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公开(公告)号：CN119376176A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411682870.1
申请日：2024-11-22
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种光源掩模协同优化方法，包括以下步骤：准备需要做SMO的图形，决定图形的最小周期，并提供光罩资讯；建立光学模型；利用建立好的光学模型，基于最小周期、光罩资讯进行初步的光源掩模协同优化，得到初步优化的光源形态与优化过的光罩关键尺寸；基于优化结果，将光罩制作出来后，实际进行曝光与显影，并收集实际晶圆上的光阻数据；基于光阻数据建立光阻模型，并使用光阻模型再次进行光源掩模协同优化，得到更精准的光源形态与光罩关键尺寸。本发明的光源掩模协同优化方法将光阻加入SMO过程，同时优化光源、光阻与光罩，有助于提升集成电路制造过程中膜层在曝光显影后的表现，提升DOF。
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