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公开(公告)号:CN113042049A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202110287345.X
申请日:2021-03-17
申请人: 重庆邮电大学
摘要: 本发明涉及一种半导体光催化剂及其制备方法和应用,属于光电催化剂技术领域。该半导体光催化剂由ReS2与泡沫Cu2O/Cu复合而成,该催化剂能够在光照下提升光生载流子的分离速度,从而提升光催化还原CO2的效率,对解决CO2过多排放所造成的环境问题和能源危机具有良好实际应用前景,且该催化剂合成方法简单,易操作,对设备要求不高,低成本,低能耗,适合扩大化生产。
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公开(公告)号:CN113275021B
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN202110632744.5
申请日:2021-06-07
申请人: 重庆邮电大学
摘要: 本发明涉及一种贵金属双沉积量子点光催化剂及其制备方法和应用,属于光催化剂制备技术领域。本发明公开了一种贵金属双沉积量子点光催化剂的制备方法,通过制备Cu2O QDS纳米颗粒解决晶粒尺寸的问题,有利于提升光催化剂的量子效率(光子的能量与波长的倒数成比例),将Cu2O QDS(Cu2O量子点)附着在3D微球状的ReS2上,并在此基础上通过光照将Pt与Au沉积上去,同时微量调控Pt与Au贵金属的质量比,找到ReS2/Cu2O QDS、Pt、Au三者之间最优化的比例,相互协同作用促进光生电子‑空穴分离,提升光催化效率,本发明的光催化剂制备方法简单、易操作、对设备要求不高、成本低、能耗低,适于工业应用。
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公开(公告)号:CN114471628A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202210230614.3
申请日:2022-03-10
申请人: 重庆邮电大学
IPC分类号: B01J27/08 , C02F1/30 , C02F101/38
摘要: 本发明涉及一种钙钛矿光催化剂及其制备方法和应用,属于光催化剂制备技术领域。本发明公开了一种钙钛矿光催化剂(Cs2AgBiI6或Cs2AgBiI6‑GO)。Cs2AgBiI6在可见光照射下,其内部的电子从价带激发到导带,从而产生光生电子和空穴,电子被O2快速捕获,产生·O2‑自由基,然后·O2‑自由基与活性染料反应生成矿化产物,从而达到降解染料的目的;另外,氧化石墨烯(GO)具有特殊的物理和化学性质,能防止光催化剂团聚和提供快速的电荷转移通道,本发明的光催化剂对解决水资源中过多排放的有毒有害有机物所造成的环境问题具有良好实际应用前景,且该光催化剂合成方法简单,易操作,对设备要求不高,具有低成本和低能耗的优点。
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公开(公告)号:CN113275021A
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN202110632744.5
申请日:2021-06-07
申请人: 重庆邮电大学
摘要: 本发明涉及一种贵金属双沉积量子点光催化剂及其制备方法和应用,属于光催化剂制备技术领域。本发明公开了一种贵金属双沉积量子点光催化剂的制备方法,通过制备Cu2O QDS纳米颗粒解决晶粒尺寸的问题,有利于提升光催化剂的量子效率(光子的能量与波长的倒数成比例),将Cu2O QDS(Cu2O量子点)附着在3D微球状的ReS2上,并在此基础上通过光照将Pt与Au沉积上去,同时微量调控Pt与Au贵金属的质量比,找到ReS2/Cu2O QDS、Pt、Au三者之间最优化的比例,相互协同作用促进光生电子‑空穴分离,提升光催化效率,本发明的光催化剂制备方法简单、易操作、对设备要求不高、成本低、能耗低,适于工业应用。
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公开(公告)号:CN115007854B
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202210805672.4
申请日:2022-07-08
申请人: 重庆邮电大学
摘要: 本发明涉及一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用,属于电磁吸收剂的制备技术领域。本发明公开了一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法,主要是将片状FeSiAl系合金微粉加入四甲氧基硅烷(TMOS)进行搅拌反应,在FeSiAl合金微粉表面形成二氧化硅薄层包覆。本发明的制备方法条件简单、容易操作、成本低廉,且形成的包覆层厚度均匀,能够大批量制备得到二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂。
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公开(公告)号:CN115350716A
公开(公告)日:2022-11-18
申请号:CN202210562272.5
申请日:2022-05-23
申请人: 重庆邮电大学
IPC分类号: B01J27/138 , B01J35/00 , C02F1/30 , C02F101/30
摘要: 本发明涉及一种钙钛矿复合材料光催化剂及其制备方法和应用,属于光催化剂制备技术领域。本发明公开的光催化剂化学式为Cs2SnIxCl6‑x(其中x为0‑6),通过调节I和Cl的含量比,能够表现出阶梯化效果的降解效率,且都优于没有光催化剂时的降解速率。本发明公开的光催化剂Cs2SnIxCl6‑x在可见光照射下,其内部的电子从价带激发到导带,产生电子和空穴,少量空穴直接参与光催化反应;同时电子与O2分子反应,生成·O2‑自由基,·O2‑自由基又与H2O反应生成·OH直接与待降解物反应,从而达到降解的目的。
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公开(公告)号:CN115007854A
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN202210805672.4
申请日:2022-07-08
申请人: 重庆邮电大学
摘要: 本发明涉及一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用,属于电磁吸收剂的制备技术领域。本发明公开了一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法,主要是将片状FeSiAl系合金微粉加入四甲氧基硅烷(TMOS)进行搅拌反应,在FeSiAl合金微粉表面形成二氧化硅薄层包覆。本发明的制备方法条件简单、容易操作、成本低廉,且形成的包覆层厚度均匀,能够大批量制备得到二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂。
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公开(公告)号:CN113042049B
公开(公告)日:2022-08-26
申请号:CN202110287345.X
申请日:2021-03-17
申请人: 重庆邮电大学
摘要: 本发明涉及一种半导体光催化剂及其制备方法和应用,属于光电催化剂技术领域。该半导体光催化剂由ReS2与泡沫Cu2O/Cu复合而成,该催化剂能够在光照下提升光生载流子的分离速度,从而提升光催化还原CO2的效率,对解决CO2过多排放所造成的环境问题和能源危机具有良好实际应用前景,且该催化剂合成方法简单,易操作,对设备要求不高,低成本,低能耗,适合扩大化生产。
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公开(公告)号:CN113975946A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202111274410.1
申请日:2021-10-29
申请人: 重庆邮电大学
摘要: 本发明涉及一种等离子体与光催化剂协同转化二氧化碳的方法,属于二氧化碳综合利用领域。方法主要是:在等离子体电源功率为60W的等离子体催化装置中,加入0.01g的光催化剂,以50mL/min的流速通入CO2,并进行等离子体放电反应10min,将CO2还原成CO。本发明的优点是:工艺简单,操作简便,成本低,有益于工业化生产。
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