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公开(公告)号：CN119643598A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411747359.5
申请日：2024-12-02
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供一种大尺寸薄层材料的LabDCT表征方法，涉及材料技术领域。将薄层材料固定贴敷于空心管内或套设于空心管外，带有薄层材料的空心管置于LabDCT设备中进行表征，所述薄层材料包括箔材和薄膜材料。本发明通过设置空心管，将薄层材料贴敷于空心管内或套设于空心管外，并置于LabDCT设备中进行表征分析，该方法能够有效增加LabDCT表征材料的尺寸，扩宽了LabDCT仪器的应用范围，本发明所提供的装置和操作方法均简单可行，使用成本低。通过常用方法表征可以获得特殊几何形貌的薄层材料内部晶体取向和晶粒尺寸等重要信息，有利于推动对薄层材料科学研究的进一步发展，以及工业用薄层材料的检验方法等发展。
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公开(公告)号：CN111517314A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010339608.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: C01B32/194 , G01N21/65
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯检测方法，具体步骤如下：将电解质和高分子溶液混合的插层溶液分散在金属衬底/石墨烯层的表面，然后加热，使其渗入金属衬底/石墨烯层间，减弱金属衬底与石墨烯之间的耦合作用。本检测方法使得石墨烯的拉曼信号不再受到金属衬底的影响，进行快速检测，避免常规检测中二次转移对石墨烯的损伤，从而简化石墨烯薄膜生产过程中的质量监测环节。
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公开(公告)号：CN107761076A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710900502.3
申请日：2017-09-28
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/45561
Abstract: 本发明提出一种真空设备用可伸缩气体源装置，包括固定座，与真空设备的高真空腔室通过真空密封法兰固接；毛细气管，与固定座通过伸缩机构相连；伸缩机构，由至少两节伸缩管、弹簧、拉伸丝、绕线辊、旋转装置组成；微型电动阀，固定在圆环上；外部气体连接管，与伸缩管相对于固定座异侧布置，且与伸缩管连通；电极导入装置，与伸缩管相对于固定座异侧布置。本发明装置用以在高真空环境中进行反应，生长过程的原位观测，同时本发明提出一种利用脉冲局域的气体供应，可以在脉冲停止的时间窗口获得较好的真空度，从而可以利用该窗口来获得样品信息。
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公开(公告)号：CN104087801B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410327817.X
申请日：2014-07-10
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种抗腐蚀镁合金，该镁合金按质量百分比计由以下组分组成：Y：0.8～2.8％，Sn：0.2～1.6％，不可避免的杂质总量≤0.03％，其中Fe≤0.002％，Cu≤0.002％，Si≤0.001％，其余为镁。本发明还公开了提高该镁合金抗腐蚀性能的方法，首先将所述镁合金材料加热到450℃～520℃保温氧化6～8h，然后用70～80℃的水冷却氧化后的镁合金。本发明的镁合金含有Y、Sn，将合金材料加热到450℃～520℃保温氧化6～8h，并用温水冷却后可以在镁合金表面获得一层具有优异抗腐蚀性能的氧化层。
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公开(公告)号：CN104087801A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410327817.X
申请日：2014-07-10
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种抗腐蚀镁合金，该镁合金按质量百分比计由以下组分组成：Y：0.8～2.8％，Sn：0.2～1.6％，不可避免的杂质总量≤0.03％，其中Fe≤0.002％，Cu≤0.002％，Si≤0.001％，其余为镁。本发明还公开了提高该镁合金抗腐蚀性能的方法，首先将所述镁合金材料加热到450℃～520℃保温氧化6～8h，然后用70～80℃的水冷却氧化后的镁合金。本发明的镁合金含有Y、Sn，将合金材料加热到450℃～520℃保温氧化6～8h，并用温水冷却后可以在镁合金表面获得一层具有优异抗腐蚀性能的氧化层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109811175A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910230356.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于石墨烯-铜复合材料领域，公开了一种石墨烯-铜复合材料制备方法，通过气相沉积法使铜箔双面生长石墨烯，再将两片以上的双面生长了石墨烯的铜箔通过真空热压工艺压合成为一块石墨烯-铜复合材料，其中真空热压过程的压力与温度同步梯度上升。本发明通过气相沉积法使得单层石墨烯生长在铜箔的两面，再经真空热压工艺压合成石墨烯-铜复合材料，从而石墨烯较均匀地分布在铜箔的双面，使得复合材料具有良好的力学性能、导电性能和导热性能；同时真空热压过程压力与温度同步梯度上升，规避了真空热压过程中双面生长了石墨烯的铜箔内产生较大的热应力，使得相邻两片铜箔之间的结合更加致密，有利于进一步提高复合材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN119372756A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411521419.1
申请日：2024-10-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸单晶铜箔的制备方法，在还原性气氛中，以第一温度对铜箔进行第一次退火处理，然后沿单一方向对铜箔实施拉伸，总延伸率为0.1‑1.0％，再在还原性气氛中，以第二温度对铜箔进行第二次退火处理，随后空冷即得；其中，第一温度小于第二温度。本发明利用退火结合单轴拉伸工艺，能够根据具体需求制备出长度超过10cm的大尺寸单晶铜箔。本发明的制备方法制备成本低、操作简便，具有良好工业化生产潜力。
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公开(公告)号：CN111517314B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010339608.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: C01B32/194 , G01N21/65
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯检测方法，具体步骤如下：将电解质和高分子溶液混合的插层溶液分散在金属衬底/石墨烯层的表面，然后加热，使其渗入金属衬底/石墨烯层间，减弱金属衬底与石墨烯之间的耦合作用。本检测方法使得石墨烯的拉曼信号不再受到金属衬底的影响，进行快速检测，避免常规检测中二次转移对石墨烯的损伤，从而简化石墨烯薄膜生产过程中的质量监测环节。
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公开(公告)号：CN111424309A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010411463.2
申请日：2020-05-15
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
Abstract: 本发明提供一种单晶金属箔材的制备方法，其中，方法包括以下步骤：(1)在多晶金属箔材两端施加应力；(2)在步骤(1)施加应力的同时将所述多晶金属箔材进行弯曲，并同时进行高温退火处理；(3)在多晶金属箔材两端施加逐渐定量增加的应力，获得单晶金属箔材。通过以上方法能制备大面积的单晶二维材料；此方法简单可控，可用于大需求的生产。
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公开(公告)号：CN104060140B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410327889.4
申请日：2014-07-10
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种抗高温氧化镁合金，按质量百分比计由以下组分组成：Y：1～3％，Sn：0.1～1.5％，其余为镁和不可避免的杂质。本发明的抗高温氧化镁合金制备方法如下：首先选取纯Mg，纯Sn及Mg?Y中间合金，然后将气氛保护下将纯镁加热到690?705℃，并加入纯Sn和Mg?Y中间合金，充分搅拌熔炼，最后在715?730℃保温15?25分钟浇注成型。本发明在镁合金中添加适量的Y和Sn，可增强氧化膜的致密性，本发明限定合金中杂质含量，避免杂质对的高温氧化性能的影响，本发明严格限制了镁合金制备工艺参数，浇筑得到的合金材料组织均匀、缺陷少。
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