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公开(公告)号：CN112831751B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110151997.0
申请日：2021-02-04
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明提供了一种高温自转变非晶/纳米晶高熵氧化物薄膜、制备方法及应用，步骤如下：（1）将锆基多元素靶材切割组合成溅射靶材A，将Al基多元素靶材切割组成溅射靶材B，将溅射靶材A与直流电源相连，溅射靶材B与射频电源相连，预溅射后采用共溅射的方法沉积高熵金属玻璃薄膜；（2）将得到的高熵金属玻璃薄膜置于马弗炉中，煅烧得到非晶/纳米晶高熵氧化物薄膜。本发明制备的高熵薄膜在高温下逐渐实现原位转变，形成均匀致密的高熵氧化物，避免了裂纹的产生和涂层失效。高的混合熵增强了元素间的互溶性，抑制了单独化合物的形成。同时由于高的界面能和结晶过程中原子扩散的动力学障碍（缓慢动力学），非晶/纳米晶体系会稳定存在。
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公开(公告)号：CN114452832A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210120662.7
申请日：2022-02-07
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了光热杀菌和高效过滤PM0.3过滤膜的制备方法，属于空气过滤技术领域，该过滤膜由以下重量的原料合成：聚丙烯腈粉末5‑8份、N,N‑二甲基甲酰胺溶液30‑40份、去离子水1800‑2400份、FeCl310‑16份、HCl3‑4份和苯胺单体180‑240份；该过滤膜的制备方法具体步骤如下：步骤一：制备纺丝原料：将聚丙烯腈粉末5‑8份和N,N‑二甲基甲酰胺溶液30‑40份混合，搅拌12‑13h，搅拌温度保持在23‑25℃，制成纺丝原料，本发明能够提高过滤膜对PM0.3过滤效果，还避免了过滤膜应用的限制，使得过滤膜可达到使用要求，且过滤膜能够有效的杀死细菌，保护了人类的安全，还可循环使用过滤膜，不仅降低了成本的投入，还避免了资源的浪费。
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公开(公告)号：CN111206217A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010218178.9
申请日：2020-03-25
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明提供了一种核电用Zr-Si-O非晶防护涂层的制备方法，其特征在于步骤如下：（1）靶材选取，选用Zr-4、纯Si靶材作为溅射靶材，单晶硅片作为镀膜基底；（2）涂层制备：将Zr-4靶材接到与直流电源相连的靶位，将Si靶材接到与射频电源相连的靶位上，首先在镀膜基底上沉积Zr-4层，Zr-4层的厚度为800nm，之后采用反应共溅射的方法沉积Zr-Si-O薄膜。本发明涂层制备使用高真空单室三靶磁控溅射系统，涂层成分均匀、结构致密、膜基结合力好。此外，本发明制备的Zr-Si-O非晶涂层具有优异的抗氧化性及良好的耐腐蚀性能，可应用于反应堆元件的包壳材料及其他燃料组件结构部件，提高使用寿命。
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公开(公告)号：CN105771986B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610169194.7
申请日：2016-03-23
Applicant: 郑州大学
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明公开了一种Au修饰TiO2/WO3异质结纳米纤维光催化剂、制备方法及应用，属于纳米光催化材料技术领域。光催化剂的制备步骤如下：1)将聚乙烯吡咯烷酮、钨酸铵、钛酸丁酯和氯金酸加入乙醇与乙酸的混合液中，混匀得到前驱体溶液；2)取前驱体溶液静电纺丝，得到纳米纤维，煅烧，即得。本发明通过构筑TiO2/WO3异质结能有效抑制光生电子‑空穴对的复合，加以贵金属Au修饰，利用Au的等离子共振效应增强光催化剂对可见光的响应，提高光催化产氢的速率。同时，借助电纺纤维的一维纳米结构和独特的纤维网毡结构提高光催化剂的分离回收和重复使用性。
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公开(公告)号：CN105895807B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610295604.2
申请日：2016-05-06
Applicant: 郑州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开了一种掺杂TiO2薄膜的制备方法。（1）在搅拌状态下，配制100~400mM的TiCl4水溶液；（2）将掺杂金属的盐根据目标掺杂比例溶入溶解当量的溶剂中，搅拌均匀之后加入到步骤（1）配制好的溶液中；（3）将衬底放入步骤（2）获得的溶液中，控制溶液温度在70~150℃，保温10min~5h；（4）取出衬底，依次用乙醇和水进行清洗；（5）将清洗后的衬底控温在100~150℃退火30min~3h，衬底上的生成物即为掺杂TiO2薄膜。本发明方法可以从溶液中直接获得致密的掺杂TiO2薄膜，整个过程在低温常压环境下进行，并且是在衬底上一次成膜；最后，本发明提供了通过低温制备不同元素掺杂的TiO2薄膜，并且使钙钛矿太阳电池的性能获得了显著提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106299365B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610966202.0
申请日：2016-11-04
Applicant: 郑州大学
IPC: H01M4/583 , H01M10/05 , H01M4/133 , H01M10/0569
Abstract: 本发明涉及一种钠离子电池用生物质硬碳负极材料、制备方法及钠离子电池，属于钠离子储能设备技术领域。该生物质硬碳负极材料是由下列方法制备的：1)将生物质原料粉碎得前驱体颗粒；2)在保护气氛下，将前驱体颗粒升温至400～600℃预烧1.5～2.5h，后随炉冷却至室温，再升温至800～1600℃煅烧2～5h，冷却得中间品；3)将中间品置于碱液中浸泡，取出再置于酸液中浸泡，后水洗至中性，干燥得纯化品；4)将纯化品于1000～2000W功率下进行微波真空活化3～15s即得。所得生物质硬碳负极材料首次充放电效率高达90％以上，循环稳定性好，可逆比容量在300mAh/g以上，具有良好的电化学性能。
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公开(公告)号：CN105951053B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610339521.9
申请日：2016-05-20
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法及铌掺杂二氧化钛透明导电膜，该制备方法包括1)以氩气为等离子体气源，氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在衬底上溅射沉积薄膜得半成品；溅射靶材中Nb的原子数为Nb、Ti原子总数的2％～8％；氧气的体积流量为氩气体积流量的5％～20％，等离子体发射源功率为1100～2000W，靶材加速偏压功率为1300～1510W；2)将所得半成品进行晶化退火处理。所得透明导电膜致密均匀，平均可见光透过率高，电阻率低，具有良好的化学稳定性、机械强度和光电性能；本发明的制备方法溅射速度快，温度低，可重复性好，耗能低，具有广阔的市场前景。
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公开(公告)号：CN105870342A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610315593.X
申请日：2016-05-13
Applicant: 郑州大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/44 , H01L51/42
Abstract: 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开一种界面处理制备高性能钙钛矿薄膜的方法。（1）在衬底上制备空穴收集层；（2）界面处理：将PEI或EA溶于2?甲氧基乙醇中配制成质量分数为0.4~1.2%的溶液，旋涂于空穴收集层上，
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公开(公告)号：CN104716317A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510101300.3
申请日：2015-03-09
Applicant: 郑州大学
IPC: H01M4/505
CPC classification number: H01M4/505 , H01M4/1391 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种钠离子电池NaxMnO2正极材料的合成方法，包括下列步骤：1)取钠盐、锰盐与聚乙烯吡咯烷酮，加入水中，搅拌混合，干燥得干凝胶；2)将步骤1)所得干凝胶加热至燃烧，将燃烧后的产物再进行煅烧，即得。本发明的钠离子电池NaxMnO2正极材料的合成方法，是一种高分子凝胶-燃烧合成方法，采用聚乙烯吡咯烷酮作为螯合剂和燃料，以螯合的方式将钠和锰固定在高分子链上，实现分子水平的均匀混合，大大提高了产物的电化学性能；所得NaxMnO2正极材料具有极为优异的倍率和循环性能；该合成方法工艺简单，操作方便，所用设备简单，易于自动化控制，成本低，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN103646973A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310610570.8
申请日：2013-11-26
Applicant: 郑州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/075 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种高效薄膜光伏电池，属于光伏电池技术领域。该高效薄膜光伏电池将环境友好、低成本、富资源的硅化镁（Mg2Si）材料作为吸光层（i）引入传统pn型硅基光伏电池中，形成能带结构为宽(p)/窄(i)/宽(n)型的光伏电池，大大提高光吸收效率和光电转换性能。Mg2Si是一种具有面心立方结构的半导体，其主要原材料是硅和金属镁，它们都是地球上储量最高的元素之一，无毒、无污染，因此是低成本、富资源的环境友好材料。硅化镁和硅一样具有间接跃迁的带隙特征的半导体，但是它的禁带宽度小于硅（0.7eV)，光吸收系数是硅的三个数量级以上，因此材料厚度可以降低到微米级以下。
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