进而共同实现CO2向CO的高效转换。

    一种贵金属双沉积量子点光催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113275021B

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202110632744.5

    申请日:2021-06-07

    Abstract: 本发明涉及一种贵金属双沉积量子点光催化剂及其制备方法和应用,属于光催化剂制备技术领域。本发明公开了一种贵金属双沉积量子点光催化剂的制备方法,通过制备Cu2O QDS纳米颗粒解决晶粒尺寸的问题,有利于提升光催化剂的量子效率(光子的能量与波长的倒数成比例),将Cu2O QDS(Cu2O量子点)附着在3D微球状的ReS2上,并在此基础上通过光照将Pt与Au沉积上去,同时微量调控Pt与Au贵金属的质量比,找到ReS2/Cu2O QDS、Pt、Au三者之间最优化的比例,相互协同作用促进光生电子‑空穴分离,提升光催化效率,本发明的光催化剂制备方法简单、易操作、对设备要求不高、成本低、能耗低,适于工业应用。

    一种贵金属双沉积量子点光催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113275021A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110632744.5

    申请日:2021-06-07

    Abstract: 本发明涉及一种贵金属双沉积量子点光催化剂及其制备方法和应用,属于光催化剂制备技术领域。本发明公开了一种贵金属双沉积量子点光催化剂的制备方法,通过制备Cu2O QDS纳米颗粒解决晶粒尺寸的问题,有利于提升光催化剂的量子效率(光子的能量与波长的倒数成比例),将Cu2O QDS(Cu2O量子点)附着在3D微球状的ReS2上,并在此基础上通过光照将Pt与Au沉积上去,同时微量调控Pt与Au贵金属的质量比,找到ReS2/Cu2O QDS、Pt、Au三者之间最优化的比例,相互协同作用促进光生电子‑空穴分离,提升光催化效率,本发明的光催化剂制备方法简单、易操作、对设备要求不高、成本低、能耗低,适于工业应用。

    一种集成电路加工用贴片装置

    公开(公告)号:CN216852991U

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202122779255.0

    申请日:2021-11-12

    Abstract: 本实用新型请求保护一种集成电路加工用贴片装置,涉及集成电路板加工设备技术领域。本实用新型包括操作台,所述操作台的上方安装有承载板,所述承载板上构造有多个用于卡放机壳且限制其位置的凹槽,所述承载板的一侧竖直向安装有导向机构,所述导向机构外滑动设置有操作板,所述操作板对应所述凹槽处构造有操作槽,所述操作槽的内底壁安装有夹持半导体晶片的夹持机构。本实用新型通过夹持机构来夹持半导体晶片,来避免人工拿半导体晶片片时因手部晃动,半导体晶片片被机壳侧壁磕碰到,导致产生次品的问题,其次操作板带动夹持机构向着承载板运动时为机械动作,使其速度与精度远优于人工操作,因此大大的增加了贴片效率。

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