一种复合型宽频带磁电机械天线及其制作方法

    公开(公告)号:CN118920075A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411065520.0

    申请日:2024-08-05

    Abstract: 本发明属于通信天线技术领域,公开了一种复合型宽频带磁电机械天线,包括依次设置在弹性衬底层上的磁致伸缩材料层和压电材料层,以及密绕在结构外部的线圈;所述弹性衬底层是由三条支撑梁和连接相邻支撑梁中心的连接桥构成的两桥三梁结构,所述磁致伸缩材料层沿长度方向上磁化,所述压电材料层沿厚度方向上极化,每个支撑梁上均依次设置磁致伸缩材料层和压电材料层;所述线圈的两端作为器件的输入端口,在每个压电材料层的上侧面和下侧面引出电极并作为器件的输出端口,将三个压电材料层的输出端口进行并联实现带宽耦合。本发明将弹性衬底设计成两桥三梁结构,将压电材料层的三个输出端口进行电气并联使带宽进行耦合,扩宽了磁电天线的工作带宽。

    环形磁电回旋器、实验装置及环形磁电回旋器工作方法

    公开(公告)号:CN112345861B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202011224357.X

    申请日:2020-11-05

    Abstract: 本发明提出了一种环形磁电回旋器、实验装置及环形磁电回旋器工作方法,由环形磁电复合元件、非磁性支撑外壳以及密绕在非磁性骨架上的环形螺线管构成,所述环形磁电复合元件由磁致伸缩环与压电环通过层间严格同心复合而成,非磁性外壳作为核心磁电换能元件的支撑骨架能够有效地避免线圈直接缠绕所带来的附加应力夹持,器件的两个端口分别引出自压电环的上下表面和螺线管的两个线端,与核心换能元件一同构成四线‑双端口非互易性环形磁电回旋器件。本发明具有整体制备工艺简单,结构小巧等特点,可将传统不易集成的环形电感元件替换为更易集成的环形回旋器和电容器,并在高效功率传输、阻抗匹配、以及射频通信领域中具有潜在的应用价值。

    一种横向流动试纸条及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118409085A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410513596.9

    申请日:2024-04-26

    Abstract: 本发明属于分析化学领域,涉及铅离子试纸条的制备,特别是指一种横向流动试纸条及其制备方法和应用。本申请利用G四链体与铅离子的相互作用构建了一种检测铅离子浓度的横向流动试纸条。利用铅离子会诱导特定的碱基序列形成G‑四链体结构的特征,设计并制备了一种用于水环境中铅离子检测的横向流动试纸条。无铅离子时,富G序列与其互补链(antiG4)呈双链结构;有铅离子时,铅离子会诱导双链中的富G序列形成G四链体结构,释放出antiG4单链。随着溶液在试纸条上层析,antiG4一端与含有纳米金的识别元件结合,而另一端与测试线探针结合,形成夹心结构,测试线的颜色变化与铅离子浓度成正相关。为水环境中残留铅离子的现场检测提供了一种便携式、简单易用的新方法。

    带有张应变薄膜的中红外GeSn发光器

    公开(公告)号:CN115274907B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202210911667.1

    申请日:2022-07-30

    Abstract: 本发明属于光电子硅基集成电路技术领域,涉及带有张应变薄膜的中红外GeSn发光器,包括由下至上依次设置的:衬底层、赝衬底层、驰豫层、有源区;驰豫层为n+型GeSn驰豫层,有源区由下至上依次为n+型GeSn层、本征GeSn层和p+型GeSn层;有源区为空心圆柱,有源区周围包裹一层应变薄膜;在p+型GeSn层上设置第一金属电极,在驰豫层顶端、有源区外侧设置第二金属电极。发光器制备过程中应变薄膜内残余应力释放,向有源区引入张应变,有源区张应变的引入使导带Γ能谷比L能谷更加剧烈下降,促进GeSn合金向直接带隙材料转变,器件发光波长向中红外2~5μm拓展,并有效提高GeSn发光效率。

    一种磁电功率分割器的任意功率分割比实现方法

    公开(公告)号:CN117082956A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202310976230.0

    申请日:2023-08-04

    Abstract: 本发明属于固体功率电子器件技术领域,公开了一种磁电功率分割器的任意功率分割比实现方法,包括以下步骤:1)制作六线‑三端口磁电功率分割器:所述六线‑三端口磁电功率分割器由两层磁致伸缩材料和位于两层磁致伸缩材料中间的两块不同体积的压电陶瓷材料层叠粘合后在裸片外密绕铜质螺线管而成;2)通过调整两块不同体积的压电陶瓷材料的长度比,调控磁电功率分割器的功率分割比。本发明基于六线‑三端口磁电功率分割器,通过调控两块压电陶瓷材料的长度比,实现对磁电功率分割器两输出端口功率比任意分割的调控。

    带有张应变薄膜的中红外GeSn发光器

    公开(公告)号:CN115274907A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210911667.1

    申请日:2022-07-30

    Abstract: 本发明属于光电子硅基集成电路技术领域,涉及带有张应变薄膜的中红外GeSn发光器,包括由下至上依次设置的:衬底层、赝衬底层、驰豫层、有源区;驰豫层为n+型GeSn驰豫层,有源区由下至上依次为n+型GeSn层、本征GeSn层和p+型GeSn层;有源区为空心圆柱,有源区周围包裹一层应变薄膜;在p+型GeSn层上设置第一金属电极,在驰豫层顶端、有源区外侧设置第二金属电极。发光器制备过程中应变薄膜内残余应力释放,向有源区引入张应变,有源区张应变的引入使导带Γ能谷比L能谷更加剧烈下降,促进GeSn合金向直接带隙材料转变,器件发光波长向中红外2~5μm拓展,并有效提高GeSn发光效率。

    一种利用环形磁电传感器探测平行涡旋交直流双模态磁场的方法

    公开(公告)号:CN113156346A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202110347430.0

    申请日:2021-03-31

    Abstract: 本发明属于磁场探测技术领域,公开了一种利用环形磁电传感器探测平行/涡旋交直流双模态磁场的方法,所述环形磁电传感器包括密封在非磁性外壳内的环形磁电复合元件以及均匀密绕在所述非磁性外壳外围的铜质线圈;所述环形磁电复合元件包括两层磁致伸缩元件和一层压电陶瓷元件,所述磁致伸缩元件位于所述压电陶瓷元件的上下两侧形成对称型同心圆环结构,所述磁致伸缩元件的材料为Ni0.2Zn0.8Fe2O4,所述压电陶瓷元件的材料为PZT‑8;所述方法包括以下步骤:将环形磁电传感器置于亥姆霍兹线圈中央,调节平行磁场大小,实现平行直流/交流双模态磁场的探测;将环形磁电传感器穿过通电导线,调节涡流磁场大小,实现涡流直流/交流双模态磁场的探测。

    环形磁电回旋器、实验装置及环形磁电回旋器工作方法

    公开(公告)号:CN112345861A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202011224357.X

    申请日:2020-11-05

    Abstract: 本发明提出了一种环形磁电回旋器、实验装置及环形磁电回旋器工作方法,由环形磁电复合元件、非磁性支撑外壳以及密绕在非磁性骨架上的环形螺线管构成,所述环形磁电复合元件由磁致伸缩环与压电环通过层间严格同心复合而成,非磁性外壳作为核心磁电换能元件的支撑骨架能够有效地避免线圈直接缠绕所带来的附加应力夹持,器件的两个端口分别引出自压电环的上下表面和螺线管的两个线端,与核心换能元件一同构成四线‑双端口非互易性环形磁电回旋器件。本发明具有整体制备工艺简单,结构小巧等特点,可将传统不易集成的环形电感元件替换为更易集成的环形回旋器和电容器,并在高效功率传输、阻抗匹配、以及射频通信领域中具有潜在的应用价值。

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