公开(公告)号：CN101256167B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200810069564.5

申请日：2008-04-17

Applicant: 重庆大学

Inventor： 潘银松 ,  孔谋夫 ,  刘嘉敏 ,  李向全 ,  张仁富

IPC: G01N27/416

Abstract: 本发明公开了一种微阵列生物传感器的读出电路，包括缓冲输出单元，以及一个与微阵列生物传感器输出端连接的恒电位仪电流积分单元，该恒电位仪电流积分单元为微阵列生物传感器的工作电极和对电极之间提供一个恒定的偏置电压，并将来自于微阵列生物传感器的电流信号转换为电压信号；以及一个连接于恒电位仪电流积分单元与缓冲输出单元之间的相关双采样单元，该相关双采样单元采样恒电位仪电流积分单元输出的电压信号并作去噪处理后输出到缓冲输出单元。本发明能消除生物微电极传感器输出信号中的噪声信号，提高生物微电极传感器输出信号的信噪比。

公开(公告)号：CN101256167A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810069564.5

申请日：2008-04-17

Applicant: 重庆大学

Inventor： 潘银松 ,  孔谋夫 ,  刘嘉敏 ,  李向全 ,  张仁富

IPC: G01N27/416

Abstract: 本发明公开了一种微阵列生物传感器的读出电路，包括缓冲输出单元，以及一个与微阵列生物传感器输出端连接的恒电位仪电流积分单元，该恒电位仪电流积分单元为微阵列生物传感器的工作电极和对电极之间提供一个恒定的偏置电压，并将来自于微阵列生物传感器的电流信号转换为电压信号；以及一个连接于恒电位仪电流积分单元与缓冲输出单元之间的相关双采样单元，该相关双采样单元采样恒电位仪电流积分单元输出的电压信号并作去噪处理后输出到缓冲输出单元。本发明能消除生物微电极传感器输出信号中的噪声信号，提高生物微电极传感器输出信号的信噪比。

公开(公告)号：CN101090138A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710078673.9

申请日：2007-07-02

Applicant: 重庆大学

Inventor： 潘银松 ,  孔谋夫 ,  林聚承 ,  张仁富

IPC: H01L31/105

Abstract: 本发明公开了一种P+PIN硅光电探测器，包括下部的N+层、中部的非掺杂本征层、上部含有P+型浓硼扩散层的硼扩散区，N+层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与所述P+型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具有一个通过光刻形成的入射光窗口，硼扩散区位于该入射窗口的下方，非掺杂本征层位于N+层与硼扩散区之间，所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层，该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P+型浓硼扩散层之间，P+型浓硼扩散层的厚度小于P型淡硼扩散层的厚度。本发明减薄了高浓度掺杂层的P+型半导体中的死层，并使单位时间内耗尽区内的光生电子—空穴对数目得以增加，使得探测器的响应度得以提高。

公开(公告)号：CN201078806Y

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200720124644.7

申请日：2007-07-03

Applicant: 重庆大学

Inventor： 潘银松 ,  孔谋夫 ,  林聚承 ,  张仁富

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/0352

Abstract: 本实用新型公开了一种硅光电检测器，硅光电检测器的N+层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与P+型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具有一个入射光窗口，硼扩散区位于该入射窗口的下方，非掺杂本征层位于N+层与硼扩散区之间，所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层，该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P+型浓硼扩散层之间，所述硼扩散区的面积小于非掺杂本征层的面积，P+型浓硼扩散层的厚度小于P型淡硼扩散层的厚度，一钝化薄膜层覆盖于P型欧姆接触层表面和入射光窗口底部。本实用新型减薄了高浓度掺杂层的P+型半导体中的死层，并使单位时间内耗尽区内的光生电子一空穴对数目得以增加，使得检测器的响应度得以提高。