公开(公告)号：CN101090138A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710078673.9

申请日：2007-07-02

Applicant: 重庆大学

Inventor： 潘银松 ,  孔谋夫 ,  林聚承 ,  张仁富

IPC: H01L31/105

Abstract: 本发明公开了一种P+PIN硅光电探测器，包括下部的N+层、中部的非掺杂本征层、上部含有P+型浓硼扩散层的硼扩散区，N+层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与所述P+型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具有一个通过光刻形成的入射光窗口，硼扩散区位于该入射窗口的下方，非掺杂本征层位于N+层与硼扩散区之间，所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层，该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P+型浓硼扩散层之间，P+型浓硼扩散层的厚度小于P型淡硼扩散层的厚度。本发明减薄了高浓度掺杂层的P+型半导体中的死层，并使单位时间内耗尽区内的光生电子—空穴对数目得以增加，使得探测器的响应度得以提高。

公开(公告)号：CN201078806Y

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200720124644.7

申请日：2007-07-03

Applicant: 重庆大学

Inventor： 潘银松 ,  孔谋夫 ,  林聚承 ,  张仁富

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/0352

Abstract: 本实用新型公开了一种硅光电检测器，硅光电检测器的N+层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与P+型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具有一个入射光窗口，硼扩散区位于该入射窗口的下方，非掺杂本征层位于N+层与硼扩散区之间，所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层，该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P+型浓硼扩散层之间，所述硼扩散区的面积小于非掺杂本征层的面积，P+型浓硼扩散层的厚度小于P型淡硼扩散层的厚度，一钝化薄膜层覆盖于P型欧姆接触层表面和入射光窗口底部。本实用新型减薄了高浓度掺杂层的P+型半导体中的死层，并使单位时间内耗尽区内的光生电子一空穴对数目得以增加，使得检测器的响应度得以提高。