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公开(公告)号：CN116789186A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310088408.8
申请日：2023-02-09
申请人： 郑州航空工业管理学院
IPC分类号： C01G53/00
摘要： 本发明涉及高熵陶瓷材料制备技术领域，具体为一种均匀(ZrTiCoNiNb)O高熵氧化物粉体及其制备方法和应用。(ZrTiCoNiNb)O高熵氧化物粉体按照如下步骤制备：将ZrO2、TiO2、CoO、NiO、Nb2O5球磨混合均匀，获得原料混合粉体；将原料混合粉体装填至坩埚中，引入温场调节机制，进行微波处理，即得(ZrTiCoNiNb)O高熵氧化物陶瓷粉体材料。本发明基于微波加热的特点，在微波加热保温结构中引入SiC棒调节样品温场，从而利用微波加热得到均匀稳定的高熵氧化物陶瓷粉体，烧结过程短时快速，环保且高效，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110745827B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201810821990.3
申请日：2018-07-24
申请人： 郑州航空工业管理学院
IPC分类号： C01B32/963
摘要： 本发明涉及一种二维片状SiC材料的制备方法，属于微波合成技术领域。本发明的二维片状SiC材料的制备方法，包括以下步骤：1)将主要由溶胶和膨胀碳材料组成的分散体系进行凝胶化处理，得到前驱体凝胶；所述溶胶为硅溶胶或由硅源经过水解、缩合得到；2)将所得的前驱体凝胶进行干燥，得到复合粉体；3)将所得的复合粉体进行反应烧成，即得。本发明的二维片状SiC材料的制备方法，以膨胀碳材料作为碳源，分散体系中的硅溶胶颗粒分布于膨胀碳材料的片层状结构表面，也呈片状分布，经过烧成反应后，即可得到具有纳米片状结构的二维片状的SiC材料，具有比表面积更大、更易分散的优点，并且层状结构能够改善其在复合材料的界面润湿性。
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公开(公告)号：CN117550818A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310054840.5
申请日：2023-02-03
申请人： 郑州航空工业管理学院
IPC分类号： C04B7/44
摘要： 本发明属于微波烧结水泥熟料生产技术领域，具体涉及一种微波规模化制备的水泥熟料及其制备方法。制备方法包括以下步骤：以CaCO3粉体、SiO2粉体为制备原料，加入烧结助剂混合处理均匀，获得混合粉体；将混合粉体预压制成胚体，于1000～1500℃下微波烧结得到水泥熟料。本发明提供了一种微波规模化制备水泥熟料的方法，有效的降低了传统水泥熟料的矿物材料的合成成本，提高了合成效率，烧结方法时间短、产率高、重复性好，且规模化制备的成本低，特别适合产业化、规模化的生产需求。
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公开(公告)号：CN116789136A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310054850.9
申请日：2023-02-03
申请人： 郑州航空工业管理学院
IPC分类号： C01B32/97
摘要： 本发明属于SiC材料技术领域，具体涉及一种规模化微波制备的碳化硅及其制备方法。制备方法包括以下步骤：以碳源和硅源为制备原料，球磨制成前驱体；将前驱体预压制成胚体，胚体埋入石英砂中，于850～950℃下微波烧结得到碳化硅。本发明提供了一种微波规模化制备水泥熟料的方法，微波烧结烧结时间短，同时在封闭的腔体内烧结，使得反应产生的气体无法排除，进一步加剧了升温现象，反应生成的碳化硅沉积在前驱体所在的区域，新形成的碳化硅颗粒吸收微波形成新的热源，使反应更加充分，提高了合成效率，可以应用于工业化大规模生产，有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115582547A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211274146.6
申请日：2022-10-18
申请人： 郑州航空工业管理学院
摘要： 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法为：以表面包覆有SiO2‑Cu2O界面修饰相的SiC颗粒作为前驱体，并将其与Cu粉及石墨粉体经球磨处理均匀混合，获得复合粉体；将所述复合粉体预压制坯，获得坯体；在所述坯体周围均匀放置微波透波材料，随后，于700～1000℃的温度下微波处理10～30min，即获得Cu/C/SiC复合材料。本发明采用通过在Cu/SiC复合粉体中引入石墨，使其在微波烧结的过程中可以通过与微波的耦合作用，形成微波热点，积累热量，提高原子界面扩散速率，能够实现在低温下快速制备Cu/C/SiC复合材料。
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公开(公告)号：CN104328478A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410401688.4
申请日：2014-08-14
申请人： 郑州航空工业管理学院
摘要： 本发明公开了一种SiC晶须的制备方法，包括下列步骤：1)取碳源和硅源制成前驱体；2)将步骤1)所得前驱体压制成片后，埋入石英砂中，进行微波烧结合成反应，即得。本发明的SiC晶须的制备方法，利用碳优良的吸波性能，采用直接微波合成方法，实现了SiC晶须的快速合成，得到结晶良好的SiC晶须；微波烧结是依靠材料自身的介电损耗来完成材料烧结的，相比于工业传统加热方法，具有能实现体积加热、污染少、烧结周期短、能耗低等优点；所得SiC晶须尺寸均匀，长径比高，结晶度好，缺陷少，产量高；该方法工艺简单，操作方便，生产周期短，烧结温度低，能耗低、污染少，适合大规模工业化生产，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117658497A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311636172.3
申请日：2023-12-01
申请人： 郑州航空工业管理学院
摘要： 本发明涉及硅酸盐水泥无机材料复合技术领域，具体公开了一种SiC纳米晶须复合γ‑C2S熟料矿物的制备方法，通过以钙质原料、硅粉、有机硅源为原料制成前驱体；将制备得到的前驱体预压制坯后，埋入石英砂中，采用微波加热原位合成SiC纳米晶须复合硅酸盐水泥熟料。本发明制备得到的SiC纳米晶须复合γ‑C2S熟料矿物主晶相明显，成功地将碳酸钙分解出的二氧化碳有效利用生成碳化硅，减少了制备硅酸盐水泥熟料过程中废气排放，有利于环境的同时增强水泥基体的综合性能。
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公开(公告)号：CN115925392A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211592285.3
申请日：2022-12-13
申请人： 郑州航空工业管理学院
IPC分类号： C04B35/04 , C04B35/46 , C04B35/45 , C04B35/453 , C04B35/01 , C04B35/626
摘要： 本发明涉及高熵陶瓷技术领域，提供了一种过渡金属高熵陶瓷氧化物复合材料粉体及其制备方法。本发明将MgO粉体、TiO2粉体、NiO粉体、CuO粉体和ZnO粉体混合，然后将所得混合粉体进行微波烧结，得到过渡金属高熵陶瓷氧化物复合材料粉体。本发明通过微波烧结合成(MgTiNiCuZn)O高熵陶瓷，操作方法简单，烧结时间短，且不会产生污染，符合国家节能环保的政策方针，具有广阔的应用前景；并且本发明制备的(MgTiNiCuZn)O高熵陶瓷氧化物复合材料粉体属于一种全新的材料，丰富了高熵陶瓷氧化物的材料体系，为高熵陶瓷的研究提供了新的方向。
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公开(公告)号：CN117699851A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410043039.5
申请日：2024-01-11
申请人： 郑州航空工业管理学院
IPC分类号： C01G25/02
摘要： 本发明属于二氧化锆无机非金属陶瓷材料技术领域，具体涉及一种二氧化锆中空纳米球的制备方法，将碱式锆盐溶解于乙酰丙酮和正丁醇的混合醇溶剂中，混合搅拌得到透明溶液；将所述透明溶液于100～200℃下进行微波溶剂热处理，然后冷却至室温，得到沉淀，对沉淀进行超声清洗，分离，干燥后得到二氧化锆中空纳米球，本发明采用通过引入微波溶剂热的制备工艺替代传统水热法合成中空锆球的制备工艺，使其在微波溶剂热的过程中可以通过与微波的耦合作用，形成微波热点，积累热量，提高原子界面扩散速率，能够实现在低温下快速制备二氧化锆中空纳米球材料。
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公开(公告)号：CN115582547B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202211274146.6
申请日：2022-10-18
申请人： 郑州航空工业管理学院
摘要： 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法为：以表面包覆有SiO2‑Cu2O界面修饰相的SiC颗粒作为前驱体，并将其与Cu粉及石墨粉体经球磨处理均匀混合，获得复合粉体；将所述复合粉体预压制坯，获得坯体；在所述坯体周围均匀放置微波透波材料，随后，于700～1000℃的温度下微波处理10～30min，即获得Cu/C/SiC复合材料。本发明采用通过在Cu/SiC复合粉体中引入石墨，使其在微波烧结的过程中可以通过与微波的耦合作用，形成微波热点，积累热量，提高原子界面扩散速率，能够实现在低温下快速制备Cu/C/SiC复合材料。
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