公开(公告)号：CN118835208A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410878146.X

申请日：2024-07-02

Applicant: 重庆文理学院

Inventor： 张腾飞 ,  徐照英 ,  苏永要 ,  王锦标 ,  尹尚奕 ,  郝涛 ,  阮海波 ,  黄伟九

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  G21F1/08

Abstract: 本发明涉及一种核用锆合金表面致密CrAl涂层的快速制备方法，包括以下步骤：S1、制备Zr‑4合金基体；S2、对Zr‑4合金基体表面进行溅射清洗，去除表面氧化层和污染物；S3、在Zr‑4合金基体表面采用直流磁控溅射技术(DCMS)与高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)复合技术沉积CrAl涂层。本技术方案，靶材离子自溅射主导溅射过程，可以使实现靶材溅射原子高度离化，并且与传统的DCMS相比，HiPIMS技术溅射出来的离子具有很高的离子能量，在薄膜的沉积过程中离子的轰击作用更大，有利于提高薄膜的质量，其晶粒尺寸更加致密，膜基结合力强，涂层质量更高。