用于生产密封光半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN111033769A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201880053054.0

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 提供了一种用于生产密封光半导体装置的方法,即使当内层中的密封膜的物理特性包括差的可拉伸性时,所述方法使得能够以高度可靠的方式密封光半导体元件。本发明包括以下步骤:其中在减压室内将包括内层密封膜和最外层密封膜的至少两种类型的密封膜按照此顺序放置在其上安装光半导体元件的光半导体元件安装基板上并且降低所述减压室中的压力的步骤;其中加热所述最外层密封膜并且使所述最外层密封膜的至少周边热熔合到所述光半导体元件安装基板的表面的步骤;以及其中释放所述减压室内的减压并且通过所述最外层密封膜和所述内层密封膜密封所述光半导体元件安装基板的步骤。当释放所述减压室内的减压时所述光半导体元件安装基板的温度T2为所述最外层密封膜展现了0.02-0.15MPa的拉伸强度以及200%-450%的断裂伸长率的温度。所述内层密封膜在所述温度T2下展现了1.6或更大的损耗角正切(tanδ)。

    固态灯和形成方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104204119B

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201280070705.X

    申请日:2012-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种光学组件,所述光学组件包括光学器件和包含树脂‑线性有机硅氧烷嵌段共聚物的组合物。在一些实施例中,所述有机硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000克/摩尔的重均分子量,并且包含以线性嵌段排列的40至90摩尔%由式[R12SiO2/2]表示的二甲硅烷氧基单元,每个线性嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2];以非线性嵌段排列的10至60摩尔%由式[R2SiO3/2]表示的三甲硅烷氧基单元,每个非线性嵌段具有至少500克/摩尔的重均分子量;以及0.5至25摩尔%硅烷醇基团。R1独立地为C1至C30烃基,而R2独立地为C1至C20烃基。至少30%的所述非线性嵌段与另一个非线性嵌段交联,并聚集成纳米域。每个线型嵌段连接至至少一个非线型嵌段。

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