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公开(公告)号：CN118667203A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410702022.6
申请日：2024-06-01
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明属于高分子聚合物领域，特别涉及一种透明基底全蓝光屏蔽膜及其制备方法和应用。采用空心二氧化硅（SiO2）与聚乙烯醇（PVA)的杂化材料作为低折射率层，二氧化钛(TiO2）作为高折射率层，利用旋涂技术在聚合物基底表面交替堆叠两种材料，构筑具有高反射效率的一维光子晶体结构。本发明提供了一种制备简单、低成本与高屏蔽效能的全蓝光屏蔽多层膜，该多层膜具有全蓝光的选择反射特性，同时兼具一定的力学性能及环境稳定性。可应用于医疗保健、显示器件、护目镜等领域。
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公开(公告)号：CN112144116B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010709130.8
申请日：2020-07-22
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明属于单晶铜箔制备技术领域，具体涉及一种简易、选择性制备单晶铜箔的方法。该方法首先用混合溶液对廉价的多晶铜箔进行清洗，后将铜箔置于退火炉中在接近其熔点的温度保温一段时间，使之表面熔化，然后在一定时间内降低至一定温度，进行退火处理。通过控制表面熔化温度到退火温度的降温速率，最终可以选择性制备出（111）或（110）单晶铜箔。本发明在一定程度上整合了单晶铜箔的制备工艺，减少了资源浪费，具有很大的工业化运用前景。
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公开(公告)号：CN118431297A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410583138.2
申请日：2024-05-11
Applicant: 郑州大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/45 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于纳米薄膜材料与器件领域，具体涉及一种ITO薄膜晶体管及制备方法。该ITO薄膜晶体管由下至上依次为衬底、前沟道层、背沟道层和源/漏电极，其中前沟道层为金属性ITO，背沟道层为半导体性ITO：O。本发明的薄膜晶体管增加了前沟道层金属性ITO，金属性ITO在溅射时没有氧气的通入，其氧空位浓度较大，当对漏极施加电压时，金属性ITO对半导体性ITO:O进行了电子掺杂，使得源/漏电极与沟道层形成了欧姆接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112144116A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010709130.8
申请日：2020-07-22
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明属于单晶铜箔制备技术领域，具体涉及一种简易、选择性制备单晶铜箔的方法。该方法首先用混合溶液对廉价的多晶铜箔进行清洗，后将铜箔置于退火炉中在接近其熔点的温度保温一段时间，使之表面熔化，然后在一定时间内降低至一定温度，进行退火处理。通过控制表面熔化温度到退火温度的降温速率，最终可以选择性制备出（111）或（110）单晶铜箔。本发明在一定程度上整合了单晶铜箔的制备工艺，减少了资源浪费，具有很大的工业化运用前景。
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公开(公告)号：CN112002762A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010750918.3
申请日：2020-07-30
Applicant: 郑州大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种梯度沟道掺氮氧化锌薄膜晶体管及其制备方法。该方法首先采用生长一层二氧化硅的p型硅片作为衬底，在高溅射压强、纯氩气条件下沉积一定厚度的高载流子浓度的氧化锌超薄区；在溅射沉积不中断的情况下，调节溅射压强继续沉积低载流子浓度的氧化锌过渡区；随后通入一定量的氮气，沉积梯度掺氮氧化锌钝化区；通过湿法刻蚀方法使氧化锌沟道层图案化；最后在沟道层上方沉积一层铝薄膜，通过湿法刻蚀方法使铝源漏电极图案化得到梯度沟道掺氮氧化锌薄膜晶体管。本发明的金属氧化物薄膜晶体管具有大的开电流、开关电流比和载流子迁移率，同时具有优异的偏压应力和光照稳定性。
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公开(公告)号：CN112002762B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010750918.3
申请日：2020-07-30
Applicant: 郑州大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种梯度沟道掺氮氧化锌薄膜晶体管及其制备方法。该方法首先采用生长一层二氧化硅的p型硅片作为衬底，在高溅射压强、纯氩气条件下沉积一定厚度的高载流子浓度的氧化锌超薄区；在溅射沉积不中断的情况下，调节溅射压强继续沉积低载流子浓度的氧化锌过渡区；随后通入一定量的氮气，沉积梯度掺氮氧化锌钝化区；通过湿法刻蚀方法使氧化锌沟道层图案化；最后在沟道层上方沉积一层铝薄膜，通过湿法刻蚀方法使铝源漏电极图案化得到梯度沟道掺氮氧化锌薄膜晶体管。本发明的金属氧化物薄膜晶体管具有大的开电流、开关电流比和载流子迁移率，同时具有优异的偏压应力和光照稳定性。
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公开(公告)号：CN105280819A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510332119.3
申请日：2015-06-16
Applicant: 郑州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/4226
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体公开了一种平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法。自下而上依次为透明导电电极、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、金属电极，所述电子传输层为TiO2致密层，所述钙钛矿光吸收层的材料为氯离子掺杂的钙钛矿材料。本发明舍弃了传统敏化太阳能电池中的TiO2介孔层，简化了器件结构和制备工艺；本发明使用氯掺杂的钙钛矿材料作为光吸收材料，有助于提高薄膜的成膜性，对载流子的扩散及分离也有促进作用；本发明针对透明导电电极以及TiO2致密层表面处理提出了氧等离子体处理工艺，提高了成膜效果；本发明针对钙钛矿光吸收层的厚度控制问题，采用了逐层旋涂工艺，可以实现调控光吸收层和整体电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN104722300A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510094763.1
申请日：2015-03-02
Applicant: 郑州大学
IPC: B01J23/72
Abstract: 本发明公开了一种Cu-TiO2光催化剂，其结构为单质铜外延生长在二氧化钛纳米片的{101}晶面。本发明还公开了该光催化剂的制备方法，在28ml-32ml钛酸正四丁脂中加入2.5ml-3.5ml氢氟酸、0.6g-0.8g硝酸铜，搅拌12小时，于175℃-185℃水热合成反应12小时，反应结束后，抽滤、洗涤、干燥并研磨，即得到Cu-TiO2光催化剂。本发明的有益效果是使单质铜外延生长在二氧化钛纳米片的{101}晶面，有效地提高了光生载流子的分离效率，使其对甲基蓝等有机染料的降解速度得到大幅度提升。且制备工艺流程更加简单化，大大节省了制备时间和制备成本。
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