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公开(公告)号：CN114035640A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111285077.4
申请日：2021-11-01
申请人： 重庆吉芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种基准电压电路及其设计方法，在通过主放大单元对基准核单元形成反馈的基础上，通过前馈放大单元对主放大单元形成前馈，通过基准核单元、主放大单元与前馈放大单元形成三阶负反馈环路，相较于主放大单元与基准核单元形成的二阶负反馈环路，三阶负反馈环路的增益更高，基于三阶负反馈环路中主放大单元与前馈放大单元两个较大的增益对电源电压波动的衰减缓冲，基准电压受电源电压的波动影响十分微弱，呈现出较好的电源抵制能力；同时，基于该三阶负反馈环路结构的创新，相比目前技术，在电源电压变化时，主放大单元两个输入端的电压差保持相对稳定，从而使得基准电压也保持相对稳定。
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公开(公告)号：CN114237339A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111459150.5
申请日：2021-12-01
申请人： 重庆吉芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种带隙基准电压电路及带隙基准电压的补偿方法，所述带隙基准电压电路包括：一阶温度补偿带隙基准单元，输出具有一阶温度补偿的带隙基准电压；二阶温度补偿单元，接一阶温度补偿带隙基准单元，向一阶温度补偿带隙基准单元输出具有二阶正温度系数的补偿电流，对带隙基准电压进行二阶温度补偿。本发明通过一阶温度补偿带隙基准单元产生具有一阶温度补偿的带隙基准电压，通过二阶温度补偿单元产生具有二阶正温度系数的补偿电流，再把具有二阶正温度系数的补偿电流作用到带隙基准电压上，有效实现了输出带隙基准电压的二阶温度补偿。
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公开(公告)号：CN114035640B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202111285077.4
申请日：2021-11-01
申请人： 重庆吉芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种基准电压电路及其设计方法，在通过主放大单元对基准核单元形成反馈的基础上，通过前馈放大单元对主放大单元形成前馈，通过基准核单元、主放大单元与前馈放大单元形成三阶负反馈环路，相较于主放大单元与基准核单元形成的二阶负反馈环路，三阶负反馈环路的增益更高，基于三阶负反馈环路中主放大单元与前馈放大单元两个较大的增益对电源电压波动的衰减缓冲，基准电压受电源电压的波动影响十分微弱，呈现出较好的电源抵制能力；同时，基于该三阶负反馈环路结构的创新，相比目前技术，在电源电压变化时，主放大单元两个输入端的电压差保持相对稳定，从而使得基准电压也保持相对稳定。
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公开(公告)号：CN113437217A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110677950.8
申请日：2021-06-18
申请人： 重庆吉芯科技有限公司
发明人： 胡蓉彬
摘要： 本发明提供一种多晶硅电阻及其制造方法、逐次逼近型模数转换器，在形成多晶硅电阻时，利用绝缘体上硅工艺的特点，把绝缘体上硅衬底的上层硅衬底层划分成一个个绝缘隔离的衬底隔离区，并在上层硅衬底层上依次形成氧化硅层和多晶硅电阻层，且多晶硅电阻层被划分成若干个多晶硅电阻块，若干个多晶硅电阻块被一一对应地置于若干个衬底隔离区上，使得衬底隔离区的电位紧紧跟随多晶硅电阻块的电位，使得多晶硅电阻块与下面的衬底隔离区无法形成较强的电场，消除了多晶硅电阻上的载流子聚边效应；将该多晶硅电阻应用到逐次逼近型模数转换器的前端电阻分压网络上时，可有效提高电阻分压网络的线性度，降低了逐次逼近型模数转换器的积分非线性度。
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