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公开(公告)号：CN110744163B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201911093810.5
申请日：2019-11-11
Applicant: 重庆理工大学
Abstract: 本发明公开了一种微电子制造中抗热迁移的微焊点结构，包括热端金属基底和冷端金属基底，所述热端金属基底的焊接面上设有Co‑P纳米晶薄膜，该Co‑P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%，所述冷端金属基底的焊接面上设有Ag纳米晶薄膜；所述热端金属基底和冷端金属基底通过锡基钎料连接，所述锡基钎料与Co‑P纳米晶薄膜和Ag纳米晶薄膜的连接处分别形成第一金属间化合物和第二金属间化合物。其在极端温度梯度条件下具有良好的抗热迁移性能和高可靠性，使用寿命长。还公开了一种微电子制造中抗热迁移微焊点的制备方法，工艺流程简单，工序少，成本低廉。
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公开(公告)号：CN110682021A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911093840.6
申请日：2019-11-11
Applicant: 重庆理工大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法，其包括如下步骤：步骤一，沉积薄膜，提供两块金属基底，在所述金属基底的焊接面上沉积有Co-P纳米晶薄膜，该Co-P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%；步骤二，钎焊，将两块金属基底的焊接面对准，以纯Sn作为钎料，利用浸焊在两块金属基底的焊接面之间制得Co-P/Sn/Ag微互连结构；步骤三，超声刻蚀处理，对制得的Co-P/Sn/Co-P微互连结构进行超声刻蚀处理，除去未反应的纯Sn钎料，在金属基底上得到Co-P/CoSn3结构；步骤四，回流焊，将刻蚀后的Co-P/CoSn3结构用SnAg锡膏连接，并进行回流焊，得到具有Co-P/SnAg/Co-P微互连结构的微焊点。其能够有效抑制使用过程中温度梯度造成的原子迁移，同时能够抑制界面IMC在热迁移下的继续生长，提高微焊点的可靠性。
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公开(公告)号：CN110744163A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911093810.5
申请日：2019-11-11
Applicant: 重庆理工大学
Abstract: 本发明公开了一种微电子制造中抗热迁移的微焊点结构，包括热端金属基底和冷端金属基底，所述热端金属基底的焊接面上设有Co-P纳米晶薄膜，该Co-P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%，所述冷端金属基底的焊接面上设有Ag纳米晶薄膜；所述热端金属基底和冷端金属基底通过锡基钎料连接，所述锡基钎料与Co-P纳米晶薄膜和Ag纳米晶薄膜的连接处分别形成第一金属间化合物和第二金属间化合物。其在极端温度梯度条件下具有良好的抗热迁移性能和高可靠性，使用寿命长。还公开了一种微电子制造中抗热迁移微焊点的制备方法，工艺流程简单，工序少，成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110146399A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910560569.6
申请日：2019-06-26
Applicant: 重庆理工大学
Abstract: 本发明公开了一种电子元件高低温实验装置，包括箱体、转动盘和电机，所述箱体中设有隔热板，隔热板将箱体分隔为上方的加热腔和下方的冷却腔，所述转动盘设于箱体内，盘面竖直穿过隔热板，一部分处于加热腔中，另一部分处于冷却腔中，所述转动盘的盘面设有用于放置试样的安装凸台，所述电机的转动杆伸入箱体内与转动盘的中心连接，试样在转动盘的带动下在加热腔和冷却腔之间切换。其能够提高加热和冷却效率，减少保温时间，并且变温响应迅速，加热和冷却均匀，提高高低温实验效率。
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公开(公告)号：CN110146399B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910560569.6
申请日：2019-06-26
Applicant: 重庆理工大学
Abstract: 本发明公开了一种电子元件高低温实验装置，包括箱体、转动盘和电机，所述箱体中设有隔热板，隔热板将箱体分隔为上方的加热腔和下方的冷却腔，所述转动盘设于箱体内，盘面竖直穿过隔热板，一部分处于加热腔中，另一部分处于冷却腔中，所述转动盘的盘面设有用于放置试样的安装凸台，所述电机的转动杆伸入箱体内与转动盘的中心连接，试样在转动盘的带动下在加热腔和冷却腔之间切换。其能够提高加热和冷却效率，减少保温时间，并且变温响应迅速，加热和冷却均匀，提高高低温实验效率。
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公开(公告)号：CN110682021B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201911093840.6
申请日：2019-11-11
Applicant: 重庆理工大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法，其包括如下步骤：步骤一，沉积薄膜，提供两块金属基底，在所述金属基底的焊接面上沉积有Co‑P纳米晶薄膜，该Co‑P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%；步骤二，钎焊，将两块金属基底的焊接面对准，以纯Sn作为钎料，利用浸焊在两块金属基底的焊接面之间制得Co‑P/Sn/Ag微互连结构；步骤三，超声刻蚀处理，对制得的Co‑P/Sn/Co‑P微互连结构进行超声刻蚀处理，除去未反应的纯Sn钎料，在金属基底上得到Co‑P/CoSn3结构；步骤四，回流焊，将刻蚀后的Co‑P/CoSn3结构用SnAg锡膏连接，并进行回流焊，得到具有Co‑P/SnAg/Co‑P微互连结构的微焊点。其能够有效抑制使用过程中温度梯度造成的原子迁移，同时能够抑制界面IMC在热迁移下的继续生长，提高微焊点的可靠性。
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公开(公告)号：CN110530926A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910929814.6
申请日：2019-09-29
Applicant: 重庆理工大学
Abstract: 本发明公开了一种电子封装微焊点在高温条件下的热迁移实验装置，包括底座，所述底座上设有横向滑轨，两个横向滑块滑动配合连接于横向滑轨上，一个横向滑块上固定有加热机构，另一个横向滑块上固定有冷却机构，所述加热机构的加热面和冷却机构的冷却面竖向布置；所述加热面和冷却面上可拆卸连接有用于横向放置试样的样品台，试样两端分别与加热机构的加热面和冷却机构的冷却面接触。其结构简单，能够适用于较高温度的热迁移实验，有效避免除温度梯度外其他因素对实验结果的影响，能够在钎料熔化的同时发生热迁移，使金属原子通过液态钎料发生迁移，可以极大地减小热迁移阻力，极大地提高热迁移效率。
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公开(公告)号：CN110243713A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910560572.8
申请日：2019-06-26
Applicant: 重庆理工大学
IPC: G01N3/60
Abstract: 本发明公开一种用于电子元件的快速冷热冲击实验装置及方法，包括往复运动组件以及上下布置的制热组件和制冷组件，制热组件包括防护罩，防护罩内壁设有用于安装线圈的容置槽，轴向设有容往复运动组件穿过的通孔；制冷组件包括箱体，箱体上表面与通孔对应的位置上设有能够开合的隔热板，箱体内装有冷却液；往复运动组件包括升降杆、载物台和加热盘，载物台固定于升降杆的下端且载物台中部设有容纳腔，加热盘固定于容纳腔中，上表面用于放置试样，试样在升降杆的带动下在制热组件和制冷组件之间进行往复移动。其能够实现对电子元件的封装焊点的快速冷热冲击，有效模拟电子元件实际服役过程中受到的冷热冲击，结构简单，成本低廉。
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