公开(公告)号：CN119643598A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411747359.5

申请日：2024-12-02

Applicant: 重庆大学

Inventor： 郭晶 ,  李昕 ,  吴桂林 ,  张瑞齐 ,  侯宁 ,  黄天林 ,  史浩飞 ,  黄晓旭

IPC: G01N23/02

Abstract: 本发明提供一种大尺寸薄层材料的LabDCT表征方法，涉及材料技术领域。将薄层材料固定贴敷于空心管内或套设于空心管外，带有薄层材料的空心管置于LabDCT设备中进行表征，所述薄层材料包括箔材和薄膜材料。本发明通过设置空心管，将薄层材料贴敷于空心管内或套设于空心管外，并置于LabDCT设备中进行表征分析，该方法能够有效增加LabDCT表征材料的尺寸，扩宽了LabDCT仪器的应用范围，本发明所提供的装置和操作方法均简单可行，使用成本低。通过常用方法表征可以获得特殊几何形貌的薄层材料内部晶体取向和晶粒尺寸等重要信息，有利于推动对薄层材料科学研究的进一步发展，以及工业用薄层材料的检验方法等发展。

公开(公告)号：CN119372757A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411521471.7

申请日：2024-10-29

Applicant: 重庆大学

Inventor： 郭晶 ,  李昕 ,  吴桂林 ,  张瑞齐 ,  侯宁 ,  黄天林 ,  史浩飞 ,  黄晓旭

IPC: C30B1/02 ,  C22F1/08 ,  C22F1/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明公开了一种大面积含孪晶单晶铜箔的制备方法，将铜箔沿轧制方向旋转并卷曲放置在空心管中，使铜箔轧制方向可以与管径方向之间呈一定角度，然后放将有样品的空心管一起放入含还原性气氛的热处理炉中进行退火处理，最后空冷即得。本发明通过卷曲结合旋转的退火方式，可以根据需要制备得到可控的面积达到厘米级以上的单晶铜箔，并可直接用于后续二维材料生长，本发明的制备方法兼具成本低、可方法简单易行、批量生产等特点，具有良好工业化应用前景。

公开(公告)号：CN119372756A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411521419.1

申请日：2024-10-29

Applicant: 重庆大学

Inventor： 郭晶 ,  李昕 ,  吴桂林 ,  张瑞齐 ,  侯宁 ,  黄天林 ,  史浩飞 ,  黄晓旭

IPC: C30B1/02 ,  C22F1/08 ,  C22F1/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸单晶铜箔的制备方法，在还原性气氛中，以第一温度对铜箔进行第一次退火处理，然后沿单一方向对铜箔实施拉伸，总延伸率为0.1‑1.0％，再在还原性气氛中，以第二温度对铜箔进行第二次退火处理，随后空冷即得；其中，第一温度小于第二温度。本发明利用退火结合单轴拉伸工艺，能够根据具体需求制备出长度超过10cm的大尺寸单晶铜箔。本发明的制备方法制备成本低、操作简便，具有良好工业化生产潜力。